一种耐低温硫杆菌应用方法技术

针对现有浸矿菌株在低温环境下氧化活性低、生长繁殖速度慢等问题，本发明专利技术提供了一株耐低温菌，该菌株可以在10℃时生长繁殖速度快，氧化亚铁的速率可以达到1.27g/L

【技术实现步骤摘要】
一种耐低温硫杆菌应用方法


[0001]本专利技术属于湿法冶金
，具体涉及一种耐低温化能自养硫杆菌及其应用方法。

技术介绍

[0002]某些细菌或其代谢产物可以从矿石中溶浸出有用金属，如铀、铜等，与常规的化学浸出相比，该技术具有充分利用资源、生产成本低和基本无环境污染等优点。
[0003]用于溶浸矿石的细菌按其生长的最佳温度分为三类，即中温菌(mesophile，25～40℃)、中等嗜热菌(moderate therophile，45～50℃)和高温菌(therophile， 55～80℃)。目前在科研试验和工业应用中经常用到的是中温菌，在温度 20～35℃，细菌生长繁殖速度快，氧化活性高。以经常用到的A f菌为例，其最佳生长温度范围是28～35℃，当环境温度在其最适宜范围内时，细菌生长繁殖速度很快，氧化亚铁的速率可以达到9g/L
·
d，随着温度的降低，氧化亚铁速度下降，当降低到10℃左右，细菌活性极低，氧化亚铁的速率<0.1g/L
·
d，甚至更低。
[0004]当采用细菌浸出技术的矿山处于冬季或高寒地带时，生产效率较低。低温对于微生物的不利影响，也会制约到废水的生化处理速度。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于：提供一株可在低温环境中生长的硫杆菌。
[0006]本专利技术的技术方案如下：一种耐低温硫杆菌应用方法，包括以下步骤:
[0007]S1：配置实验溶液，包括FeSO4·
7H2O 45g/L，(NH4)2SO
4 3g/L，pH 2.0；
[0008]S2：取S1配置的溶液放置于锥形瓶中；
[0009]S3：取细菌SWU2培养液于S2中的锥形瓶中，混合均匀
[0010]S4：将S3所得的锥形瓶放置在恒温摇床中。
[0011]所述S1中，取80ml溶液放置于锥形瓶中。
[0012]所述S1中，取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中。
[0013]所述S3中，取20ml细菌SWU2培养液于S2中的锥形瓶中。
[0014]所述S1中，用锥形瓶、量筒配置实验溶液，且锥形瓶、量筒均灭菌。
[0015]所述S4中，将S3所得的锥形瓶放置在10℃恒温摇床中，
[0016]所述S4中，转速为120r/min。
[0017]所述S3中，细菌SWU2为嗜酸性化能自养菌。
[0018]所述S3中，细菌SWU2生长温度为10℃～30℃；生长pH为1.8～2.5。
[0019]所述S3中，细菌SWU2大小为0.4
‑
0.6μm
×2‑
2.5μm。
[0020]本专利技术的显著效果在于：本专利技术的硫杆菌(Acidithiobacillus ferrooxidansSWU2)具有较强的耐低温性能，在温度为10℃时仍能较好生长，氧化亚铁的速率可以达到1.27g/L
·
d。该菌株可以在铀矿、铜矿的浸出中得到广泛应用，也可以在环境保护中得到广
泛应用，如可以应用于污水处理等。
具体实施方式
[0021]以下结合实施例对本专利技术作出进一步的说明，但本专利技术的内容并不限于所述范围。
[0022]本专利技术的目的是提供一种可在低温环境中生长、具有较高活性和氧化效率的硫杆菌及其应用方法。
[0023]本专利技术所述的化能自养菌(SWU2)，已于2019年5月23日保藏在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，地址：北京市朝阳区北辰西路1号院3号，中国科学院微生物研究所，保藏号CGMCC No.17691，保藏名称Acidithiobacillus ferrooxidans SWU2。
[0024]建议的分类命名:氧化亚铁硫杆菌,Thiobacillus ferrooxidans
[0025]该化能自养硫杆菌(SWU2)为革兰氏阴性，光学显微镜下菌体小，杆状，能运动，大小为0.4
‑
0.6μm
×2‑
2.5μm。
[0026]该硫杆菌是典型嗜酸性化能自养菌，通过氧化Fe
