本发明专利技术实施例提供一种显示基板、显示模组和显示装置；显示基板包括包括：衬底基板；驱动电路层，驱动电路层设置在衬底基板上，包括多个驱动电路；多个微发光二极管芯片；微发光二极管芯片位于驱动电路层远离衬底基板的一侧，微发光二极管芯片与对应的驱动电路电连接；半导体制冷模块，半导体制冷模块设置在衬底基板上，与驱动电路、微发光二极管芯片电性绝缘；半导体制冷模块用于对所显示基板进行降温。于热量密集度较高的微发光二极管芯片周围设置半导体制冷模块，能够实现对显示基板更高效、更高精度的温度控制和散热调节。高精度的温度控制和散热调节。高精度的温度控制和散热调节。
【技术实现步骤摘要】
一种显示基板、显示模组和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、显示模组及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展，现有液晶显示中的侧入式背光光源的局限性，使其存在诸如对比度低、漏光等缺点，次毫米微发光二极管Mini LED或微型发光二极管(Micro LED)由于其尺寸小、发光效率高以及能耗低等优点逐渐应用于显示领域。
[0003]现有Mini LED/Micro LED由于单个LED芯片的出光效率较低，需要采用的LED芯片数量较多，例如一个27寸的显示屏通常会在玻璃衬底上设置两千多颗LED芯片；另外，随着对Micro/Mini LED的解析度及亮度需求增加，Mini LED/Micro LED芯片朝着更微间距、更密集、更精细的标准去升级；也即单位面积的LED数量不断增加，LED的间距不断缩小，单颗LED的驱动电流越来越大，且显示器会有长时间工作的需求，这会导致单颗LED发热量增加，相邻LED间的热耦合效应增加；热量聚集会对LED芯片本身及显示面板造成如下影响：1、热能聚集会影响LED出光率，降低LED使用寿命；2、在主动矩阵式(ActiveMatrix，AM)背板驱动中，热能持续长期通过键合电极传导到是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件部分，有源层(如a
‑
Si层、金属氧化物层、p
‑
Si层)会因此而出现稳定性变差，性能退化(如迁移率降低，开态电流小)等问题，进而造成整个显示系统的显示品质降低，使用寿命缩短。因此，当在显示基板上实现Mini LED/Micro LED芯片小间距、高密度应用时，快速的散热就成了mini/Micro LED芯片工作稳定及显示装置使用寿命延长的一个重要影响因素。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种显示基板、显示模组和显示装置；旨在解决设置微发光二极管的显示面板因导热性不好影响显示品质和使用寿命的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；
[0006]驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述衬底基板上，包括多个驱动电路；
[0007]多个微发光二极管芯片；所述微发光二极管芯片位于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述微发光二极管芯片与对应的所述驱动电路电连接；
[0008]半导体制冷模块，所述制冷模块设置在所述衬底基板上，与所述驱动电路、所述微发光二极管芯片电性绝缘；所述半导体制冷模块用于对所显示基板进行降温。。
[0009]第二方面，本专利技术实施例还提供一种显示模组，包括如第一方面所述的显示基板及显示面板，所述显示面板设置在所述显示基板的出光面一侧。
[0010]第三方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括如第二方面所述的任一项显示模组。
[0011]本专利技术实施例通过将半导体制冷模块集成设置在显示基板中，用于对微发光二极管芯片工作过程中产生的热量快速疏导，相较于现有设计中的金属薄膜热传递散热方式，由于半导体薄膜制冷经由输入电流的进行控制，能够实现更高效、更高精度的温度控制。此
外，由于显示基板中微发光二极管芯片的驱动电路结构本身包括半导体结构，当将半导体制冷模块集成在显示基板中时，可以复用驱动电路本身的半导体结构的制作工艺或流程，在不增加显示基板新的制程工艺步骤基础上实现良好的散热效果。
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0013]图1为本专利技术实施例提供的一种显示基板的俯视示意图；
[0014]图2为图1所示显示基板的一种侧视结构示意图；
[0015]图3是本专利技术实施例提供的一种半导体制冷器件的结构示意图；
[0016]图4是图3沿AA
’
向所示的第一N型半导体的截面结构示意图；
[0017]图5是图3沿BB
’
向所示的第一P型半导体的截面结构示意图；
[0018]图6是图2沿MM
’
向所示的一种局部截面结构示意图；
[0019]图7是图2沿MM
’
向所示的又一种局部截面结构示意图；
[0020]图8为图1所示显示基板的又一种侧视结构示意图；；
[0021]图9是图8沿QQ
’
向所示的一种局部截面结构示意图；
[0022]图10为图1所示显示基板的再一种侧视示意图；
[0023]图11是图10沿PP
’
向所示的一种局部截面结构示意图；
[0024]图12为本专利技术实施例提供的一种显示模组的截面示意图；
[0025]图13为本专利技术实施例提供的一种显示装置的俯视示意图。
【具体实施方式】
[0026]为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。
[0027]应当明确，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0029]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0030]本说明书的描述中，需要理解的是，本专利技术权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。
[0031]本专利技术实施例提供了一种显示基板100，参考图1、图2、图3和图4，图1为本专利技术实施例提供的一种显示基板的俯视示意图；图2为图1所示显示基板的一种侧视结构示意图；
图3是本专利技术实施例提供的一种半导体制冷器件的结构示意图；图4是图3沿AA
’
向所示的第一N型半导体的截面结构示意图；图5是图3沿BB
’
向所示的第一P型半导体的截面结构示意图；图6是图2沿MM
’
向所示的一种局部截面结构示意图；如图1～图6所示，显示基板100包括：衬底基板11；驱动电路层12，驱动电路层12设置在衬底基板11上，包括多个驱动电路30；多个微发光二极管芯片40；微发光二极管芯片40本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；驱动电路层，所述驱动电路层设置在所述衬底基板上，包括多个驱动电路；多个微发光二极管芯片；所述微发光二极管芯片位于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧，所述微发光二极管芯片与对应的所述驱动电路电连接；半导体制冷模块，所述半导体制冷模块设置在所述衬底基板上，与所述驱动电路、所述微发光二极管芯片电性绝缘；所述半导体制冷模块用于对所显示基板进行降温。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，包括：所述半导体制冷模块包括多个PN结，多个所述PN交错串联结；所述PN结包括第一P型半导体、第一N型半导体和连接导线，所述连接导线的一端与所述第一P型半导体的一端电连接，所述连接导线的另一端与所述第一N型半导体的一端电连接；多个串联的所述PN结的首尾两端的所述第一N型半导体的另一端、所述第一P型半导体的另一端分别通过电流回路与直流电源的阳极和阴极电连接。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述半导体制冷模块包括冷端和热端，所述冷端和所述热端分别与温控模块连接，所述温控模块设置在所述电流回路上。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述热端与散热结构搭接，所述散热结构与所述温控模块电连接。5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路包括多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述微发光二极管芯片电连接；所述第一薄膜晶体管包括有源层、栅极层、源漏极层以及任意两金属膜层之间的绝缘层；所述有源层包括第二P型半导体和第二N型半导体，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖仁瑞，郭裕隆，付恒野，
申请(专利权)人：赫曼半导体技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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