一种圆籽晶加工方法技术

本申请提供一种圆籽晶加工方法，圆籽晶加工方法包括：机床，用于固定籽晶母体的第一端；切割组件，设置在机床上，用于由籽晶母体的第一端向第二端依次切割出籽晶主体、承重斜面体以及承重头以形成圆籽晶，第二端背离第一端；其中，籽晶母体为圆柱台面，承重头与籽晶主体为圆柱台面，承重头直径大于籽晶主体直径，承重斜面体为圆锥体，承重斜面体的两端分别与承重头和籽晶主体连接，且承重斜面体的直径由靠近籽晶主体一端向靠近承重头的一端递增。本申请的圆籽晶加工方法，结构简单，操作方便，可以快速的将籽晶母体加工成圆籽晶，提高了生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种圆籽晶加工方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅生产领域，具体涉及一种圆籽晶加工方法。

技术介绍

[0002]单晶拉制行业中，籽晶作为单晶生长的种子，是形成晶体物质的基础，可以使拉制的晶棒同籽晶具有相同的晶向，所以籽晶的质量影响引晶的质量。籽晶有多种结构，根据拉制晶棒晶向需求，由单晶硅棒加工而成，目前使用的大多为圆籽晶。现有的圆籽晶的加工方法为：将单晶硅棒切割为多个方形籽晶预制板体，之后切割预制板体为圆弧侧面，多次加工形成籽晶，这种加工方法对籽晶预置板体的边角料浪费偏多，且精度误差大，生产效率较为低下。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种可以有效提高圆籽晶生产效率的圆籽晶加工方法。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]根据本专利技术实施例一种圆籽晶加工方法，圆籽晶包括依次连接的籽晶主体、承重斜面体以及承重头，籽晶主体和承重头为圆柱形，承重头的直径大于籽晶主体的直径，承重斜面体为圆锥体，且承重斜面体的直径由靠近籽晶主体一端向靠近承重头的一端递增；
[0006]其特征在于，加工方法包括：
[0007]S100、编制机床的切割程序；
[0008]S200、将圆柱形的籽晶母体的第一端固定在于机床上；
[0009]S300、根据切割程序控制切割组件自籽晶母体第一端的端面向籽晶母体的第二端移动，切割出圆籽晶；
[0010]籽晶母体的第一端和第二端为籽晶母体轴线方向的两端。
[0011]在本申请的一个实施例中，切割组件包括第一圆筒切刀、第二圆筒切刀以及锉刀；
[0012]第一圆筒切刀的一端用于与机床连接，另一端形成有第一切齿，第一圆筒切刀内径与籽晶主体直径匹配；
[0013]第二圆筒切刀的一端用于与机床连接，另一端形成有第二切齿，第二圆筒切刀内径与承重头直径匹配。
[0014]在本申请的一个实施例中，步骤300具体包括：
[0015]S310、在机床上安装第一圆筒切刀，机床根据切割程序使第一圆筒切刀自籽晶母体的第一端的端面向籽晶母体的第二端移动以切割出籽晶主体，第一圆筒切刀移动的距离为籽晶主体的长度；
[0016]S320、将第一圆筒切刀更换为第二圆筒切刀，机床根据切割程序使第二圆筒切刀自籽晶母体的第一端的端面移动至籽晶母体的第二端以切割出承重头；
[0017]S330、机床使用锉刀对承重头与籽晶主体的连接处进行锉削以形成承重斜面体。
[0018]在本申请的一个实施例中，第一圆筒切刀外壁周向上设有至少一条螺旋状的第一
刃槽。
[0019]在本申请的一个实施例中，第二圆筒切刀外壁周向上设有至少一条螺旋状的第二刃槽。
[0020]在本申请的一个实施例中，将第一圆筒切刀更换为第二圆筒切刀，包括：
[0021]S321、籽晶主体切割完成后，机床控制第一圆筒切刀向后退出籽晶母体，并将第一圆筒切刀更换为第二圆筒切刀。
[0022]在本申请的一个实施例中，步骤330中，承重头切割完成后，将包括籽晶主体和承重头的圆籽晶中间体从籽晶母体内部取出，然后利用锉刀对承重头与籽晶主体的连接处进行锉削以形成承重斜面体。
[0023]8.根据权利要求1的圆籽晶加工方法，其特征在于，切割组件包括环切刀；
[0024]环切刀一端形成有第三切齿，一端与机床连接，用于跟随所示机床旋转以环切籽晶母体。
[0025]在本申请的一个实施例中，步骤300具体包括：
[0026]S340、在机床上安装环切刀，机床根据切割程序使用环切刀对籽晶母体第一端进行环切以切割出籽晶主体；
[0027]S350、籽晶主体切割完成后，机床控制环切刀逐步向外侧扩切以切割出承重斜面体；
[0028]S360、承重斜面体切割完成后，机床控制环切刀向籽晶母体的第二端进行环切以切割出承重头。
[0029]在本申请的一个实施例中，步骤340中，环切刀环切时形成的环形切割面内径与籽晶主体直径相同，外径大于承重头直径。
