一种减小Mask形变的支撑掩膜版、掩膜版制造技术

本实用新型专利技术公开了一种减小Mask形变的支撑掩膜版、掩膜版，包括支撑掩膜版本体，所述支撑掩膜版本体包括开口区及夹持区，所述夹持区围绕所述开口区布设，所述开口区内设置有多个掩膜开口，所述掩膜开口具有与对应的预设掩膜开口位置在偏移和/或形状上的偏移量，以使在四边张网拉伸的拉力减少时所述掩膜开口位于对应的预设掩膜开口位置。本申请通过形成异性的掩膜开口，在张网减小四周拉力后，在满足平坦度要求的同时使得杨末班框体翘曲量减小，同时减小一体化支撑掩膜版整体垂直度变化的可能性。能性。能性。

【技术实现步骤摘要】
一种减小Mask形变的支撑掩膜版、掩膜版


[0001]本技术涉及掩膜版
，具体涉及一种减小Mask形变的支撑掩膜版、掩膜版。

技术介绍

[0002]在生产OLED显示屏的过程中，多层金属材料、无机材料或有机材料需采用蒸镀的方式逐层沉积到玻璃基版上。在蒸镀制程中，金属掩膜版被用来遮挡待蒸镀的玻璃基版以形成特定图案，金属掩膜版可以包括高精度的精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，缩写：FMM)。在蒸镀前，需要使用张网设备将网格状的CMM或多张条状的FMM对位并焊接到金属掩膜版框架上，这种工艺被称为张网工艺。在张网过程中，为了保证各发光层能够被蒸镀在玻璃基版正确的位置上，张网过程中需要对FMM的每个端部施加一定的拉力并使得其上的每一个标记点都对位到需求的精度规格内，然后将其焊接到掩膜框架上。
[0003]然而金属掩膜版的本身材质制作不均匀和张网机张网拉力减少等因素都会导致掩膜版上的内部特定图案发生畸变或者相对位置发生变化，也就会导致蒸镀不良率大大提升。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种减小Mask形变的支撑掩膜版、掩膜版，通过形成异性的掩膜开口，在张网减小四周拉力后，在满足平坦度要求的同时使得杨末班框体翘曲量减小，同时减小一体化支撑掩膜版整体垂直度变化的可能性。
[0005]一种减小Mask形变的支撑掩膜版，包括支撑掩膜版本体，所述支撑掩膜版本体包括开口区及夹持区，所述夹持区围绕所述开口区布设，所述开口区内设置有多个掩膜开口，所述掩膜开口具有与对应的预设掩膜开口位置在偏移和/或形状上的偏移量，以使在四边张网拉伸的拉力减少时所述掩膜开口位于对应的预设掩膜开口位置。
[0006]进一步地，当所述掩膜版长度的方向为第一方向，垂直于所述第一方向的方向为第二方向时，所述多个掩膜开口沿所述第一方向和所述第二方向均匀排列，且至少部分掩膜开口的偏移量不相同。
[0007]进一步地，所述掩膜开口为矩形，所述掩膜开口的偏移量包括以下偏移量的至少一种：旋转补偿量、卷翘偏移量、平移偏移量，其中：
[0008]所述旋转补偿量，被配置为掩膜开口的相对两短边分别与对应的预设掩膜开口的相对两短边的旋转角度Z1，以及趋向于各自对应偏移的方向相反的旋转方向；
[0009]卷翘补偿量，被配置为掩膜开口的相对两长边卷翘的弧度Z2，以及趋向于各自对应偏移的方向相反的卷翘方向；
[0010]平移补偿量，被配置为整个掩膜开口的基准点M与对应的预设掩膜开口的基准点在拉力方向上的距离L。
[0011]进一步地，所述开口区为矩形，掩膜开口在矩形的掩膜开口区中呈阵列分布，所述
开口区包括四个子开口区A1、A2、A3、A4，每个子开口区的掩膜开口的偏移量满足：远离中心处越远，旋转角度Z1越大，弧度Z2越长，长度L越大。
[0012]进一步地，所述子开口区A1中对应于开口处右上边角处的掩膜开口AA1在第一方向上具有相对的两个第一变形边缘，所述第一变形边缘为向上卷翘的弧形，所述子开口区A1中对应于开口处右上边角处的掩膜开口AA1在第二方向上具有相对的两个第二变形边缘，所述第二变形边缘为分别围绕基准点M、M2顺时针旋转一定角度的直线。
[0013]进一步地，所述开口区中心区域处的掩膜开口与对应的预设掩膜开口位置在第一方向上具有第一方向平移偏移量的距离L1，和/或与对应的预设掩膜开口位置在第二方向上具有第二方向平移偏移量的距离L2。
[0014]进一步地，所述掩膜开口为轮廓形状为V型。
[0015]一种减小Mask形变的掩膜版，包括支撑掩膜版本体和掩膜框体，所述支撑掩膜版本体经过拉伸后夹持区安装于所述掩膜框体上两个相对侧边。
