一种PIN二极管的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体生产技术领域，具体的说是一种PIN二极管的制备方法，该制备方法步骤如下，S1：将SiC衬底放置在真空的反应釜内部，进而将反应釜内部加热到1600

【技术实现步骤摘要】
一种PIN二极管的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体生产
，具体的说是一种PIN二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]PIN二极管是以后总在传统的P型半导体与N型半导体之间加入一薄层低掺杂的本征半导体层，使其具有低极间电容的特性，由于其可流畅的导通关断，因此其常被应用于高频电子线路中的天线切换器中，且其也逐渐用于低频电路中。
[0003]公开号为CN109103094B的一项中国专利公开了一种混合PIN/肖特基快恢复二极管的制备方法，在设计二极管耐压时根据二极管的击穿电压1300V，通过控制n基区的厚度为107μm，宽度为25μm，浓度为1
×
1014cm
‑
3，使二极管的反向击穿电压接近耐压指标，再通过控制P+区域肖特基接触区域的宽度为6.25μm，使二极管的反向击穿电压为要求的耐压值1300V。
[0004]在对PIN二极管上的光刻胶进行去胶处理时，经常出现光刻胶去除不完全的情况，当光刻胶的去除不完全时，容易对后续PIN二极管各层的生长造成影响，导致生产出的PIN二极管质量较差，甚至会出现PIN二极管无法使用的情况出现。
[0005]为此，本专利技术提供一种PIN二极管的制备方法。

