一种衬底处理系统包含：真空传送模块；以及多个处理模块，其限定相应的处理室。所述多个处理模块包含设置在所述真空传送模块的第一侧的第一行处理模块、以及设置在所述真空传送模块的与所述第一侧相对的第二侧的第二行处理模块。所述多个处理模块中的每一者包含：气体箱，其被设置在所述处理模块上方并且被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中，以及射频(RF)产生器，其被配置成产生RF功率以在所述处理室内产生等离子体。所述RF产生器被设置在所述处理模块上方，并且所述气体箱和所述RF产生器被并排地设置在所述处理模块上方。器被并排地设置在所述处理模块上方。器被并排地设置在所述处理模块上方。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底处理工具的线性配置
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年3月2日申请的美国临时申请No.62/983,829的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
[0002]本公开涉及衬底处理工具架构，更具体而言，涉及衬底处理工具的线性配置。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于执行衬底(如半导体晶片)的沉积、蚀刻和/或其他处理。在处理期间，将衬底设置于衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上。将包含一或更多前体的气体混合物导入处理室中，并且可激励等离子体以激活化学反应。
[0005]衬底处理系统可包含设置在制造室内的多个衬底处理工具。衬底处理工具中的每一者可包含多个处理模块或室。衬底经由一或更多个中间室(例如前开式晶片传送盒(FOUP)、设备前端模块(EFEM)和/或装载锁)而传送至衬底处理工具中。衬底在真空传送模块(VTM)内于多个处理模块之间传送。
技术实现思路
[0006]一种衬底处理系统包含：真空传送模块；以及多个处理模块，其限定相应的处理室。所述多个处理模块包含设置在所述真空传送模块的第一侧的第一行处理模块、以及设置在所述真空传送模块的与所述第一侧相对的第二侧的第二行处理模块。所述多个处理模块中的每一者包含：气体箱，其被设置在所述处理模块上方并且被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中，以及射频(RF)产生器，其被配置成产生RF功率以在所述处理室内产生等离子体。所述RF产生器被设置在所述处理模块上方，并且所述气体箱和所述RF产生器被并排地设置在所述处理模块上方。
[0007]在其他特征中，所述衬底处理系统具有线性轴，所述第一行处理模块和第二行处理模块平行于所述线性轴且设置于所述线性轴的相对两侧，且所述气体箱相对于所述衬底处理系统的所述线性轴而设置在所述RF产生器的内侧。所述RF产生器相对于所述衬底处理系统的线性轴而设置在所述气体箱的内侧。所述处理模块具有由所述处理模块的外周所限定的竖直柱占用区(footprint)，且所述气体箱和所述RF产生器的外周不超出所述处理模块的所述竖直柱占用区。
[0008]在其他特征中，所述第一行处理模块被配置成执行第一处理，且所述第二行处理模块被配置成执行第二处理。所述第一处理为电介质蚀刻处理，且所述第二处理为导体蚀刻处理。所述第一行处理模块被配置成独立于所述第二行处理模块执行所述第二处理而执
行所述第一处理。
[0009]在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配电组件，所述配电组件被配置成将功率供应至所述第一行处理模块和所述第二行处理模块。所述配电组件被配置成独立于供应功率至所述第二行处理模块而将功率供应至所述第一行处理模块。所述配电组件被设置在所述真空传送模块的第三侧且介于所述第一侧与所述第二侧之间。所述衬底处理系统还包含上锁/挂牌(LOTO)组件，其被设置在所述真空传送模块的所述第三侧。所述衬底处理系统还包含设备前端模块(EFEM)，其被设置在所述真空传送模块的与所述第三侧相对的第四侧。
[0010]在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配置成将气体分配至所述第一行处理模块的第一设施气体对接箱、以及配置成将气体分配至所述第二行处理模块的第二设施气体对接箱。所述第一设施气体对接箱被配置成独立于所述第二设施气体对接箱将气体分配至所述第二行处理模块而将气体分配至所述第一行处理模块。
[0011]在其他特征中，所述第一行处理模块包含五个处理模块，且所述第二行处理模块包含五个处理模块。所述第一行处理模块和所述第二行处理模块中的每一者包含两个升降器，其被配置成提升和降低所述处理模块中的至少三者的相应的顶板。所述两个升降器中的每一者被配置成提升和降低所述五个处理模块中的中间的处理模块的相应的顶板。所述处理模块中的每一者包含滑动和枢轴组件，其被配置成使所述处理模块的偏置组件旋转远离所述处理室。
[0012]一种衬底处理系统包含：处理模块，其限定处理室。所述处理模块被配置成在设置于所述处理室内的衬底上执行至少一个处理。气体箱被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中。所述气体箱被设置在所述处理模块上方。射频(RF)产生器被配置成产生RF功率以在所述处理室内产生等离子体。所述RF产生器被设置在所述处理模块上方。
[0013]在其他特征中，所述气体箱和所述RF产生器被并排地设置在所述处理模块上方。所述气体箱相对于所述衬底处理系统的所述线性轴而设置在所述RF产生器的内侧。所述RF产生器相对于所述衬底处理系统的线性轴而设置在所述气体箱的内侧。所述气体箱被设置在所述RF产生器上方。所述RF产生器被设置在所述气体箱上方。所述处理模块具有由所述处理模块的外周所限定的竖直柱占用区，且所述气体箱和所述RF产生器的外周不超出所述处理模块的所述竖直柱占用区。
[0014]在其他特征中，所述衬底处理系统还包含呈线性配置的多个处理模块。所述多个处理模块包含第一行处理模块和第二行处理模块。所述第一行处理模块被配置成执行第一处理，且所述第二行处理模块被配置成执行第二处理。所述第一处理为电介质蚀刻处理，且所述第二处理为导体蚀刻处理。所述第一行处理模块被配置成独立于所述第二行处理模块执行所述第二处理而执行所述第一处理。
