包括用于半导体制造工具的基座板的基座和用于定位基座板的方法技术

一种用于在半导体制造室内的基座上布置衬底处理工具的方法包括将多个基座板支撑在包含多个支柱的基座框架上。所述方法还包括：确定所述基座板的尺寸；根据所述衬底处理工具的部件确定所述基座板的安装特征的位置；根据所确定的所述位置加工所述基座板中的所述安装特征；标记所述基座板中的具有至少一个对准特征的至少一个基座板；以及将所述基座框架安装在所述半导体制造室的底层地板上。所述基座框架的所述支柱被定位成使得所述基座框架在所述底层地板上的重量分布与所述衬底处理工具的重量分布不同。具的重量分布不同。具的重量分布不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括用于半导体制造工具的基座板的基座和用于定位基座板的方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年3月2日申请的美国临时申请No.62/984,122的权益。上述引用的申请的全部公开内容都通过引用合并于此。


[0002]本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及用于半导体处理工具的基座。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于处理衬底，例如半导体晶片。可以在衬底上执行的示例性工艺包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，例如基座、静电卡盘(ESC)等上。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室中，并且可以使用等离子体来引发化学反应。

技术实现思路

[0005]一种用于在半导体制造室内的基座上布置衬底处理工具的方法包括将多个基座板支撑在包含多个支柱的基座框架上。所述方法还包括：确定所述基座板的尺寸；根据所述衬底处理工具的部件确定所述基座板的安装特征的位置；根据所确定的所述位置加工所述基座板中的所述安装特征；标记所述基座板中的具有至少一个对准特征的至少一个基座板；以及将所述基座框架安装在所述半导体制造室的底层地板上。所述基座框架的所述支柱被定位成使得所述基座框架在所述底层地板上的重量分布与所述衬底处理工具的重量分布不同。所述方法还包括根据所述基座板中的所述安装特征和所述至少一个对准特征将所述基座板安装在所述基座框架上。
[0006]在其他特征中，所述方法还包括将所述衬底处理工具安装在所述基座板上。所述基座的总占地面积大于所述衬底处理工具的总占地面积。所述安装特征包括用于所述衬底处理工具的所述部件的检修孔和用于所述基座板的安装位置中的至少一者。所述至少一个对准特征包括所述基座板的轴。
[0007]在其他特征中，所述方法还包括生成指示所述安装特征的位置的安装模板并且使用所述安装模板在所述基座板上加工所述安装特征。所述安装模板是指示所述安装特征的所述位置的透明片(a transparent sheet)。安装所述基座板包括：安装所述基座板中的具有所述至少一个对准特征的所述至少一个基座板；以及基于所述至少一个对准特征安装所述基座板中的其余基座板。所述方法还包括使用架空运输系统将所述至少一个基座板用所
述至少一个对准特征定位。所述方法还包括在所述基座板上安装多个所述衬底处理工具。
[0008]一种用于在半导体制造室的底层地板上方支撑衬底处理工具的基座包括：包括多个支柱的基座框架；和被支撑在所述基座框架上的多个基座板。所述多个基座板的总占地面积大于所述衬底处理工具的总占地面积，所述基座板中的每一个包括根据所述衬底处理工具的部件定位的安装特征，所述基座板中的至少一个包括至少一个对准特征，以及所述支柱被定位成使得所述基座框架在所述底层地板上的重量分布不同于所述衬底处理工具的重量分布。
[0009]在其他特征中，一种系统包括所述基座，并且还包括支撑在所述基座上的所述衬底处理工具。所述系统还包括被支撑在所述基座上的多个所述衬底处理工具。所述安装特征包括用于所述衬底处理工具的所述部件的检修孔和用于所述基座板的安装位置中的至少一者。所述至少一个对准特征包括所述基座板的轴。
[0010]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0011]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0012]图1是包括示例滑动和枢轴组件的两个工具的一部分的透视图；
[0013]图2是图1的工具之一的一部分的俯视图；
[0014]图3是图1的工具之一的一部分的侧视图；
[0015]图4A是包括滑动和枢轴组件的衬底处理站的示例的俯视图；
[0016]图4B是衬底支撑件的示例的简化横截面；
[0017]图5是示出根据本公开的用于支撑在基座框架上方的衬底处理工具的基座的局部侧截面图；
