传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备技术

本公开涉及一种传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备，传输腔室包括腔体。腔体的内壁上设有至少两个出风部，出风部用于向腔体内部输出清扫气体。至少两个出风部沿着环绕腔体的中心轴线的方向依次间隔布置。腔体的底部开设有与腔体外部相连通的排废孔，排废孔用于与负压器件连通。上述的传输腔室，在对腔体内部启动清洁工作时，各个出风部向腔体内部通入清扫气体，能在腔体内产生涡流现象，并形成回旋气流，对腔体内部进行清洁，气流能带走颗粒杂质等异物；当异物经过腔体底部的排废孔时，负压器件工作，便能通过排废孔抽出到腔体的外部。如此，便能实现在不开腔的前提下进行传输腔室的自动清洁，能提高清洁预防维护的效率，大大降低维护成本。降低维护成本。降低维护成本。

【技术实现步骤摘要】
传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备


[0001]本公开涉及半导体设备加工
，特别是涉及一种传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备。

技术介绍

[0002]随着半导体制造工艺的发展，半导体加工设备包括但不限于刻蚀设备与沉积设备，并具体以刻蚀设备为例进行介绍。传统地，刻蚀设备包括工艺腔室(Process Module，简称PM)和传输系统，传输系统包括真空传输模块、真空大气交换模块(Loadlock)和大气传输模块。其中，真空传输模块包括真空传输腔室(Vacuum Transport Module，简称VTM)和位于真空传输腔室VTM内的真空机械手(图中未示出)。真空大气交换模块包括装载互锁腔室(Loadlock，简称LL)；大气传输模块包括前后端腔室(Equipment Front
‑
End Module，简称EFEM)、装载台(Loadport)、位于前后端腔室EFEM内的大气机械手和对准器(Aligner)。多个工艺腔室PM1～4和装载互锁腔室LLA和LLB沿真空传输腔室VTM的周向间隔设置且与真空传输腔室VTM相连。装载互锁腔室LLA和LLB还均与前后端腔室EFEM相连。前后端腔室EFEM和装载台相连。此外，基片在传输平台上的传输流程包括基片传输至工艺腔室进行工艺的过程和在工艺完成之后返回至装载台的过程。其中，为了保证基片的洁净度，在半导体设备工作一段时间后，通常需要定期地对例如真空传输腔室进行清洁处理。然而，清洁真空传输腔室时需要对真空传输腔室进行开腔处理，导致清洁的工作效率较低，清洁的维护成本较高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备，它能够提高工作效率，降低清洁维护成本。
[0004]其技术方案如下：一种传输腔室，所述传输腔室包括：
[0005]腔体，所述腔体的内壁上设有至少两个出风部，所述出风部用于向所述腔体内部输出清扫气体；至少两个所述出风部沿着环绕所述腔体的中心轴线的方向依次间隔布置；所述腔体的底部开设有与所述腔体外部相连通的排废孔，所述排废孔用于与负压器件连通。
[0006]在其中一个实施例中，所述传输腔室为真空传输腔室；所述腔体的内壁上设有用于与工艺腔室连通的第一连接口，和/或，用于与大气传送模块连通的第二连接口。
[0007]在其中一个实施例中，所述出风部包括第一出风部，所述第一出风部位于所述第一连接口侧部部位并朝向所述第一连接口出风；和/或，所述出风部包括第二出风部，所述第二出风部位于所述第二连接口侧部部位并朝向所述第二连接口出风。
[0008]在其中一个实施例中，至少两个所述出风部等间隔地布置于所述腔体的内壁上；和/或，所述出风部的数量为3个至15个。
[0009]在其中一个实施例中，所述出风部包括设置于所述腔体内壁上或者由所述腔体内壁朝向所述中心轴线的方向延伸形成的凸部；所述凸部包括面向于所述中心轴线的第一壁
面以及分别连接于所述第一壁面相对两侧的两个第二壁面，至少其中一个所述第二壁面上设置有至少一个出风口。
[0010]在其中一个实施例中，所述凸部的两个所述第二壁面均设有所述出风口，且所述凸部的两个所述第二壁面的所述出风口相互连通形成风道，所述风道内设有用于控制其中一个所述出风口出风的控制气阀，所述控制气阀用于与清扫气体提供装置相连。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一壁面为弧形面，所述弧形面的圆心位于所述弧形面背离于所述中心轴线的一侧。
[0012]在其中一个实施例中，所述第二壁面上沿着竖向方向上依次间隔设置有多个所述出风口。
[0013]在其中一个实施例中，所述第二壁面上的多个所述出风口等间隔布置；和/或，所述第二壁面上的相邻两个所述出风口的间隔为5cm
‑
20cm。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二壁面上的所述出风口的数量为2个
‑
10个。
[0015]在其中一个实施例中，所述腔体底部的中部位置设有支撑部，所述支撑部设有机械手，所述机械手用于传输基片；和/或，所述腔体的壁上设有用于与真空泵相连通的抽气孔以及与充气装置相连通的充气孔。