[0015]在其他特征中，所述衬底处理系统还包含配电组件，所述配电组件被配置成将功率供应至所述第一行处理模块和所述第二行处理模块。所述配电组件被配置成独立于供应功率至所述第二行处理模块而将功率供应至所述第一行处理模块。所述第一行处理模块被设置在所述衬底处理系统的第一侧，所述第二行处理模块被设置在所述衬底处理系统的与所述第一侧相对的第二侧，且所述配电组件被设置在所述衬底处理系统的第三侧且介于所
述第一侧与所述第二侧之间。
[0016]在其他特征中，所述衬底处理系统还包含上锁/挂牌(LOTO)组件，其被设置在所述衬底处理系统的所述第三侧。所述衬底处理系统还包含设备前端模块(EFEM)，其被设置在所述衬底处理系统的与所述第三侧相对的第四侧。所述衬底处理系统还包含配置成将气体分配至所述第一行处理模块的第一设施气体对接箱、以及配置成将气体分配至所述第二行处理模块的第二设施气体对接箱。所述第一设施气体对接箱被配置成独立于所述第二设施气体对接箱将气体分配至所述第二行处理模块而将气体分配至所述第一行处理模块。
[0017]在其他特征中，所述第一行处理模块包含五个处理模块，且所述第二行处理模块包含五个处理模块。所述第一行处理模块和所述第二行处理模块中的每一者包含两个升降器，其被配置成提升和降低所述处理模块中的至少三者的相应的顶板。所述两个升降器中的每一者被配置成提升和降低所述五个处理模块中的中间的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衬底处理系统，其包含：真空传送模块；以及多个处理模块，其限定相应的处理室，其中所述多个处理模块包含设置在所述真空传送模块的第一侧的第一行处理模块、以及设置在所述真空传送模块的与所述第一侧相对的第二侧的第二行处理模块，其中所述多个处理模块中的每一者包含：气体箱，其被配置成将至少一种气体和/或气体混合物选择性地供应至所述处理模块的所述处理室中，其中所述气体箱被设置在所述处理模块上方，以及射频(RF)产生器，其被配置成产生RF功率以在所述处理室内产生等离子体，其中所述RF产生器被设置在所述处理模块上方，其中所述气体箱和所述RF产生器被并排地设置在所述处理模块上方。2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述衬底处理系统具有线性轴，所述第一行处理模块和第二行处理模块平行于所述线性轴且设置于所述线性轴的相对两侧，且所述气体箱相对于所述衬底处理系统的所述线性轴而设置在所述RF产生器的内侧。3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述RF产生器相对于所述衬底处理系统的线性轴而设置在所述气体箱的内侧。4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述处理模块具有由所述处理模块的外周所限定的竖直柱占用区，且其中所述气体箱和所述RF产生器的外周不超出所述处理模块的所述竖直柱占用区。5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一行处理模块被配置成执行第一处理，且所述第二行处理模块被配置成执行第二处理。6.根据权利要求5所述的衬底处理系统，其中所述第一处理为电介质蚀刻处理，且所述第二处理为导体蚀刻处理。7.根据权利要求5所述的衬底处理系统，其中所述第一行处理模块被配置成独立于所述第二行处理模块执行所述第二处理而执行所述第一处理。8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含配电组件，所述配电组件被配置成将功率供应至所述第一行处理模块和所述第二行处理模块。9.根据权利要求8所述的衬底处理系统，其中所述配电组件被配置成独立于供应功率至所述第二行处理模块而将功率供应至所述第一行处理模块。10.根据权利要求8所述的衬底处理系统，其中所述配电组件被设置在所述真空传送模块的第三侧且介于所述第一侧与所述第二侧之间。11.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其还包含上锁/挂牌(LOTO)组件，其被设置在所述真空传送模块的所述第三侧。12.根据权利要求11所述的衬底处理系统，其还包含设备前端模块(EFEM)，其被设置在所述真空传送模块的与所述第三侧相对的第四侧。13.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含配置成将气体分配至所述第一行处理模块的第一设施气体对接箱、以及配置成将气体分配至所述第二行处理模块的第二设施气体对接箱。14.根据权利要求13所述的衬底处理系统，其中所述第一设施气体对接箱被配置成独
立于所述第二设施气体对接箱将气体分配至所述第二行处理模块而将气体分配至所述第一行处理模块。15.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一行处理模块包含五个处理模块，且所述第二行处理模块包含五个处理模块。16.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述第一行处理模块和所述第二行处理模块中的每一者包含两个升降器，其被配置成提升和降低所述处理模块中的至少三者的相应的顶板。17.根据权利要求16所述的衬底处理系统，其中所述两个升降器中的每一者被配置成提升和降低所述五个处理模块中的中间的处理模块的相应的顶板。18.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述处理模块中的每一者包含滑动和枢轴组件，其被配置成使所述处理模块的偏置组件旋转远离所述处理室。19.一种衬底处理系统，其包含：处理模块，其限定处理室，其中所述处理模块被配置成在设置于所述处理室内的衬底上执行至少一个处理；气体箱，其被配置成将至少一种气...
【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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