一种磁存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该磁存储器包括：金属填充塞层以及设置在金属填充塞层上方的第一介质层和磁隧道结，第一介质层设置于金属填充塞层以及磁隧道结之间，第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于金属填充塞层表面粗糙度。可见，第一方面，通过在金属填充塞层与磁隧道结之间引入粗糙度更小的第一介质层，使磁隧道结与下方的接触结构连接可靠性更好。第二方面，在后续对磁隧道结图形化过程中，避免了刻蚀接触磁隧道结与金属填充塞层的连接面，降低了后续图形化工艺对于器件可靠性的影响，以此提高了磁存储器的可靠性。了磁存储器的可靠性。了磁存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种磁存储器及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及电子领域，特别是一种磁存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着新兴存储器研发工艺的不断发展成熟，自旋轨道矩磁存储器(SOT
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MRAM，Spin Orbit Torque
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Magnetic Access Memory)得到越发广泛的应用。在SOT
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MRAM中，存储单元的主要结构为磁隧道结(MTJ，Magnetic Tunnel Junction)。由于在SOT
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MRAM的制备过程中，MTJ的重金属层需要构建在后道通孔工艺的金属塞层之上，因此，需要保证磁隧道结的重金属层以及金属塞层之间的连接可靠性。另外、由于MTJ的典型膜层结构的较材料薄膜层厚度为埃米量级，因此MTJ性能受衬底粗糙度影响极大。鉴于此，金属填充塞层界面需满足极低粗糙度、材料与MTJ膜层匹配等要求，以使SOT
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MRAM器件品质达到需求标准。
[0003]在现有的SOT
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MRAM的制备过程中，常采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器包括：金属填充塞层以及设置在金属填充塞层上方的第一介质层和磁隧道结，所述第一介质层设置于金属填充塞层以及磁隧道结之间，所述第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于所述金属填充塞层表面粗糙度。2.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述第一介质层由以下至少一种材料得到，包括：氧化硅单质、氮化硅单质、氧化硅掺杂物和氮化硅掺杂物，所述氧化硅掺杂物由氧化硅及以下至少一种材料得到，包括：氟、磷以及氮，所述氮化硅掺杂物由氮化硅及以下至少一种材料得到，包括：氟、磷以及氮。3.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述第一介质层厚度为0.2～500纳米，所述第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于0.2纳米。4.根据权利要求1所述的磁存储器，其特征在于，所述磁存储器还包括第二介质层，所述第二介质层设置于所述磁隧道结上方，所述第二介质层用于增强所述磁隧道结的膜层结构可靠性参数。5.根据权利要求4所述的磁存储器，其特征在于，所述第二介质层由以下至少一种材料得到，包括：氧化硅单质、氮化硅单质、氧化硅掺杂物和氮化硅掺杂物，所述氧化硅掺杂物由氧化硅及以下至...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文静，孙慧岩，李淑慧，李丹丹，曹凯华，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：