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本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该磁存储器包括：金属填充塞层以及设置在金属填充塞层上方的第一介质层和磁隧道结，第一介质层设置于金属填充塞层以及磁隧道结之间，第一介质层与所述磁隧道结的接触面粗糙度小于金属填充塞层表面粗糙度...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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