一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法技术

本发明专利技术属于场效应晶体管制备技术领域，具体的说是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法；通过设置设备箱、筒体、漏斗板、锥座、分流环板、挡杆、收集筐和打磨环；将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚被多个分流环板和挡杆阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽的内部，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。的打磨效率。的打磨效率。

【技术实现步骤摘要】
一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法


[0001]本专利技术属于场效应晶体管制备
，具体的说是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应晶体管是一种广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管，金氧半场效晶体管在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。
[0003]公开号为CN113649897A的一项中国专利公开了一种电子元器件引脚打磨装置，包括箱体、与所述箱体转动连接的门板、设与所述门板外侧的触摸屏，所述箱体内设有用于放置电子元器件且与所述箱体滑动配合的放置板，所述电子元器件的引脚突出于所述放置板端面设置，所述箱体底部设有第一电机，所述第一电机连接有第一丝杆，所述第一丝杆上设有相对设置的两个传动螺母，两个所述传动螺母朝向所述放置板的一侧均设有安装板，所述安装板朝向放置板的一侧设有用于打磨引脚的打磨轮，另一侧设有带动打磨轮转动的第二电机，所述打磨轮通过第一丝杆与传动螺母传动配合，实现相向或反向位移。该专利技术具有便于对元器件引脚进行打磨、打磨效率较高、不易出现报废件的优点。
[0004]金属氧化物半导体场效应晶体管的引脚由片状金属冲切而成，冲切生产出来的引脚边缘残留毛刺，毛刺影响金属氧化物半导体场效应晶体管的安装工作；上述的引脚打磨装置虽然避免了工作人员逐一的进行打磨工作，但是需要工作人员手动添加摆放引脚，在打磨完成后需要手动取下引脚，极大的增大了工作人员的工作量。
[0005]为此，本专利技术提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法。

