集成组合件及形成集成组合件的方法技术

本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有横向延伸的容器形第一电容器电极及具有从所述第一电容器电极横向偏移的横向延伸的容器形第二电容器电极。电容器电介质材料垫衬所述容器形第一及第二电容器电极的内表面及外表面。共享电容器电极在所述第一与第二电容器电极之间垂直延伸，并沿所述第一及第二电容器电极的所述经垫衬内及外表面延伸。一些实施例包含形成集成组合件的方法。例包含形成集成组合件的方法。例包含形成集成组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成组合件及形成集成组合件的方法


[0001]集成组合件(例如，集成存储器)。形成集成组合件的方法。

技术介绍

[0002]集成组合件可包含存储器。图1中展示实例存储器配置1200。晶体管(存取装置)1206包含半导体材料1204的水平延伸段，其中此类段包含源极/漏极区1238及1240，并且包含沟道区1242。电容器1208通过导电互连件1244与晶体管1206耦合。在一些应用中，导电互连件可被视为电容器的部分，并且可例如被视为此类电容器的存储节点的部分。
[0003]存储器单元1210包括晶体管1206及电容器1208。存储器单元布置在存储器配置(存储器阵列)1200内，其中此阵列具有沿所说明z轴方向延伸的行1224，并且具有沿所说明x轴方向延伸的列1246。数字线1212沿列1246延伸，并且与晶体管1206的源极/漏极区1238耦合。字线1214沿存储器阵列的行1224延伸，并且邻近于晶体管1206的沟道区1242。在所说明实施例中，字线中的每一者包括两个段，其中此段在沟道区1242的相对侧上。在其它实施例中，字线可包括其它合适配置，并且可例如仅包括沟道区的一侧上的单个组件，且可包括全包围栅极配置等。
[0004]字线1214通常通过栅极电介质材料(例如，二氧化硅)与沟道区1242间隔，但是为简化图式，图1中未展示此栅极电介质材料。
[0005]晶体管1206的主体区(沟道区)1242与导电板1248耦合。此板可用于在存储器单元1210的一些操作模式期间使多余载流子(例如，空穴)从主体区1242排出。
[0006]图2展示图1的组合件1200沿y轴方向的横截面侧视图，并以图解方式说明上文参考图1描述的结构中的一些。晶体管1206展示为沿y轴方向水平延伸。字线1214展示为沿z轴方向垂直延伸，且数字线1212展示为相对于图2的横截面视图水平延伸进出页面。为简化图式，图2中未展示导电板1248(图1)。
[0007]展示横向相邻存储器单元1210的电容器1208在图2的存储器配置1200中共享板电极1250。
[0008]基底1216支撑存储器配置1200的组件。此基底可包括半导体材料；并且可例如包括单晶硅，基本上由其组成或由其组成。基底1216可被称为半导体衬底。术语“半导体衬底”意味着包括半导电材料的任何构造，其包含(但不限于)块状半导电材料(例如半导电晶片)(单独或在包括其它材料的组合件中)及半导电材料层(单独或在包括其它材料的组合件中)。术语“衬底”是指任何支撑结构，其包含(但不限于)上述半导体衬底。在一些应用中，基底1216可对应于含有与集成电路制造相关联的一或多种材料的半导体衬底。此类材料可包含例如耐火金属材料、势垒材料、扩散材料、绝缘体材料等中的一或多者。
[0009]图3中展示另一实例存储器配置1300。晶体管(存取装置)1306包含半导体材料1304的水平延伸段，其中此类段包含源极/漏极区1338及1340，并且包含沟道区1342。电容器1308通过导电互连件1344与晶体管1306耦合。在一些应用中，导电互连件可被视为电容器的部分，并且可例如被视为此类电容器的存储节点的部分。
[0010]存储器单元1310包括晶体管1306及电容器1308。存储器单元布置在存储器配置(存储器阵列)1300内。数字线1312沿存储器阵列的列延伸，并与晶体管1306的源极/漏极区1338耦合。数字线沿z轴方向垂直延伸。
[0011]字线1314沿存储器阵列的行延伸，并且邻近于晶体管1306的沟道区1342。字线1314通过栅极电介质材料1305与沟道区1342间隔。
[0012]晶体管1306的主体区(沟道区)1342与导电板1348耦合。此板可用于在存储器单元1310的一些操作模式期间使多余载流子(例如，空穴)从主体区1342排出。
[0013]图4展示图3的组合件1300沿x轴方向的横截面侧视图，并以图解方式说明上文参考图3描述的结构中的一些。晶体管1306展示为沿x轴方向水平延伸。数字线1312展示为沿z轴方向垂直延伸，且字线1314展示为相对于图4的横截面视图水平延伸进出页面。
[0014]展示横向相邻存储器单元1310的电容器1308共享板电极1350。
[0015]展示存储器配置1300的所说明组件由基底1316支持。此基底可为半导体衬底。
[0016]图1到4中展示的存储器利用与存取装置的源极/漏极区耦合的横向延伸电容器。期望开发改进的横向延伸电容器，并且期望开发形成改进的横向延伸电容器的方法。

