【技术实现步骤摘要】
晶粒高速定位方法
[0001]本申请涉及有关一种晶粒定位方法，特别涉及一种通过负压小范围固定及移动主要目标区块以使目标晶粒至定点的晶粒高速定位方法
技术介绍
[0002]集成电路通过大批方式，经过多道程序，制作在半导体晶圆上，晶圆进一步分割成多个晶粒。换句话说，晶粒是以半导体材料制作而成未经封装的一小块集成电路本体。分割好的多个晶粒整齐贴附在一承载膜上，接着一承载框负责运送承载膜至一基板的上方，然后通过至少一顶推件将承载膜的主要目标区块内的至少一目标晶粒转移至基板的至少一晶粒放置区，有利于进行后续加工程序。
[0003]在晶粒转移的过程中，因为顶推件的水平位置是固定的，所以必须移动整块承载膜，令目标晶粒的一轴线与晶粒放置区的一轴线对齐，然后顶推件通过承载膜推动目标晶粒往靠近基板的方向移动，直至目标晶粒转移至晶粒放置区。
[0004]然而，公知技术具有以下数种问题：其一，移动整块承载膜所需移动的质量相当大，移动速度十分缓慢；其二，目标晶粒的轴线难以与晶粒放置区的轴线对齐而有些许偏差，导致目标晶粒难以完全位于晶粒放置区中，进而影响到后续加工程序；其三，一旦有些晶粒排列参差不齐，上述两种问题会变得更严重。
技术实现思路
[0005]本申请实施例要达到的技术目的是提供一种晶粒高速定位方法，能够先通过负压小范围固定主要目标区块的周围，再通过负压移动主要目标区块，使得目标晶粒的轴线能够精准地对齐晶粒放置区的轴线，无须移动整块承载膜，大幅减少了补偿位置时承载膜所需移动的质量，加快了移动速度。>[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种晶粒高速定位方法，包括下列步骤：
[0007]准备步骤，一承载膜的一第一表面朝向一吸附装置及至少一顶推件，承载膜的一第二表面朝向一基板并且具有多个晶粒，承载膜依据所述多个晶粒的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块，其余区块界定为其他目标区块，主要目标区块内的多个晶粒的至少一者界定为至少一目标晶粒，基板具有至少一晶粒放置区，吸附装置对准主要目标区块的周围，至少一目标晶粒的一轴线与至少一晶粒放置区的一轴线错开。
[0008]固定步骤，吸附装置移动至主要目标区块的周围并且通过一负压吸附主要目标区块的周围，至少一顶推件移动至主要目标区块。
[0009]位置调整步骤，吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至至少一目标晶粒的轴线与至少一晶粒放置区的轴线对齐，吸附装置停止移动。
[0010]转移步骤，至少一顶推件通过承载膜推动至少一目标晶粒往靠近基板的方向移动，直至至少一目标晶粒转移至至少一晶粒放置区。
[0011]在一些实施例中，在准备步骤中，承载膜的第一表面朝向一顶推件，主要目标区块内的多个晶粒的其中一个界定为一目标晶粒，基板具有一晶粒放置区，目标晶粒的轴线与晶粒放置区的轴线错开；其中，在固定步骤中，顶推件移动至主要目标区块；其中，在位置调整步骤中，吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至目标晶粒的轴线与晶粒放置区的轴线对齐；以及其中，在转移步骤中，顶推件通过承载膜推动目标晶粒往靠近基板的方向移动，直至目标晶粒转移至晶粒放置区。
[0012]较佳地，在准备步骤中，主要目标区块内的多个晶粒排列整齐或参差不齐。
[0013]具体地，如上所述的晶粒高速定位方法，在准备步骤中，承载膜的第一表面朝向多个顶推件，主要目标区块内的多个晶粒排列整齐，主要目标区块内的多个晶粒界定为多个目标晶粒，基板具有多个晶粒放置区，所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线错开；其中，在固定步骤中，所述多个顶推件移动至主要目标区块；以及其中，在位置调整步骤中，吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线对齐。
[0014]优选地，如上所述的晶粒高速定位方法，，在转移步骤中，所述多个顶推件分别通过承载膜推动所述多个目标晶粒往靠近基板的方向移动，直至所述多个目标晶粒依序或一起转移至所述多个晶粒放置区。
[0015]具体地，如上所述的晶粒高速定位方法，，在准备步骤中，承载膜的第一表面朝向多个顶推件，主要目标区块内的多个晶粒排列参差不齐，主要目标区块内的多个晶粒界定为多个目标晶粒，基板具有多个晶粒放置区，所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线错开；其中，在固定步骤中，所述多个顶推件移动至主要目标区块；其中，在位置调整步骤中，吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至所述多个目标晶粒的其中一个的轴线与所述多个晶粒放置区的其中一个的轴线对齐；其中，在转移步骤中，所述多个顶推件的其中一个通过承载膜推动所述多个目标晶粒的其中一个往靠近基板的方向移动，直至所述多个目标晶粒的其中一个转移至所述多个晶粒放置区的其中一个；以及其中，反复进行位置调整步骤和转移步骤，直至所述多个目标晶粒依序转移至所述多个晶粒放置区。
[0016]进一步的，如上所述的晶粒高速定位方法，，在固定步骤中，一影像捕获装置采集至少一目标晶粒、至少一顶推件和至少一晶粒放置区的一影像，以获得一第一影像信息，并且将第一影像信息发送至一控制装置，控制装置根据第一影像信息判断出至少一目标晶粒的轴线与至少一晶粒放置区的轴线之间的一间距及一方位，以获得一调整信息；以及其中，在位置调整步骤中，控制装置根据调整信息控制吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至至少一目标晶粒的轴线与至少一晶粒放置区的轴线对齐，控制装置控制吸附装置停止移动，并且进一步开始执行转移步骤，使得控制装置进一步控制至少一顶推件往承载膜的方向移动。