2+
和硫化物而获得能量生长，产物为Fe
3+
、硫酸、硫酸盐；利用CO2为碳源；生长温度为10℃～30℃；生长pH为1.8～2.5。
[0027]该化能自养硫杆菌具有较强的耐低温性能，在温度为10℃时仍能较好生长，氧化亚铁的速率可以达到1.27g/L
·
d。
[0028]本专利技术的化能自养硫杆菌(SWU2)可用于从含Fe
2+
或硫化物的矿石中回收铀、铜等金属
[0029]对比例
[0030]试验用溶液主要组成由：FeSO4·
7H2O 45g/L，(NH4)2SO
4 3g/L，pH 2.0，所用锥形瓶、量筒等均需要灭菌。
[0031]在实验室采用常用的生长温度生长温度30℃的菌株M1，具体步骤如下：
[0032](1)取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中；
[0033](2)取20ml细菌M1培养液于步骤(1)中的锥形瓶中，混合均匀；
[0034](3)将步骤(2)所得的锥形瓶放置在10℃恒温摇床中，转速为120r/min，每天观察溶液颜色、测量溶液氧化还原电位，定期在显微镜下观察溶液中的细菌。
[0035]结果表明：经过10天培养，锥形瓶中溶液颜色变化较小，仍为淡绿色，溶液氧化还原电位在400mv，显微镜下观察细菌数量很少，说明细菌活性很低。
[0036]实施例1
[0037]试验用溶液主要组成由：FeSO4·
7H2O 45g/L，(NH4)2SO
4 3g/L，pH 2.0，所用锥形瓶、量筒等均需要灭菌。
[0038]在实验室采用本专利技术菌株SWU2，具体步骤如下：
[0039](1)取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中；
[0040](2)取20ml细菌SWU2培养液于步骤(1)中的锥形瓶中，混合均匀；
[0041](3)将步骤(2)所得的锥形瓶放置在10℃恒温摇床中，转速为120r/min，每天观察溶液颜色、测量溶液氧化还原电位，定期在显微镜下观察溶液中的细菌。
[0042]结果表明：经过7天培养，锥形瓶中溶液颜色有最初的淡绿色变成了棕红色，溶液氧化还原电位升高到508mv，显微镜下观察细菌数量很多，说明细菌活性高。
[0043]实施例2
[0044]试验用溶液主要组成由：FeSO4·
7H2O 45g/L，(NH4)2SO
4 3g/L，pH 2.0，所用锥形瓶、量筒等均需要灭菌。
[0045]在实验室采用本专利技术菌株SWU2，具体步骤如下：
[0046](1)取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中；
[0047](2)取20ml细菌SWU2培养液于步骤(1)中的锥形瓶中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐低温硫杆菌应用方法，其特征在于：包括以下步骤:S1：配置实验溶液，包括FeSO4·
7H2O 45g/L，(NH4)2SO
4 3g/L，pH 2.0；S2：取S1配置的溶液放置于锥形瓶中；S3：取细菌SWU2培养液于S2中的锥形瓶中，混合均匀S4：将S3所得的锥形瓶放置在恒温摇床中。2.根据权利要求1所述的一种耐低温硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S1中，取80ml溶液放置于锥形瓶中。3.根据权利要求2所述的一种耐低温硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S1中，取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中。4.根据权利要求1所述的一种耐低温硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S3中，取20ml细菌SWU2培养液于S2中的锥形瓶中。5.根据权利要求1所述的一种耐低温硫杆菌应用方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟运生，张静敏，刘辉，郑英，
申请(专利权)人：核工业北京化工冶金研究院，
类型：发明
国别省市：