技术实现思路

[0017]本公开的实施例提供一种集成组合件，其包括：横向延伸的容器形第一电容器电极，其中所述容器形状的所述第一电容器电极沿第一横向方向敞开；横向延伸的容器形第二电容器电极，其从所述第一电容器电极横向偏移，其中所述容器形状的所述第二电容器电极沿与所述第一横向方向相反的第二横向方向敞开；电容器电介质材料，其垫衬所述容器形第一及第二电容器电极的内表面及外表面；及共享电容器电极，其在所述第一与第二电容器电极之间垂直延伸，并沿所述第一及第二电容器电极的所述经垫衬内及外表面延伸；所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料及所述第一电容器电极一起并入第一横向延伸电容器中；且所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料及所述第二电容器电极一起并入第二横向延伸电容器中，其中所述第二横向延伸电容器从所述第一横向延伸电容器横向偏移。
[0018]本公开的另一实施例提供一种集成组合件，其包括：共享电容器电极材料的柱，其垂直延伸穿过交替的第一与第二层级的堆叠；所述第一层级为含有电容器的层级，并包括成对的横向延伸电容器；每一组所述成对的电容器包含第一电容器及第二电容器，其中所述第二电容器大体上是所述第一电容器沿垂直延伸穿过所述共享电极材料的所述柱的中心的平面的镜像；所述电容器包含与和存取装置相关联的源极/漏极区耦合的容器形电极；所述共享电极材料沿所述容器形电极的内及外表面延伸，并通过电容器电介质材料与所述内及外表面间隔；及所述第二层级为包括一或多种绝缘材料的绝缘层级。
[0019]本公开的又一实施例提供一种形成集成组合件的方法，其包括：形成包含交替的第一层级与绝缘层级的堆叠的构造；所述第一层级包括半导体材料；所述构造包含垂直延伸穿过所述堆叠的绝缘面板；所述绝缘面板沿第一方向横向延伸；形成沟槽以延伸穿过所述堆叠，所述沟槽沿与所述第一方向交叉的第二方向横向延伸；使所述第一层级的所述半导体材料凹入以形成邻近所述沟槽的空腔，所述空腔沿所述第一方向横向延伸；所述空腔中的每一者在一对相邻的所述绝缘面板之间；所述半导体材料的剩余区界定远离所述沟槽
的所述空腔的横向外围；在所述半导体材料内沿所述空腔的所述横向外围形成源极/漏极区；在所述空腔内形成第一电容器电极材料，并将所述第一电极材料图案化为容器形电容器电极；所述容器形电容器电极的区与所述源极/漏极区电耦合；所述容器形电容器电极具有在所述容器形状内的内表面，并且具有带有沿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：横向延伸的容器形第一电容器电极，其中所述容器形状的所述第一电容器电极沿第一横向方向敞开；横向延伸的容器形第二电容器电极，其从所述第一电容器电极横向偏移，其中所述容器形状的所述第二电容器电极沿与所述第一横向方向相反的第二横向方向敞开；电容器电介质材料，其垫衬所述容器形第一及第二电容器电极的内表面及外表面；及共享电容器电极，其在所述第一与第二电容器电极之间垂直延伸，并沿所述第一及第二电容器电极的所述经垫衬内及外表面延伸；所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料及所述第一电容器电极一起并入第一横向延伸电容器中；且所述共享电容器电极、所述电容器电介质材料及所述第二电容器电极一起并入第二横向延伸电容器中，其中所述第二横向延伸电容器从所述第一横向延伸电容器横向偏移。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二电容器电极包括金属氮化物。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二电容器电极包括氮化钛。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述共享电容器电极包括钨。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括存储器阵列，且其中所述第一及第二电容器在所述存储器阵列的第一及第二存储单元内。6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述存储器阵列包括：第一存取晶体管，其通过第一源极/漏极区与所述第一电容器电极耦合；及第二存取晶体管，其通过第二源极/漏极区与所述第二电容器电极耦合。7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述存储器阵列包括垂直延伸字线。8.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述存储器阵列包括垂直延伸数字线。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二电容器一起为电容器组合件，其中所述电容器组合件为许多大体上等同电容器组合件中的一者；其中所述电容器组合件沿电容器组合件层级；其中所述电容器组合件层级与绝缘层级垂直交替；且其中存在至少8个所述电容器组合件层级。10.一种集成组合件，其包括：共享电容器电极材料的柱，其垂直延伸穿过交替的第一与第二层级的堆叠；所述第一层级为含有电容器的层级，并包括成对的横向延伸电容器；每一组所述成对的电容器包含第一电容器及第二电容器，其中所述第二电容器大体上是所述第一电容器沿垂直延伸穿过所述共享电极材料的所述柱的中心的平面的镜像；所述电容器包含与和存取装置相关联的源极/漏极区耦合的容器形电极；所述共享电极材料沿所述容器形电极的内及外表面延伸，并通过电容器电介质材料与所述内及外表面间隔；及所述第二层级为包括一或多种绝缘材料的绝缘层级。11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述容器形电极大体上为矩形。12.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述共享电容器电极材料包括与所述容器形电极不同的成分。13.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述共享电容器电极材料包括与所述容器形电极相同的成分。
14.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述绝缘层级包括二氧化硅及氮化硅。15.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述源极/漏极区包括n型掺杂硅。16.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述电容器电介质材料包括二氧化硅。17.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲奇，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：