掩模组和有机器件制造技术

本实用新型专利技术涉及掩模组和有机器件。掩模组可以具备2个以上的掩模。在利用沿着法线方向的截面观察时，区域划定直线可以定义为通过贯通孔的连接部且与第1面形成角度θ的直线。区域划定直线可以与第1面在第1交点处相交。可以在较第1交点更靠近贯通孔的内侧处划定有效区域，在较第1交点更靠近贯通孔的外侧处划定周围区域。角度θ可以为35

【技术实现步骤摘要】
掩模组和有机器件


[0001]本技术的实施方式涉及掩模组和有机器件。

技术介绍

[0002]近年来，在智能手机、平板电脑等电子器件中，市场上要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。
[0003]由于具有良好的响应性和/或低功耗，因此有机EL显示装置受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。
[0004]阴极有时通过使用多个掩模的蒸镀法形成。这种情况下，利用各掩模形成构成阴极的层，形成相互相邻的层彼此重叠电极重叠区域。由此，各层被电连接。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2019
‑
060028号公报
[0008]专利文献2：日本特开2005
‑
183153号公报

技术实现思路

[0009]技术所要解决的课题
[0010]若阴极的电极重叠区域的厚度变厚，则光的透射率降低。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本技术的一个实施方式的掩模组可以具备2个以上的掩模。上述掩模可以具备遮蔽区域和贯通孔。2个以上的上述掩模重叠而成的掩模层积体可以具备在沿着上述掩模的法线方向观察时与上述贯通孔重叠的贯通区域。在沿着上述掩模的法线方向观察时，上述掩模层积体可以具备：包含具有第1开口率的上述贯通区域的掩模第1区域；和包含具有小于上述第1开口率的第2开口率的上述贯通区域的掩模第2区域。上述掩模可以包含第1面和位于与上述第1面相反一侧的第2面。上述贯通孔可以包含位于上述第1面侧的第1凹部、位于上述第2面侧的第2凹部、和连接上述第1凹部与上述第2凹部的连接部。在利用沿着上述法线方向的截面观察时，区域划定直线可以定义为通过上述连接部且与上述第1面形成角度θ的直线。上述区域划定直线可以与上述第1面在第1交点处相交。可以在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的内侧处划定有效区域，在较上述第1交点更靠近上述贯通孔的外侧处划定周围区域。上述角度θ可以为35
°
以上70
°
以下。上述掩模第2区域中的上述贯通区域可以包含2个上述掩模的上述贯通孔重叠的孔重叠区域。上述孔重叠区域可以包含上述掩模层积体所包含的2个上述掩模的上述贯通孔的上述周围区域重叠的第1孔重叠区域。
[0013]技术的效果
[0014]根据本技术的一个实施方式，能够提高光的透射率。
附图说明
[0015]图1是示出本技术的一个实施方式的有机器件的一例的俯视图。
[0016]图2是示出有机器件的第2显示区域的俯视图。
[0017]图3是示出有机器件的第2电极的俯视图。
[0018]图4是示出从图3所示的有机器件去除了第2电极后的状态的俯视图。
[0019]图5是示意性地沿着图3所示的有机器件的A
‑
A线的截面图。
[0020]图6是示意性地沿着图3所示的有机器件的B
‑
B线的截面图。
[0021]图7是示出图3所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
[0022]图8是示出图7所示的电极重叠区域的截面图。
[0023]图9是示出电极重叠区域的比较例的截面图。
[0024]图10是示出具备掩模装置的蒸镀装置的一例的图。
[0025]图11是示出掩模装置的一例的俯视图。
[0026]图12是示出掩模装置的掩模的俯视图。
[0027]图13A是示出第1掩模装置的俯视图。
[0028]图13B是示出第2掩模装置的俯视图。
[0029]图13C是示出第3掩模装置的图。
[0030]图14是示出掩模的截面结构的一例的截面图。
[0031]图15是示出贯通孔的有效区域和周围区域的截面图。
[0032]图16是示出用于形成图3所示的第2电极的第1掩模的一例的俯视图。
[0033]图17是示出用于形成图3所示的第2电极的第2掩模的一例的俯视图。
[0034]图18是示出用于形成图3所示的第2电极的第3掩模的一例的俯视图。
[0035]图19是示出用于形成图3所示的第2电极的掩模层积体的一例的俯视图。
[0036]图20是示出图19所示的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
[0037]图21是示出图20所示的孔重叠区域的截面图。
[0038]图22是示出图3所示的第2电极的变形例的俯视图。
[0039]图23是示出图22所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
[0040]图24是示出图23所示的电极重叠区域的截面图。
[0041]图25是示出用于形成图22所示的第2电极的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
[0042]图26是示出图25所示的孔重叠区域的截面图。
[0043]图27是示出图15所示的贯通孔的有效区域和周围区域的变形例的截面图。
[0044]图28是示出图3所示的第2电极的变形例的俯视图。
[0045]图29是示出图28所示的第2电极的电极重叠区域的俯视图。
[0046]图30是示出用于形成图28所示的第2电极的第1掩模的一例的俯视图。
[0047]图31是示出用于形成图28所示的第2电极的第2掩模的一例的俯视图。
[0048]图32是示出用于形成图28所示的第2电极的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
[0049]图33是示出图32所示的掩模层积体的孔重叠区域的俯视图。
具体实施方式
[0050]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
[0051]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
[0052]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。
[0053]在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模组，其特征在于，其具备2个以上的掩模，所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，2个以上的所述掩模重叠而成的掩模层积体具备在沿着所述掩模的法线方向观察时与所述贯通孔重叠的贯通区域，在沿着所述掩模的法线方向观察时，所述掩模层积体具备：包含具有第1开口率的所述贯通区域的掩模第1区域；和包含具有小于所述第1开口率的第2开口率的所述贯通区域的掩模第2区域，所述掩模包含第1面和位于与所述第1面相反一侧的第2面，所述贯通孔包含：位于所述第1面侧的第1凹部、位于所述第2面侧的第2凹部、和连接所述第1凹部与所述第2凹部的连接部，在利用沿着所述法线方向的截面观察时，区域划定直线定义为通过所述连接部且与所述第1面形成角度θ的直线，所述区域划定直线与所述第1面在第1交点处相交，在较所述第1交点更靠近所述贯通孔的内侧处划定有效区域，在较所述第1交点更靠近所述贯通孔的外侧处划定周围区域，所述角度θ为35
°
以上70
°
以下，所述掩模第2区域中的所述贯通区域包含2个所述掩模的所述贯通孔重叠的孔重叠区域，所述孔重叠区域包含所述掩模层积体所包含的2个所述掩模的所述贯通孔的所述周围区域重叠的第1孔重叠区域。2.如权利要求1所述的掩模组，其特征在于，所述第1孔重叠区域与所述掩模的所述贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村友祐，宫谷勋，西村直起，矢野宏志，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：新型
国别省市：