一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件、制备方法及其应用技术

技术编号:35214531 阅读:42 留言:0更新日期:2022-10-15 10:29
本发明专利技术涉及磁性存储技术领域,具体涉及一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件、制备方法及其应用,器件包括衬底、磁性层、底电极、绝缘层、顶电极,所述磁性层设于所述衬底一侧,所述底电极设于所述磁性层背离所述衬底的一侧,所述绝缘层设于所述底电极背离所述衬底的一侧,所述顶电极设于所述绝缘层背离所述衬底的一侧,这种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,通过电场调控金属性铁磁体磁性,解决了现有的电场难以有效调控金属铁磁性磁体的磁学性能的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及磁性存储
,具体涉及一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]磁性存储作为新型存储器,其将信息存储于磁性层的磁化方向中,并且具有读写速度快、能耗低以及无限期的数据存储能力等特点。因此,磁性存储器件在未来的存储领域具有较大的潜力。但是,磁性储存器的数据写入过程一直限制着其发展,研究者们一直力求找到与现有集成电路技术兼容的,并且能耗低的数据写入方式。
[0003]为了实现利用电学方式在磁性存储单元中写入数据并且降低功耗,研究者们发现在自旋阀结构中,利用自旋传输矩(STT)以及自旋轨道矩(SOT)能够有效降低数据写入的电流密度。但是当前的技术仍然要求较大地电流密度产生足够强的自旋力矩来翻转自由层的磁化方向,因此,仍然存在着较高的能量损耗以及由于大电流密度带来的副效应损害自旋阀结构的风险。
[0004]为了进一步降低写入的电流密度,研究者们发现利用电场写入或者辅助写入数据能够有效降低能耗。但是由于金属性铁磁体具有较高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,包括衬底、磁性层、底电极、绝缘层、顶电极,所述磁性层设于所述衬底一侧,所述底电极设于所述磁性层背离所述衬底的一侧,所述绝缘层设于所述底电极背离所述衬底的一侧,所述顶电极设于所述绝缘层背离所述衬底的一侧。2.如权利要求1所述的一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,所述磁性层为范德瓦尔斯金属性铁磁体。3.如权利要求1所述的一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,所述绝缘层为氧化镁。4.如权利要求1所述的一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,所述底电极和顶电极均为铬/金电极。5.如权利要求1所述的一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,所述磁性层的厚度为10nm

50nm。6.如权利要求1所述的一种用于调控金属性铁磁体磁性的器件,其特征在于,所述绝缘层的厚度为10nm
...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆亚林吴清梅傅正平崔璋璋王建林黄浩亮黄秋萍
申请(专利权)人:中国科学技术大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1