技术实现思路

[0006]为了弥补现有技术的不足，解决
技术介绍
中所提出的至少一个技术问题。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的一种PIN二极管的制备方法，该制备方法步骤如下：
[0008]S1：将SiC衬底放置在真空的反应釜内部，进而将反应釜内部加热到1600
‑
1700℃，并通过化学气相沉积法，在SiC衬底表面上生成外延层；
[0009]S2：对SiC衬底生成外延层进行初步氧化，进而向氧化层表面涂上光刻胶，进而对涂胶位置进行曝光定义，以确定N+区的图形；
[0010]S3：将SiC衬底放置入湿法腐蚀溶液的内部，将未涂抹光刻胶位置处的氧化层去除；
[0011]S4：将去除氧化层完毕的SiC衬底放置入除胶装置的处理机体处理机体的内部，通过湿法除胶的方式将SiC表面的光刻胶去除；
[0012]S5：将光刻胶去除完毕的SiC衬底放置入真空的反应釜内部，进而在SiC表面依次生长出N+底层、本征半导体层和P+帽层，该本征半导体层可以是Si、Ge或GaAs的单质层；
[0013]S6：待最后的P帽层生长完毕后，可对成品进行退火以及降温操作，进而可在成品的外界包括SiO2的保护层，以及将Al质的导体固定在SiO2的内部，且与P+帽层连接，即可得到PIN二极管成品。
[0014]优选的，所述除胶装置的工作步骤如下：
[0015]T1：将搅拌筒侧面的开合门打开，进而向搅拌筒的内部加入适当的有机溶剂后，将
粘附有光刻胶的SiC衬底投入搅拌筒的内部，其后将开合门关闭；
[0016]T2：启动抽风机，使得抽风机从气体通道的一端向另一端抽风，进而可促进搅拌筒内部反应的反应溶解的同时，可对反应过程中产生的尾气进行集中收集；
[0017]T3：当光刻胶反应溶解完毕后，可通过弹簧带动插杆插入搅拌筒内部的出料孔内部，进而使得搅拌筒内部的SiC衬底与废液通过第一出料道与第二出料道排出搅拌筒的内部，从而可实现光刻胶的去除。
[0018]优选的，其中S4中所述的除胶装置包括处理机体；所述处理机体的内部转动连接有搅拌筒；所述搅拌筒的内部开设有搅拌腔，且搅拌筒的侧壁上安装有开合门；所述处理机体的内部开设有气体通道；所述搅拌筒的外侧壁上呈环形规律性设有受风叶片，且受风叶片设置在对应气体通道的位置处；所述搅拌筒的侧壁上开设有出气孔，且出气孔的内部固接有呼吸纸；在对PIN二极管上的光刻胶进行去胶处理时，经常出现光刻胶去除不完全的情况，当光刻胶的去除不完全时，容易对后续PIN二极管各层的生长造成影响，导致生产出的PIN二极管质量较差，甚至会出现PIN二极管无法使用的情况出现，在工作时，当需要对SiC衬底上的光刻胶进行去除时，可开启开合门，并通过开合门向搅拌筒的内部加入所需的药剂以及附着有光刻胶的SiC衬底，进而可通过抽风机从气体通道的一侧抽入空气，进而从气体通道的另一侧排出，在抽风机通过气体通道吸引空气时，空气的流动可通过受风叶片带动气体通道转动，进而使得气体通道带动内部的物体一同转动，从而可使得药剂与SiC衬底在反应的过程中，对其进行搅拌混合，可使得反应的更加均匀，从而可使得对光刻胶的去除效果更好，同时反应过程中产生的废气，可通过只可透过空气，不可透过液体的呼吸纸透出，进而通过气体通道的吸引，可对废气进行收集，从而可使得废气的回收更加方便。
[0019]优选的，所述处理机体的内部通过扭簧转动连接有偏转板；所述偏转板设置在对应气体通道的位置处；所述偏转板的侧壁上固接有拉动板；所述处理机体的内部滑动连接有插杆；所述拉动板与插杆之间固接有拉绳；所述插杆的内部开设有第一出料道；所述搅拌筒的内部设有柔性垫层；所述搅拌筒与柔性垫层的内部均开设有对应插杆的出料孔；所述插杆的侧壁上固接有定位块；所述定位块与处理机体的侧壁之间固接有弹簧；所述处理机体的内部开设有第二出料道，且第二出料道开设在对应第一出料道端部的位置处；所述处理机体的内部开设有收水槽；所述收水槽与第二出料道之间开设有出料通孔；所述搅拌筒的内部设有复位组件，所述复位组件可使得搅拌筒停止转动后，将出料孔对准插杆的位置处；在工作时，在对SiC衬底上的光刻胶进行去除时，由抽风机抽取空气产生的负压，会带动偏转板升起，进而可通过拉动板拉动拉绳，进而可将插杆拉下，从而可使得搅拌筒转动，进而促进搅拌筒内部药剂与SiC衬底的反应，当对SiC衬底上的光刻胶去除完毕后，抽风机关闭后，复位组件会带动搅拌筒转动，进而使得出料孔对准插杆的位置处，进而偏转板失去负压的吸引后，偏转板会落下，进而可使得弹簧推动插杆上升，使得插杆插入搅拌筒的出料孔内部，进而推动柔性垫层的出料孔打开，当柔性垫层的出料孔打开后，搅拌筒内部的废液以及SiC衬底会通过第一出料道流出，进而通过第二出料道流出处理机体，从而可对废液以及SiC衬底进行收集，同时当插杆插入出料孔内部后，可对搅拌筒进行固定，使得出料的过程中，搅拌筒更少的出现晃动的情况，收水槽可对漏入处理机体内部的废液进行收集，进而可通过出料通孔进入第二出料道的内部，与第二出料道内部的废液一同被收集。
[0020]优选的，所述搅拌筒的内部呈环形规律性固接有若干个搅拌板；所述搅拌板之间
固接与柔性垫层；所述柔性垫层的形状与搅拌筒的形状相同；在工作时，当搅拌筒转动，进而带动搅拌筒内部的药剂与SiC衬底一同搅拌混合时，通过搅拌板对药剂和SiC衬底的推动，可使其运动路径更加混乱，从而可使得药剂和SiC衬底混合的更加均匀，同时橡胶或硅胶等柔性材质的搅拌板与柔性垫层对SiC衬底进行阻挡，可使得SiC衬底更少的与硬质的搅拌筒接触，从而可对SiC衬底进行保护，减少了撞击导致SiC衬底损坏的可能性。
[0021]优选的，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PIN二极管的制备方法，其特征在于：该制备方法步骤如下：S1：将SiC衬底放置在真空的反应釜内部，进而将反应釜内部加热到1600
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1700℃，并通过化学气相沉积法，在SiC衬底表面上生成外延层；S2：对SiC衬底生成外延层进行初步氧化，进而向氧化层表面涂上光刻胶，进而对涂胶位置进行曝光定义，以确定N+区的图形；S3：将SiC衬底放置入湿法腐蚀溶液的内部，将未涂抹光刻胶位置处的氧化层去除；S4：将去除氧化层完毕的SiC衬底放置入除胶装置的处理机体处理机体(1)的内部，通过湿法除胶的方式将SiC表面的光刻胶去除；S5：将光刻胶去除完毕的SiC衬底放置入真空的反应釜内部，进而在SiC表面依次生长出N+底层、本征半导体层和P+帽层，该本征半导体层可以是Si、Ge或GaAs的单质层；S6：待最后的P帽层生长完毕后，可对成品进行退火以及降温操作，进而可在成品的外界包括SiO2的保护层，以及将Al质的导体固定在SiO2的内部，且与P+帽层连接，即可得到PIN二极管成品。2.根据权利要求1所述的一种PIN二极管的制备方法，其特征在于：所述除胶装置的工作步骤如下：T1：将搅拌筒(2)侧面的开合门(3)打开，进而向搅拌筒(2)的内部加入适当的有机溶剂后，将粘附有光刻胶的SiC衬底投入搅拌筒(2)的内部，其后将开合门(3)关闭；T2：启动抽风机，使得抽风机从气体通道(4)的一端向另一端抽风，进而可促进搅拌筒(2)内部反应的反应溶解的同时，可对反应过程中产生的尾气进行集中收集；T3：当光刻胶反应溶解完毕后，可通过弹簧带动插杆(9)插入搅拌筒(2)内部的出料孔内部，进而使得搅拌筒(2)内部的SiC衬底与废液通过第一出料道(10)与第二出料道(11)排出搅拌筒(2)的内部，从而可实现光刻胶的去除。3.根据权利要求1所述的一种PIN二极管的制备方法，其特征在于：其中S4中所述的除胶装置包括处理机体(1)；所述处理机体(1)的内部转动连接有搅拌筒(2)；所述搅拌筒(2)的内部开设有搅拌腔，且搅拌筒(2)的侧壁上安装有开合门(3)；所述处理机体(1)的内部开设有气体通道(4)；所述搅拌筒(2)的外侧壁上呈环形规律性设有受风叶片(5)，且受风叶片(5)设置在对应气体通道(4)的位置处；所述搅拌筒(2)的侧壁上开设有出气孔(201)，且出气孔(201)的内部固接有呼吸纸(202)。4.根据权利要求3所述的一种PIN二极管的制备方法，其特征在于：所述处理机体(1)的内部通过扭簧转动连接有偏转板(6)；所述偏转板(6)设置在对应气体通道(4)的位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄传伟，李健，吕民娟，诸建周，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：