[0018]图6是示出衬底处理工具的设备服务区域的检修孔图案和/或安装图案的俯视图。
[0019]图7是示出根据本公开的支撑衬底处理工具的多个基座板的俯视图。
[0020]图8是根据本公开的具有重叠部分和对准孔和/或其他标记的相邻透明片的平面图；以及
[0021]图9是根据本公开的用于在制造室中对准衬底处理工具的方法的示例的流程图。
[0022]在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
[0023]半导体制造(fab)室可以包括多个工具，每个工具包括多个衬底处理站(以下称为“站”)。每个站可以被配置为执行导体蚀刻工艺、电介质蚀刻工艺或其他衬底处理。制造室内的空间是有限的，因此可用于访问每个工具以在站上执行维修和/或维护的空间量是有限的。工具的站可以以星形图案或线性图案布置。
[0024]在星形图案中，站被布置在包括机械手的位于中心的衬底传送模块周围。机械手将衬底从装载锁室移动到每个衬底处理站并返回装载锁。尽管这种站的布置在站之间为维护和/或维修提供了一些访问空间，但是站的密度小于以线性图案布置的站的密度。
[0025]在线性图案中，站并排布置并且形成两排站。这两排位于衬底传送模块的相对侧，
该模块可以在大气或真空下操作。尽管线形布置允许在专用占地面积内设置更多站，但线形布置提供了对站侧面的受限访问。
[0026]站被设计成使得每个站都安装在占地面积(以及位于占地面积上方的竖直柱)内，以实现紧密封装和减小的工具总占地面积。然而，这意味着与现有工具相比，站和工具具有较高的单位面积重量。换句话说，每个站的部件都非常紧密地封装在一起，并且分布在减少的占地面积上的重量相对较高。因此，通常用作底层地板上方的制造室地板的可拆卸瓷砖在结构上不足以承受负载。
[0027]本公开涉及一种基座，其包括由底层地板框架支撑的基座板。制造工具位于基座板上。基座板被加工成包括用于从下方提供与站的连接的检修孔。基座板也被加工成包括用于与站或工具的部件连接的安装孔。基座板上还标有对准特征，例如用于在基座板上对准工具的第一轴和第二轴。制造室的架空运输(OHT)用于将一个或多个板相对于制造室对准。在一些示例中，具有对应于基座板的检修孔、安装孔和/或其他特征的切口和/或标记的透明膜或透明片用于对准一个或多个基座板。在其他示例中，可以将包括切口和/或标记的视觉模板(光或激光模板)投影到一个或多个基座板上。
[0028]图1和2示出了两个工具100、102的部分(一个在100处为实线，另一个在102处为虚线)并排设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在半导体制造室内的基座上布置衬底处理工具的方法，其中所述基座包括由包括多个支柱的基座框架支撑的多个基座板，所述方法包括：确定所述基座板的尺寸；根据所述衬底处理工具的部件确定所述基座板的安装特征的位置；根据所确定的所述位置加工所述基座板中的所述安装特征；标记所述基座板中的具有至少一个对准特征的至少一个基座板；将所述基座框架安装在所述半导体制造室的底层地板上，其中所述基座框架的所述支柱被定位成使得所述基座框架在所述底层地板上的重量分布与所述衬底处理工具的重量分布不同；以及根据所述基座板中的所述安装特征和所述至少一个对准特征将所述基座板安装在所述基座框架上。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括将所述衬底处理工具安装在所述基座板上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基座的总占地面积大于所述衬底处理工具的总占地面积。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述安装特征包括用于所述衬底处理工具的所述部件的检修孔和用于所述基座板的安装位置中的至少一者。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个对准特征包括所述基座板的轴。6.根据权利要求1所述的方法，其还包括生成指示所述安装特征的所述位置的安装模板并且使用所述安装模板在所述基座板上加工所述安装特征。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述安装模板是指示所述安装特征的所述位置的透明片。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述安装模板是在所述基座板上生成并投影到所述基座板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：特拉维斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：