[0030]本专利技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：
[0031]1、本专利技术实施例提供的圆籽晶加工方法中，直接以圆柱形的籽晶母体作为加工对象进行加工，采用切割组件自籽晶母体的第一端的端面向籽晶母体的第二端的端面移动进行圆籽晶切割，使得圆籽晶自籽晶母体内部切割得到。与现有的圆籽晶加工方法相比，本专利技术实施例提供的加工方法能够更有效的利用籽晶母体，减少边角料浪费。
[0032]2、本专利技术实施例提供的圆籽晶加工方法，可以连续地对籽晶母体进行加工，缩短生产周期，提高生产效率。
附图说明
[0033]图1为圆籽晶的结构示意图；
[0034]图2为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法所用的第一圆筒切刀与第二圆筒切刀的结构示意图；
[0035]图3为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法中第一圆筒切刀切割籽晶主体的示意图；
[0036]图4为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法所用的环切刀的结构示意图；
[0037]图5为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法中环切刀切割籽晶主体的示意图；
[0038]图6为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法中的环切刀在籽晶母体内部切割籽晶主体的示意图；
[0039]图7为本专利技术实施例的圆籽晶加工方法的流程图。
[0040]附图标记：40、籽晶母体；50、籽晶主体；60、承重斜面体；70、承重头；110、第一圆筒切刀；111、第一切齿；112、第一刃槽；120、第二圆筒切刀；121、第二切齿；122、第二刃槽；210、环切刀；211、第三切齿。
具体实施方式
[0041]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0042]除非另作定义，本专利技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0043]单晶拉制行业中，籽晶作为单晶生长的种子，是形成晶体物质的基础，可以使拉制的晶棒同籽晶具有相同的晶向，籽晶的质量影响着引晶的质量。籽晶有多种结构，根据拉制晶棒晶向需求，由单晶硅棒加工而成，目前使用的大多为圆籽晶。圆籽晶的加工相对复杂，需要将单晶硅棒切割为多个方形籽晶预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种圆籽晶加工方法，所述圆籽晶包括依次连接的籽晶主体、承重斜面体以及承重头，所述籽晶主体和所述承重头为圆柱形，所述承重头的直径大于所述籽晶主体的直径，所述承重斜面体为圆锥体，且所述承重斜面体的直径由靠近所述籽晶主体一端向靠近所述承重头的一端递增；其特征在于，所述加工方法包括：S100、编制机床的切割程序；S200、将圆柱形的籽晶母体的第一端固定在于所述机床上；S300、根据所述切割程序控制切割组件自所述籽晶母体第一端的端面向所述籽晶母体的第二端移动，切割出所述圆籽晶；所述籽晶母体的第一端和第二端为所述籽晶母体轴线方向的两端。2.根据权利要求1所述的圆籽晶加工方法，其特征在于，所述切割组件包括第一圆筒切刀、第二圆筒切刀以及锉刀；所述第一圆筒切刀的一端用于与所述机床连接，另一端形成有第一切齿，所述第一圆筒切刀内径与所述籽晶主体直径匹配；所述第二圆筒切刀的一端用于与所述机床连接，另一端形成有第二切齿，所述第二圆筒切刀内径与所述承重头直径匹配。3.根据权利要求2所述的圆籽晶加工方法，其特征在于，步骤300具体包括：S310、在所述机床上安装所述第一圆筒切刀，所述机床根据切割程序使所述第一圆筒切刀自所述籽晶母体的第一端的端面向所述籽晶母体的第二端移动以切割出所述籽晶主体，所述第一圆筒切刀移动的距离为所述籽晶主体的长度；S320、将所述第一圆筒切刀更换为所述第二圆筒切刀，所述机床根据切割程序使所述第二圆筒切刀自所述籽晶母体的第一端的端面移动至所述籽晶母体的第二端以切割出所述承重头；S330、所述机床使用锉刀对所述承重头与所述籽晶主体的连接处进行锉削以形成所述承重斜面体。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋克冉，杨西虎，颜玉峰，
申请(专利权)人：曲靖晶龙电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：