[0016]一种所述的传输腔室的清洁方法，所述清洁方法包括如下步骤：
[0017]通过至少两个所述出风部向所述腔体内部通入清扫气体，使得在所述腔体内部形成涡旋气流，通过所述涡旋气流清扫去除所述腔体内部的异物；
[0018]通过所述排废孔将所述腔体内部的含有所述异物的所述清扫气体向外抽出。
[0019]在其中一个实施例中，通过所述涡旋气流的流速形成压差，将工艺腔室内部的异物通过第一连接口抽吸到真空传输腔室内部，和/或，将大气传送模块内部的异物通过第二连接口抽吸到真空传输腔室内部。
[0020]在其中一个实施例中，一种半导体加工设备，所述半导体加工设备包括所述的传输腔室。
[0021]在其中一个实施例中，所述半导体加工设备还包括清扫气体提供装置；所述清扫气体提供装置分别与各个所述出风部相连通。
[0022]在其中一个实施例中，所述的半导体加工设备还包括异物收集装置；所述异物收集装置设有所述负压器件。
[0023]上述的传输腔室及其清洁方法、半导体加工设备，由于在腔体的内壁上设置有至少两个出风部，且至少两个出风部沿着环绕腔体的中心轴线方向依次间隔设置，这样在对腔体内部启动清洁工作时，各个出风部向腔体内部通入清扫气体，能在腔体内产生涡流现象，并形成回旋气流，对腔体内部进行清洁，气流能带走颗粒杂质等异物；当异物经过腔体底部的排废孔时，负压器件工作，便能通过排废孔抽出到腔体的外部。如此，便能实现在不开腔的前提下进行传输腔室的自动清洁，能提高清洁预防维护的效率，大大降低维护成本。
附图说明
[0024]构成本申请的一部分的附图用来提供对本公开的进一步理解，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。
[0025]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本公开一实施例的传输腔室的结构示意图；
[0027]图2为本公开一实施例的传输腔室的出风部的俯视结构图；
[0028]图3为图2在A
‑
A处的剖视结构示意图；
[0029]图4为图2在B
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B处的剖视结构示意图；
[0030]图5为本公开另一实施例的传输腔室的结构示意图；
[0031]图6为图5在C
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C处的剖视结构示意图。
[0032]10、腔体；1101、第一出风部；1102、第二出风部；111、凸部；1111、第一壁面；1112、第二壁面；1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传输腔室，其特征在于，所述传输腔室包括：腔体，所述腔体的内壁上设有至少两个出风部，所述出风部用于向所述腔体内部输出清扫气体；至少两个所述出风部沿着环绕所述腔体的中心轴线的方向依次间隔布置；所述腔体的底部开设有与所述腔体外部相连通的排废孔，所述排废孔用于与负压器件连通。2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述传输腔室为真空传输腔室；所述腔体的内壁上设有用于与工艺腔室连通的第一连接口，和/或，用于与大气传送模块连通的第二连接口。3.根据权利要求2所述的传输腔室，其特征在于，所述出风部包括第一出风部，所述第一出风部位于所述第一连接口侧部部位并朝向所述第一连接口出风；和/或，所述出风部包括第二出风部，所述第二出风部位于所述第二连接口侧部部位并朝向所述第二连接口出风。4.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，至少两个所述出风部等间隔地布置于所述腔体的内壁上；和/或，所述出风部的数量为3个至15个。5.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述出风部包括设置于所述腔体内壁上或者由所述腔体内壁朝向所述中心轴线的方向延伸形成的凸部；所述凸部包括面向于所述中心轴线的第一壁面以及分别连接于所述第一壁面相对两侧的两个第二壁面，至少其中一个所述第二壁面上设置有至少一个出风口。6.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征在于，所述凸部的两个所述第二壁面均设有所述出风口，且所述凸部的两个所述第二壁面的所述出风口相互连通形成风道，所述风道内设有用于控制其中一个所述出风口出风的控制气阀，所述控制气阀用于与清扫气体提供装置相连。7.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征在于，所述第一壁面为弧形面，所述弧形面的圆心位于所述弧形面背离于所述中心轴线的一侧。8.根据权利要求5所述的传输腔室，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑昊，张强，谭志豪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：