[0016]本技术具有的有益效果：
[0017]1、在张网过程中减小四周拉力后，在满足平坦度要求的同时使得掩膜版框架曲量减小，同时减小一体化支撑掩膜版整体垂直度变化的可能性；
[0018]2、通过对支撑掩膜版进行张网拉伸实验，获取张网拉伸模拟位移数据，并根据张网拉伸模拟位移数据计算支撑掩膜版张网拉伸后的掩膜开口的偏移量，根据掩膜开口的偏移量和对应的预设掩膜开口位置在支撑掩膜版上形成掩膜开口，使得支撑掩膜版经过张网拉伸后，掩膜开口位于对应的预设掩膜开口位置。本专利技术实施例在支撑掩膜版的制作过程中，对掩膜开口在张网拉伸过程中出现的偏移量进行预补偿，保证在张网拉伸后，掩膜开口的较高位置精度，进而保证通过支撑掩膜版蒸镀的像素的较高位置精度，避免因为像素精度降低引起的彩斑、色偏等显示异常问题。
附图说明
[0019]图1为本技术的理想状态下无形变的掩膜版结构示意图；
[0020]图2为本技术的支撑掩膜版结构示意图；
[0021]图3为本技术的掩膜开口AA1结构示意图；
[0022]图4为本技术的V型掩膜开口结构示意图；
[0023]图5为本技术的四边形掩膜开口结构示意图；
[0024]图6为本技术的子开口区结构示意图；
[0025]附图标记：1
‑
支撑掩膜版本体，2
‑
开口区，3
‑
夹持区，4
‑
掩膜开口，5
‑
V型掩膜开口，6
‑
四边形掩膜开口，7
‑
理想支撑掩膜版，8
‑
预设掩膜开口位置。
具体实施方式
[0026]下面结合实施例及附图，对本技术作进一步的详细说明，但本技术的实施方式不限于此。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖向”、“纵向”、“侧向”、“水平”、“内”、“外”、“前”、“后”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置
关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“开有”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]实施例1
[0030]一种减小Mask形变的支撑掩膜版，所述支撑掩膜版本体1包括开口区2及夹持区3，所述夹持区3围绕所述开口区2布设，所述开口区2内设置有多个掩膜开口4，所述掩膜开口4具有与对应的预设掩膜开口位置8在偏移和/或形状上的偏移量，以使在张网拉伸后所述掩膜开口4位于对应的预设掩膜开口位置8。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减小Mask形变的支撑掩膜版，其特征在于，包括支撑掩膜版本体(1)，所述支撑掩膜版本体(1)包括开口区(2)及夹持区(3)，所述夹持区(3)围绕所述开口区(2)布设，所述开口区(2)内设置有多个掩膜开口(4)，所述掩膜开口(4)具有与对应的预设掩膜开口位置(8)在偏移和/或形状上的偏移量，以使在四边张网拉伸的拉力减少时所述掩膜开口(4)位于对应的预设掩膜开口位置(8)。2.根据权利要求1所述的一种减小Mask形变的支撑掩膜版，其特征在于，当所述掩膜版长度的方向为第一方向，垂直于所述第一方向的方向为第二方向时，所述多个掩膜开口(4)沿所述第一方向和所述第二方向均匀排列，且至少部分掩膜开口(4)的偏移量不相同。3.根据权利要求2所述的一种减小Mask形变的支撑掩膜版，其特征在于，所述掩膜开口(4)为矩形，所述掩膜开口(4)的偏移量包括以下偏移量的至少一种：旋转补偿量、卷翘偏移量、平移偏移量，其中：所述旋转补偿量，被配置为掩膜开口(4)的相对两短边分别与对应的预设掩膜开口(4)的相对两短边的旋转角度Z1，以及趋向于各自对应偏移的方向相反的旋转方向；卷翘补偿量，被配置为掩膜开口(4)的相对两长边卷翘的弧度Z2，以及趋向于各自对应偏移的方向相反的卷翘方向；平移补偿量，被配置为整个掩膜开口(4)的基准点M与对应的预设掩膜开口(4)的基准点M
’
在拉力方向上的距离L。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄世雄，谢涛峰，胡明，郑庆靓，李胤粹，李哲，周俊吉，王鑫，
申请(专利权)人：绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：