薄晶圆吸附盘及吸附系统技术方案

本发明专利技术提供一种薄晶圆吸附盘及吸附系统，薄晶圆吸附盘包括：吸附盘本体，包括吸附面和环绕所述吸附面的侧面，所述吸附盘本体用于吸附不同尺寸的薄晶圆；多层吸附通路，包括设置于所述侧面的多层通路入口，所述吸附通路从所述通路入口平行于所述吸附面延伸，其中，所述多层吸附通路中不同层的吸附通路不连通；吸附孔，设置于所述吸附面，所述吸附面具有多个吸附区域，所述多个吸附区域分别与所述多层吸附通路一一对应连通；其中，基于不同尺寸的薄晶圆，依次通过所述多层吸附通路控制不同区域的所述吸附孔的吸附顺序，使得所述薄晶圆与所述吸附面紧密贴合。吸附面紧密贴合。吸附面紧密贴合。

【技术实现步骤摘要】
薄晶圆吸附盘及吸附系统


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体而言，涉及一种薄晶圆吸附盘及吸附系统。

技术介绍

[0002]高精度晶圆吸附盘是一种在半导体设备行业非常重要的部件，在晶圆测试过程中，吸附盘吸附晶圆，完成测试过程，因此其吸附晶圆的可靠性、安全性是至关重要的。但是目前市场上的高精度吸附盘一般为环道式吸附，吸附力大。这样的吸附力对于薄晶圆、超薄晶圆是非常不利的，容易造成晶圆吸附破碎或者破真空困难的情况，因此开发一种适用于薄晶圆的吸附盘是非常必要的。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的具体实施方式，提供一种薄晶圆吸附盘及吸附系统，能够解决吸附薄晶圆的技术问题，具体如下：本专利技术提供一种薄晶圆吸附盘，包括：吸附盘本体，包括吸附面和环绕所述吸附面的侧面，所述吸附盘本体用于吸附不同尺寸的薄晶圆；多层吸附通路，包括设置于所述侧面的多层通路入口，所述吸附通路从所述通路入口平行于所述吸附面延伸，其中，所述多层吸附通路中不同层的吸附通路不连通；吸附孔，设置于所述吸附面，所述吸附面具有多个吸附区域，所述多个吸附区域分别与所述多层吸附通路一一对应连通；其中，基于不同尺寸的薄晶圆，依次通过所述多层吸附通路控制不同区域的所述吸附孔的吸附顺序，使得所述薄晶圆与所述吸附面紧密贴合。
[0004]在一些实施例中，所述多个吸附区域包括沿所述吸附面由内向外形成的环形的第一区域、第二区域和第三区域。
[0005]在一些实施例中，所述第一区域包括多个第一子区域；所述第二区域包括多个第二子区域；所述第三区域包括多个第三子区域。
[0006]在一些实施例中，所述多层吸附通路中，每一所述第一子区域的吸附通路连通，每一所述第二子区域的吸附通路连通，每一所述第三子区域的吸附通路连通。
[0007]在一些实施例中，所述多层吸附通路中，同一层的吸附通路连通。
[0008]在一些实施例中，所述多层吸附通路包括在所述侧面由下往上依次设置的第一层吸附通路，第二层吸附通路以及第三层吸附通路，其中，所述第一层吸附通路与所述第一区域的吸附孔连通，所述第二层吸附通路与所述第二区域的吸附孔连通以及所述第三层吸附通路与所述第三区域的吸附孔连通。
[0009]在一些实施例中，所述第一层吸附通路包括：多个第一通路，每一所述第一通路连通对称的两个所述通路入口，且所述多个第一通路相交于所述吸附盘本体的中心。
[0010]在一些实施例中，所述第二层吸附通路包括：多个第二通路，每一所述第二通路连通对称的两个所述通路入口，且所述多个第二通路相交于所述吸附盘本体的中心；多个第二子通路，每一所述第二子通路与相邻的所述第二通路连通。
[0011]在一些实施例中，所述第三层吸附通路包括：多个第三通路，每一所述第三通路从所述通路入口向所述吸附盘本体的中心方向延伸第一预设距离，所述第一预设距离等于所述第三区域的宽度；多个第三子通路，每一所述第三子通路从所述通路入口向所述吸附盘本体的非中心方向延伸第二预设距离，所述第二预设距离使所述第三子通路与相邻的至少一个所述第三通路连通。
[0012]本专利技术还提供一种薄晶圆吸附系统，包括：吸附源控制器和如上任一项所述的一种薄晶圆吸附盘；其中，所述吸附源控制器控制沿所述多层吸附通路吸气，从而由内向外控制多个吸附区域，依次使所述薄晶圆与所述吸附面由内向外紧密贴合。
