一种显示面板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动的现象。所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。本发明专利技术提供的显示面板用于显示。于显示。于显示。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示效果的要求越来越高。为了实现更好的显示效果，氧化物薄膜晶体管被应用到显示产品中，然而这种包括氧化物薄膜晶体管的显示产品，虽然在提升显示效果方面具有一定的优势，但也存在一些不足。这种氧化物显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动(闪烁)的现象。而为了克服上述问题，需要耗费大量人员进行修复，直接影响了工厂的可出货良率及客户满意度，成为制约氧化物显示产品高质量发展的重大瓶颈问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，用于解决显示产品在制作过程中容易在显示产品内部残留电荷，且由于产线存在的各类静电问题，容易导致显示产品在显示时出现抖动(闪烁)的现象。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]本专利技术的第一方面提供一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。
[0006]可选的，所述阵列基板还包括：
[0007]配向膜，所述配向膜位于所述薄膜晶体管阵列层背向所述阵列基板的衬底基板的一侧；
[0008]液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板和所述对向基板之间。
[0009]本专利技术的第二方面提供一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，所述制作方法包括：采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒的步骤，所述制作方法还包括：
[0010]在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
[0011]可选的，所述制作方法还包括制作所述阵列基板的步骤，该步骤包括：多道烘烤工艺；
[0012]所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
[0013]可选的，制作所述阵列基板的步骤还包括：
[0014]在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；
[0015]在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜
进行烘烤工艺；
[0016]所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：
[0017]在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
[0018]可选的，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
[0019]在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
[0020]对所述配向膜进行光配向；
[0021]对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
[0022]所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行光配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
[0023]可选的，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺的步骤具体包括：
[0024]在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，依次对所述配向膜进行预烘烤工艺和主烘烤工艺；
[0025]对所述配向膜进行摩擦配向；
[0026]对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺；
[0027]所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在对进行摩擦配向之后的配向膜进行烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。
[0028]可选的，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：
[0029]在所述衬底基板上制作呈阵列分布的多个氧化物薄膜晶体管。
[0030]可选的，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤具体包括：
[0031]利用紫外线照度计，采用能量大于或等于300mj的紫外光对所述阵列基板进行照射。
[0032]可选的，所述对阵列基板进行紫外线照射工艺的步骤中，利用的紫外线的波段范围为小于或等于450nm。
[0033]基于上述显示面板的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种显示装置，包括上述显示面板。
[0034]本专利技术提供的技术方案中，能够降低显示面板内的电荷残留量至100mv以内，从而解决电荷残留、Vcom漂移，以及显示面板抖动不良等问题。避免了耗费大量人员进行修复，保证了工厂的可出货良率及客户满意度，保证了氧化物显示产品高质量的发展。
附图说明
[0035]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0036]图1为本专利技术实施例提供的残留电荷测试原理示意图；
[0037]图2为本专利技术实施例提供的显示面板中单个子像素驱动电路图；
[0038]图3为本专利技术实施例提供的NB
‑
15.6机种相关技术中电荷残留中心值和本专利技术中
电荷残留中心值的对比图；
[0039]图4为本专利技术实施例提供的MNT
‑
23.8机种相关技术中电荷残留中心值和本专利技术中电荷残留中心值的对比图；
[0040]图5为本专利技术实施例提供的NB
‑
15.6机种相关技术和本专利技术中最佳Vcom寄存器值分布图；
[0041]图6为本专利技术实施例提供的NB
‑
15.6机种相关技术和本专利技术中抖动发生率对比图；
[0042]图7为本专利技术实施例提供的MNT
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23.8机种相关技术和本专利技术中最佳Vcom寄存器值分布图；
[0043]图8为本专利技术实施例提供的MNT
‑
23.8机种相关技术和本专利技术中抖动发生率对比图；
[0044]图9为本专利技术实施例提供的显示面板制作第一工艺流程示意图；
[0045]图10为相关技术中显示面板制作工艺流程示意图；
[0046]图11为本专利技术实施例提供的显示面板制作第二工艺流程示意图。
[0047]图12为本专利技术实施例提供的阵列基板的部分截面示意图；
具体实施方式
[0048]为了进一步说明本专利技术实施例提供的显示面板及其制作方法、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
[0049]如图12所示，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层11，氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括呈阵列分布的多个氧化物晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括层叠设置的栅极层，氧化物有源层和源漏金属层；所述阵列基板上的电荷残留值小于或等于100mv。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：配向膜，所述配向膜位于所述薄膜晶体管阵列层背向所述阵列基板的衬底基板的一侧；液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板和所述对向基板之间。3.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1或2所述的显示面板，所述制作方法包括：采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒的步骤，所述制作方法还包括：在采用阵列基板与对向基板对盒形成液晶盒之前，对阵列基板进行紫外线照射工艺。4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括制作所述阵列基板的步骤，该步骤包括：多道烘烤工艺；所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成制作所述阵列基板过程中的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述阵列基板的步骤还包括：在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配向膜，并对所述配向膜进行烘烤工艺；所述对阵列基板进行紫外线照射工艺具体包括：在完成对所述配向膜的最后一道烘烤工艺之后，对阵列基板进行紫外线照射工艺。6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧涂布配...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐松明，蔡凡凡，贾昊，诸明华，李树龙，杨勇，廖伟经，仇石，胡计风，周辉辉，臧恒林，李宗春，
申请(专利权)人：南京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：