本申请提供一种曝光控制方法及装置，方法包括：对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形成像的图形轮廓。通过对从亚分辨率辅助图形中筛选出来的目标图形以及其上的光刻胶层继续进行曝光，以便利用继续曝光的目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中可曝光图形的图形轮廓，相较于对全部掩模板以及其上的光刻胶层的图形增加曝光时长或曝光次数，只对目标图形以及其上的光刻胶层进行继续曝光，能够降低在制造掩模板过程中的成本，并且提高制造得到的掩模板的图形的精度和辨别度。精度和辨别度。精度和辨别度。
【技术实现步骤摘要】
一种曝光控制方法及装置
[0001]本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种曝光控制方法及装置。
技术介绍
[0002]随着半导体行业的飞快发展，当前的半导体器件的制造工艺已经达到纳米级别。在半导体器件的制造工艺过程中最重要的一环就是光刻，光刻是首先在被加工器件表面上涂覆光刻胶，并将携带有刻蚀图形的掩模板覆盖在被加工器件上，利用光束照射掩模板和掩模板的透光区域下方的被加工器件，光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工器件的表面上。
[0003]因此掩模板上图形的精确度，会影响最终制造得到的半导体器件的性能，而当前在制造掩模板时，掩模板上的图形精度较低，不能满足对于掩模板图形的高精度和高辨别度的要求。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请提供了一种曝光控制方法及装置，能够提高制造掩模板中的图形的精度和辨别度，并且降低掩模板的制造成本。
[0005]本申请实施例提供了一种曝光控制方法，包括：
[0006]利用激光或电子束对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；所述待刻蚀掩模板的图形包括可曝光图形和亚分辨率辅助图形；
[0007]对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形的图形轮廓。
[0008]可选的，所述目标图形为所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位。
[0009]可选的，所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位是根据所述亚分辨率辅助图形的图形尺寸特征进行切割得到的。
[0010]可选的，所述目标图形具有不同的尺寸，则所述对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光包括：
[0011]根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数；
[0012]根据所述继续进行曝光的次数对所述目标图形上的光刻胶层继续进行曝光。
[0013]可选的，所述根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数包括：
[0014]确定所述目标图形的尺寸落入的预定尺寸范围，根据预定尺寸范围与曝光次数的对应关系确定曝光次数。
[0015]可选的，所述预定尺寸范围包括第一预定尺寸范围和第二预定尺寸范围，所述第一预定尺寸范围对应的尺寸小于所述第二预定尺寸范围对应的尺寸；
[0016]所述第一预定尺寸范围对应的曝光次数大于所述第二预定尺寸的曝光次数。
[0017]本申请实施例提供了一种曝光控制装置，包括：
[0018]第一曝光单元，用于利用激光或电子束对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；所述待刻蚀掩模板的图形包括可曝光图形和亚分辨率辅助图形；
[0019]第二曝光单元，用于对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形的图形轮廓。
[0020]可选的，所述目标图形为所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位。
[0021]可选的，所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位是根据所述亚分辨率辅助图形的图形尺寸特征进行切割得到的。
[0022]可选的，所述目标图形具有不同的尺寸，则所述第二曝光单元对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光包括：
[0023]所述第二曝光单元根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数；
[0024]所述第二曝光单元根据所述继续进行曝光的次数对所述目标图形上的光刻胶层继续进行曝光。
[0025]可选的，所述第二曝光单元根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数包括：
[0026]所述第二曝光单元确定所述目标图形的尺寸落入的预定尺寸范围，根据预定尺寸范围与曝光次数的对应关系确定曝光次数。
[0027]可选的，所述预定尺寸范围包括第一预定尺寸范围和第二预定尺寸范围，所述第一预定尺寸范围对应的尺寸小于所述第二预定尺寸范围对应的尺寸；
[0028]所述第一预定尺寸范围对应的曝光次数大于所述第二预定尺寸的曝光次数。
[0029]本申请实施例提供的曝光控制方法，方法包括：利用激光或电子束对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；所述待刻蚀掩模板的图形包括可曝光图形和亚分辨率辅助图形；对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形成像的图形轮廓。
[0030]由此可见，本申请实施例提供的曝光控制方法，通过对从亚分辨率辅助图形中筛选出来的目标图形以及其上的光刻胶层继续进行曝光，以便利用继续曝光的目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中可曝光图形的图形轮廓，相较于对全部掩模板以及其上的光刻胶层的图形增加曝光时长或曝光次数，只对目标图形以及其上的光刻胶层进行继续曝光，能够降低在制造掩模板过程中的成本，并且提高制造得到的掩模板的图形的精度和辨别度。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0032]图1示出了本申请实施例提供的一种曝光示意图；
[0033]图2示出了本申请实施例提供的另一种曝光示意图；
[0034]图3示出了本申请实施例提供的一种曝光控制方法的流程图；
[0035]图4示出了本申请实施例提供的一种掩模板在制造过程中的结构示意图；
[0036]图5示出了本申请实施例提供的一种掩模版的示意图；
[0037]图6示出了本申请实施例提供的另一种掩模版的示意图；
[0038]图7示出了本申请实施例一种曝光控制装置的结构图。
具体实施方式
[0039]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
[0040]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0041]其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0042]目前，随着半导体行业的飞快发展，当前的半导体器件的制造工艺已经达到纳米级别。在半导体器件的制造工艺过程中最重要的一环就是光刻，针对半导体器件的光刻是首先在被加工器件表面上涂覆光刻胶，并将携带有刻蚀图形的掩模板覆盖在被加工器件上，利用光束照射掩模板和掩模板的透光区域下方的被加工器件，光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种曝光控制方法，其特征在于，包括：利用激光或电子束对待刻蚀掩模板上的光刻胶层进行曝光；所述待刻蚀掩模板的图形包括可曝光图形和亚分辨率辅助图形；对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光，所述目标图形是从所述亚分辨率辅助图形中筛选出的，以利用所述目标图形辅助提高刻蚀完毕后得到的掩模板中所述可曝光图形的图形轮廓。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标图形为所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形的端部和/或拐角部位是根据所述亚分辨率辅助图形的图形尺寸特征进行切割得到的。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述目标图形具有不同的尺寸，则所述对目标图形上的光刻胶层进行继续曝光包括：根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数；根据所述继续进行曝光的次数对所述目标图形上的光刻胶层继续进行曝光。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标图形的尺寸确定继续进行曝光的次数包括：确定所述目标图形的尺寸落入的预定尺寸范围，根据预定尺寸范围与曝光次数的对应关系确定曝光次数。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预定尺寸范围包括第一预定尺寸范围和第二预定尺寸范围，所述第一预定尺寸范围对应的尺寸小于所述第二预定尺寸范围对应的尺寸；所述第一预定尺寸范围对应的曝光次数大于所述第二预定尺寸的曝光次数。7.一种曝光控制装置，其特征在于，包括：第一曝光单元，用于利用激光或电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：蕭志偉，卢运增，宋月春，
申请(专利权)人：泉意光罩光电科技济南有限公司，
类型：发明
国别省市：
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