技术实现思路

[0006]为了弥补现有技术的不足，解决
技术介绍
中所提出的至少一个技术问题。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下步骤：
[0008]A1：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；
[0009]A2：在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；
[0010]A3：进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；
[0011]A4：去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；
[0012]A5：非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；
[0013]A6：将冲切出来的引脚通过打磨装置进行打磨处理，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。
[0014]优选的，A6中所述打磨装置的打磨处理方法包括以下步骤：
[0015]B1：将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚滑到锥座的顶部，被多个分流环板和挡杆阻挡而改变方向，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部；
[0016]B2：真空泵经过进风孔将竖孔内部的气体吸入收集腔内，使得竖孔产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；
[0017]B3：引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部；
[0018]B4：真空泵产生的气流将打磨环打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔的内部，实现的对碎屑的收集工作。
[0019]优选的，所述打磨装置包括设备箱、筒体、漏斗板、锥座、分流环板、挡杆、收集筐和打磨环；所述设备箱的顶面固接有筒体，所述设备箱的顶面中部固接有锥座，所述锥座的外圈贯穿设备箱的顶壁，所述筒体的顶部内壁固接有漏斗板，所述漏斗板的底部内圈套在锥座的顶部外圈，所述锥座的外圈顶面固接有多个分流环板，所述分流环板的外壁与锥座的外壁均固接有多个挡杆，所述分流环板的外壁与锥座的外壁均开设有导槽，所述导槽与挡杆交替分布，所述锥座的外圈开设有多个竖孔，所述竖孔的顶端连通导槽的底端，所述竖孔的内壁镶嵌有多个打磨环，所述设备箱的内部底面滑动安装有收集筐；打磨环的内壁设置有多个凸起；工作时，将冲切出来的引脚倒入漏斗板的内部，引脚滑到锥座的顶部，被多个分流环板阻挡而分成多层，再被挡杆阻挡而改变方向，使得引脚滑入导槽的内部，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部，引脚向下滑动穿过多个打磨环，打磨环将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐的内部，便于工作人员对引脚进行批量打磨工作，降低了工作人员的工作量，提高了引脚的打磨效率。
[0020]优选的，所述锥座的外圈顶面固接有环形挡板，所述环形挡板套在分流环板的外圈，所述环形挡板的顶部内圈套在漏斗板的底部外圈；通过设置的环形挡板对从漏斗板内部落下的引脚进行阻挡，使得落下的引脚均落在分流环板的顶部，从而降低了引脚落到筒体的内部外圈的概率。
[0021]优选的，所述锥座的内部顶侧开设有设备腔，所述锥座的内部底侧开设有收集腔，所述设备腔的内部底面固接有真空泵，所述设备腔的顶部外圈开设有多个出风孔，所述出风孔连通设备腔，所述真空泵的进风端管道连通收集腔，所述收集腔的外圈开设有多个进风孔，所述进风孔远离收集腔的一端连通竖孔，且进风孔连通竖孔的一端为倾斜向上；工作时，引脚顺着导槽滑入竖孔的内部后，真空泵将收集腔内部的空气排出，使得收集腔的内部产生负压，经过进风孔将竖孔内部的气体吸入收集腔内，使得竖孔产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动，提高了引脚穿过打磨环的速率，降低了引脚发生卡住堵塞的概率，同时，将打磨环打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔的内部，实现的对碎屑的收集工作，提高了引脚的清洁程度。
[0022]优选的，所述竖孔的底端外圈环绕固接有多个弹性膜片，所述锥座的底面外圈固接有导向套，所述导向套的底部外圈套在收集筐的内圈；通过设置的弹性膜片，降低了竖孔底部的气体被吸入收集腔内部，进一步提高了引脚向下滑动的速率；工作时，引脚穿过弹性膜片落下，经过导向套的阻挡导向，使得引脚准确的落入收集筐的内部。
[0023]优选的，所述收集腔的底部栓接有收集盒，所述收集盒的顶面外圈固接有弹性环片，所述弹性环片的外壁与收集腔的内壁滑动配合，所述收集腔的顶部固接有多孔网板，所
述多孔网板的底面外圈固接有滤布；通过弹性环片将收集盒与收集腔之间的缝隙进行密封；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔的内部，碎屑吸附到滤布的底面，当真空泵停止工作时，碎屑从滤布的底面掉落，碎屑落入收集盒的内部，从而便于工作人员的回收工作。
[0024]优选的，所述多孔网板滑动安装有多个滑杆，且滑杆滑动贯穿多孔网板，所述滑杆的顶端固接有圆板，所述滑杆的底端外圈固接有多个球头杆；球头杆为弧形杆的端头固接有圆球；工作时，打磨碎屑伴随气流进入收集腔的内部，碎屑吸附到滤布的底面，气流带动圆板向上移动，带动滑杆向上滑动，使得球头杆的底端脱离滤布；当真空泵停止工作时，滑杆、圆板和球头杆在自身的重力作用下向下滑动，使得球头杆的球头推动滤布撑开，从而提高了碎屑掉率速率。
[0025]优选的，所述锥座的顶端转动安装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：制备方法包括以下步骤：A1：在半导体衬底上形成氧化硅介质层，在氧化硅介质层上形成掩膜层；A2：在掩膜层上进行刻蚀，暴露出部分的氧化硅介质层；A3：进行氩离子注入，改变暴露的氧化硅介质层的刻蚀速率；A4：去除掩膜层，通过湿法刻蚀在氧化硅介质层中形成台阶，形成非对称栅介质层；A5：非对称栅介质层表面形成栅极，并在栅极一侧，且靠近具有较大厚度的栅介质层的衬底内形成漏极，以及在栅极另一侧的衬底内形成源极；A6：将冲切出来的引脚通过打磨装置进行打磨处理，将打磨完成后的引脚分别与栅极、漏极和源极进行焊接，并进行封装处理。2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：A6中所述打磨装置的打磨处理方法包括以下步骤：B1：将冲切出来的引脚倒入漏斗板(3)的内部，引脚滑到锥座(4)的顶部，被多个分流环板(5)和挡杆(6)阻挡而改变方向，引脚顺着导槽(9)滑入竖孔(10)的内部；B2：真空泵(14)经过进风孔(16)将竖孔(10)内部的气体吸入收集腔(13)内，使得竖孔(10)产生向下的吸力，吸力拉动引脚向下滑动；B3：引脚向下滑动穿过多个打磨环(8)，打磨环(8)将引脚的外壁进行打磨，去除引脚表面的毛刺，打磨后的引脚落入收集筐(8)的内部；B4：真空泵(14)产生的气流将打磨环(8)打磨引脚产生的碎屑吸入收集腔(13)的内部，实现的对碎屑的收集工作。3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述打磨装置包括设备箱(1)、筒体(2)、漏斗板(3)、锥座(4)、分流环板(5)、挡杆(6)、收集筐(7)和打磨环(8)；所述设备箱(1)的顶面固接有筒体(2)，所述设备箱(1)的顶面中部固接有锥座(4)，所述锥座(4)的外圈贯穿设备箱(1)的顶壁，所述筒体(2)的顶部内壁固接有漏斗板(3)，所述漏斗板(3)的底部内圈套在锥座(4)的顶部外圈，所述锥座(4)的外圈顶面固接有多个分流环板(5)，所述分流环板(5)的外壁与锥座(4)的外壁均固接有多个挡杆(6)，所述分流环板(5)的外壁与锥座(4)的外壁均开设有导槽(9)，所述导槽(9)与挡杆(6)交替分布，所述锥座(4)的外圈开设有多个竖孔(10)，所述竖孔(10)的顶端连通导槽(9)的底端，所述竖孔(10)的内壁镶嵌有多个打磨环(8)，所述设备箱(1)的内部底面滑动安装有收集筐(7)。4.根据权利要求3所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述锥座...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄传伟，李健，陈白杨，吴雷，
申请(专利权)人：江苏东海半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：