[0017]优选地，如上所述的晶粒高速定位方法，在位置调整步骤中，在主要目标区块内的多个晶粒沿着承载膜的第二表面移动的过程中，影像捕获装置采集至少一目标晶粒、至少一顶推件和至少一晶粒放置区的一影像，以获得一第二影像信息，并且将第二影像信息发送至控制装置，控制装置根据第二影像信息判断出至少一目标晶粒的轴线是否与至少一晶粒放置区的轴线对齐；其中，当控制装置根据第二影像信息判断出至少一目标晶粒的轴线
与至少一晶粒放置区的轴线对齐时，控制装置控制吸附装置停止移动，并且进一步开始执行转移步骤，使得控制装置进一步控制至少一顶推件往承载膜的方向移动；以及其中，当控制装置根据第二影像信息判断出至少一目标晶粒的轴线尚未与至少一晶粒放置区的轴线对齐时，控制装置根据第二影像信息判断出至少一目标晶粒的轴线与至少一晶粒放置区的轴线之间的一间距及一方位，以获得一校正信息，控制装置根据校正信息控制吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至至少一目标晶粒的轴线与至少一晶粒放置区的轴线对齐，控制装置控制吸附装置停止移动，并且进一步开始执行转移步骤，使得控制装置进一步控制至少一顶推件往承载膜的方向移动。
[0018]优选地，如上所述的晶粒高速定位方法，在准备步骤中，至少一顶推件的一轴线对准至少一晶粒放置区的轴线；以及其中，在位置调整步骤中，吸附装置通过负压移动主要目标区块，直至至少一目标晶粒的轴本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶粒高速定位方法，其特征在于，包括下列步骤：准备步骤，一承载膜的一第一表面朝向一吸附装置及至少一顶推件，所述承载膜的一第二表面朝向一基板并且具有多个晶粒，所述承载膜依据所述多个晶粒的数量区隔成多个区块，其中一个区块界定为一主要目标区块，其余区块界定为其他目标区块，所述主要目标区块内的多个晶粒中的至少一个界定为至少一目标晶粒，所述基板具有至少一晶粒放置区，所述吸附装置对准所述主要目标区块的周围，所述至少一目标晶粒的一轴线与所述至少一晶粒放置区的一轴线错开；固定步骤，所述吸附装置移动至所述主要目标区块的周围并且通过一负压吸附所述主要目标区块的周围，所述至少一顶推件移动至所述主要目标区块；位置调整步骤，所述吸附装置通过所述负压移动所述主要目标区块，直至所述至少一目标晶粒的所述轴线与所述至少一晶粒放置区的所述轴线对齐，所述吸附装置停止移动；以及转移步骤，所述至少一顶推件通过所述承载膜推动所述至少一目标晶粒往靠近所述基板的方向移动，直至所述至少一目标晶粒转移至所述至少一晶粒放置区。2.如权利要求1所述的晶粒高速定位方法，其特征在于，在所述准备步骤中，所述承载膜的所述第一表面朝向一顶推件，所述主要目标区块内的多个晶粒的其中一个界定为一目标晶粒，所述基板具有一晶粒放置区，所述目标晶粒的所述轴线与所述晶粒放置区的所述轴线错开；其中，在所述固定步骤中，所述顶推件移动至所述主要目标区块；其中，在所述位置调整步骤中，所述吸附装置通过所述负压移动所述主要目标区块，直至所述目标晶粒的所述轴线与所述晶粒放置区的所述轴线对齐；以及其中，在所述转移步骤中，所述顶推件通过所述承载膜推动所述目标晶粒往靠近所述基板的方向移动，直至所述目标晶粒转移至所述晶粒放置区。3.如权利要求2所述的晶粒高速定位方法，其特征在于，在所述准备步骤中，所述主要目标区块内的多个晶粒排列整齐或参差不齐。4.如权利要求1所述的晶粒高速定位方法，其特征在于，在所述准备步骤中，所述承载膜的所述第一表面朝向多个顶推件，所述主要目标区块内的多个晶粒排列整齐，所述主要目标区块内的多个晶粒界定为多个目标晶粒，所述基板具有多个晶粒放置区，所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线错开；其中，在所述固定步骤中，所述多个顶推件移动至所述主要目标区块；以及其中，在所述位置调整步骤中，所述吸附装置通过所述负压移动所述主要目标区块，直至所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线对齐。5.如权利要求4所述的晶粒高速定位方法，其特征在于，在所述转移步骤中，所述多个顶推件分别依序或一起通过所述承载膜推动所述多个目标晶粒往靠近所述基板的方向移动，直至所述多个目标晶粒依序或一起转移至所述多个晶粒放置区。6.如权利要求1所述的晶粒高速定位方法，其特征在于，在所述准备步骤中，所述承载膜的所述第一表面朝向多个顶推件，所述主要目标区块内的多个晶粒排列参差不齐，所述主要目标区块内的多个晶粒界定为多个目标晶粒，所述基板具有多个晶粒放置区，所述多个目标晶粒的所述多个轴线分别与所述多个晶粒放置区的所述多个轴线错开；其中，在所述固定步骤中，所述多个顶推件移动至所述主要目标区块；其中，在所述位置调整步骤中，
所述吸附装置通过所述负压移动所述主要目标区块，直至所述多个目标晶粒的其中一个的所述轴线与所述多个晶粒放置区的其中一个的所述轴线对齐；其中，在所述转移步骤中，所述多个顶推件的其中一个通过所述承载...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦豪，
申请(专利权)人：梭特科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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