[0013]本专利技术实施例具有如下的技术效果：本专利技术提供一种薄晶圆吸附盘及吸附系统，薄晶圆吸附盘通过在吸附盘本体由内往外设置多个吸附区域，以及通过多层的吸附通路对不同吸附区域进行分别控制，从而使得吸附盘可以吸附不同尺寸的薄晶圆；当薄晶圆尺寸较大时，依次通过多层吸附通路控制不同区域的吸附孔的吸附顺序，使得薄晶圆与吸附面紧密贴合。
附图说明
[0014]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1为相关技术中的晶圆吸附盘的结构示意图。
[0015]图2为本专利技术的一些实施例的晶圆吸附盘的结构示意图。
[0016]图3为本专利技术的一些实施例的晶圆吸附盘的第一层通路的结构示意图。
[0017]图4为本专利技术的一些实施例的晶圆吸附盘的第二层通路的结构示意图。
[0018]图5为本专利技术的一些实施例的晶圆吸附盘的第三层通路的结构示意图。
[0019]图6为本专利技术的另外一些实施例的晶圆吸附盘的吸附区域结构示意图。
具体实施方式
[0020]为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种。
[0022]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0023]应当理解，尽管在本专利技术实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述，但这些不应限于这些术语。这些术语仅用来将区分开。例如，在不脱离本专利技术实施例范围的情况下，第一也可以被称为第二，类似地，第二也可以被称为第一。
[0024]还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的商品或者装置中还存在另外的相同要素。
[0025]下面结合附图详细说明本专利技术的可选实施例。
[0026]相关技术中，如图1所示，晶圆吸附盘一般为环道式吸附，晶圆吸附盘表面设置多个环道10，环道式晶圆吸附盘吸附力大，大的吸附力对于薄晶圆（厚度小于150微米），特别是超薄晶圆（厚度小于100微米）是非常不利的，容易造成晶圆吸附破碎、被吸附位置晶圆变形的情况，此外，如果吸附力太小又容易在薄晶圆和吸附面之间产生气泡，不能形成紧密贴合，对后续测试造成不良影响。此外，上述晶圆吸附盘无法根据晶圆的大小灵活调整吸附区域，造成吸附源的能量浪费。因此，相关技术中的晶圆吸附盘难以准确的吸附薄晶圆，特别是难以吸附尺寸较大的薄晶圆。
[0027]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄晶圆吸附盘，其特征在于，包括：吸附盘本体，包括吸附面和环绕所述吸附面的侧面，所述吸附盘本体用于吸附不同尺寸的薄晶圆；多层吸附通路，包括设置于所述侧面的多层通路入口，所述吸附通路从所述通路入口平行于所述吸附面延伸，其中，所述多层吸附通路中不同层的吸附通路不连通；吸附孔，设置于所述吸附面，所述吸附面具有多个吸附区域，所述多个吸附区域分别与所述多层吸附通路一一对应连通；其中，基于不同尺寸的薄晶圆，依次通过所述多层吸附通路控制不同区域的所述吸附孔的吸附顺序，使得所述薄晶圆与所述吸附面紧密贴合。2.根据权利要求1所述的薄晶圆吸附盘，其特征在于，所述多个吸附区域包括沿所述吸附面由内向外形成的环形的第一区域、第二区域和第三区域。3.根据权利要求2所述的薄晶圆吸附盘，其特征在于，所述第一区域包括多个第一子区域；所述第二区域包括多个第二子区域；所述第三区域包括多个第三子区域。4.根据权利要求3所述的薄晶圆吸附盘，其特征在于，所述多层吸附通路中，每一所述第一子区域的吸附通路连通，每一所述第二子区域的吸附通路连通，每一所述第三子区域的吸附通路连通。5.根据权利要求2所述的薄晶圆吸附盘，其特征在于，所述多层吸附通路中，同一层的吸附通路连通。6.根据权利要求5所述的薄晶圆吸附盘，其特征在于，所述多层吸附通路包括在所述侧面由下往上依次设置的第一层吸附通路，第二层吸附通路以及第三层吸附通路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：帅智艳，郑福志，高跃红，樊璐，田学光，王蕾，姜鑫，崔立志，
申请(专利权)人：长春光华微电子设备工程中心有限公司，
类型：发明
国别省市：