【技术实现步骤摘要】
组合XRF分析装置
[0001]本公开涉及X射线分析技术,更具体地,涉及可应用不同X射线荧光(XRF)分析技术的组合XRF分析装置。
技术介绍
[0002]X射线荧光(XRF)光谱仪和分析方法被广泛用于众多领域如半导体工业中,以通过例如痕量元素测量、元素成分测量、薄膜厚度测量等,来进行材料表征。XRF技术使用X射线或伽马射线等作为源来激发内轨道电子,从而获得关注元素的荧光信号。通过分析被激发的荧光信号,可以获得材料特性。
技术实现思路
[0003]本公开的目的至少部分地在于提供一种可应用不同X射线荧光(XRF)分析技术的组合XRF分析装置。
[0004]根据本公开的一个方面,提供了一种组合X射线荧光(XRF)分析装置,包括:射线发射通道,包括射线源;能量色散XRF(EDXRF)探测通道,包括EDXRF探测器,EDXRF探测器被配置为探测对象被来自射线发射通道的射线照射而发出的荧光中一定能量范围内不同能量处的荧光;以及波长色散XRF(WDXRF)探测通道,包括WDXRF探测器,WDXRF探测器被配置为探 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种组合X射线荧光即XRF分析装置,包括:射线发射通道,包括射线源;能量色散XRF即EDXRF探测通道,包括EDXRF探测器,所述EDXRF探测器被配置为探测对象被来自所述射线发射通道的射线照射而发出的荧光中一定能量范围内不同能量处的荧光;以及波长色散XRF即WDXRF探测通道,包括WDXRF探测器,所述WDXRF探测器被配置为探测所述对象被来自所述射线发射通道的射线照射而发出的荧光中一个或多个特定波长处的荧光。2.根据权利要求1所述的XRF分析装置,其中,所述射线发射通道、所述EDXRF探测通道和所述WDXRF探测通道分别设于正对所述对象的第一光学通道以及相对于所述对象倾斜设置的多个第二光学通道之中的不同光学通道中。3.根据权利要求2所述的XRF分析装置,其中,所述射线发射通道设于所述第一光学通道中,所述EDXRF探测通道和所述WDXRF探测通道分别设于不同的所述第二光学通道中。4.根据权利要求2所述的XRF分析装置,其中,所述射线发射通道设于所述多个第二光学通道之一中,所述EDXRF探测通道和所述WDXRF探测通道分别设于所述第一光学通道以及所述多个第二光学通道中其他的第二光学通道之中的不同光学通道中。5.根据权利要求1所述的XRF分析装置,其中,所述射线发射通道包括多个射线源,所述多个射线源中的两个或更多个被配置为均产生相应的射线,以照射所述对象。6.根据权利要求1所述的XRF分析装置,包括多个所述射线发射通道,所述多个射线发射通道中的两个或更多个射线发射通道被配置为均发射相应的射线,以照射所述对象。7.根据权利要求1所述的XRF分析装置,其中,所述WDXRF探测通道包括以下至少之一:平坦型分光晶体WDXRF探测通道,包括:准直器件,被配置为准直来自所述对象的荧光,准直后的荧光入...
【专利技术属性】
技术研发人员:张雪娜,洪峰,王翠焕,
申请(专利权)人:深圳市埃芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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