本实用新型专利技术公开了一种微型发光二极管、显示屏及电子设备，该微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层、发光层、第一电极、第二电极以及第一介质层。发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，沿自第一半导体层向第二半导体层的方向，发光层包括中部区域以及围绕于中部区域的外周的第一外围区域，第一电极设置于第一半导体层远离发光层一侧，第二电极设置于第二半导体层，第一介质层对应于第一外围区域设于第一半导体层和发光层之间，第一介质层用于阻挡电流，从而减少流向发光层的侧壁面的电流，以降低发光层的侧壁缺陷对电流流通的影响，同时提升电流在中部区域内的电流密度，从而有效提升微型发光二极管的发光效率。从而有效提升微型发光二极管的发光效率。从而有效提升微型发光二极管的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管、显示屏及电子设备
[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种微型发光二极管、显示屏及电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中的微型发光二极管往往包括通过黄光工艺形成的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，难以避免的，第一半导体层、发光层以及第二半导体层的侧壁会在黄光工艺的蚀刻工序中产生侧壁缺陷，该侧壁缺陷会影响电流流通，从而导致微型发光二极管的效率下降。尤其是微型发光二极管越来越追求更加小型化的设计，第一半导体层、发光层以及第二半导体层的第一侧壁面积占比越大，侧壁缺陷对微型发光二极管的发光效率影响更加严重。
技术实现思路
[0003]本技术实施例公开了一种微型发光二极管、显示屏及电子设备，该微型发光二极管的侧壁缺陷对电流流通的影响小，微型发光二极管的发光效率高。
[0004]为了实现上述目的，第一方面，本技术公开了一种微型发光二极管，包括：
[0005]第一半导体层；
[0006]第二半导体层；
[0007]发光层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，沿自所述第一半导体层向所述第二半导体层的方向，所述发光层包括中部区域以及围绕于所述中部区域的外周的第一外围区域；
[0008]第一电极，所述第一电极设置于所述第一半导体层远离所述发光层一侧；
[0009]第二电极，所述第二电极设置于所述第二半导体层；以及，
[0010]第一介质层，所述第一介质层对应于所述第一外围区域设于所述第一半导体层和所述发光层之间，所述第一介质层用于阻挡电流。
[0011]作为本技术实施例一种可选的实施方式，沿所述自所述第一半导体层向所述发光层的方向上，所述第一介质层的投影覆盖所述第一外围区域。
[0012]作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第一介质层的连接于所述发光层的侧壁面处，与所述第一介质层朝向所述中部区域的边缘之间的尺寸为a1，2um≤a1≤5um。
[0013]作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
[0014]作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第一半导体层的对应连接于所述第一外围区域的部分钝化，以形成所述第一介质层。
[0015]作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第一半导体层的对应连接于所述第一外围区域的部分设有绝缘材料，以形成所述第一介质层。
[0016]作为本技术实施例一种可选的实施方式，沿自所述第二半导体层向所述第一半导体层的方向，所述第一半导体层包括连接于所述第一外围区域的外周的第二外围区域，所述第二电极对应于所述中部区域，所述第一电极对应所述第二外围区域；
[0017]所述第二外围区域位于所述第一外围区域的一侧，或者，所述第二外围区域环绕于所述第一外围区域的外周。
[0018]作为本技术实施例一种可选的实施方式，沿自所述第二半导体层向所述第一半导体层的方向，所述第一半导体层还包括与所述第一外围区域相间隔的电极区域，所述第二外围区域环绕所述电极区域，且连接于所述电极区域的外周，所述第一电极对应连接于所述电极区域，所述微型发光二极管还包括第二介质层，所述第二介质层设于所述第二外围区域，且位于所述第一半导体层的朝向所述第一电极的一侧，所述第二介质层用于阻挡电流。
[0019]第二方面，本技术公开了一种显示屏，包括如上述第一方面所述的微型发光二极管。
[0020]第三方面，本技术公开了一种电子设备，包括如上述第一方面所述的微型发光二极管，或者，包括如上述第二方面所述的显示屏。
[0021]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0022]本技术实施例提供的微型发光二极管，通过对应第一外围区域，在第一半导体层与发光层之间设置第一介质层，以通过第一介质层阻挡电流流向第一外围区域，从而减少流向发光层的侧壁面的电流，以降低发光层的侧壁缺陷对电流流通的影响，从而提升微型发光二极管的发光效率。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本技术第一方面公开的微型发光二极管的第一种结构剖面示意图；
[0025]图2是本技术第一方面公开的微型发光二极管的第二种结构剖面示意图；
[0026]图3是本技术第一方面公开的微型发光二极管的第三种结构剖面示意图；
[0027]图4是图3中M处的放大图；
[0028]图5是本技术第二方面公开的显示屏的电路结构框图；
[0029]图6是本技术第三方面公开的电子设备的一种电路结构框图；
[0030]图7是本技术第三方面公开的电子设备的另一种结构的立体图。
[0031]主要附图标记说明
[0032]微型发光二极管1；第一半导体层11；第一电极110；第二外围区域111；电极区域112；第二半导体层12；第二电极120；发光层13；中部区域130；第一外围区域131；第一介质层14；第二介质层15；基板16；缓冲层17；显示屏2；电子设备3。
具体实施方式
[0033]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0034]在本技术中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本技术及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
[0035]并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本技术中的具体含义。
[0036]此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0037]此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：第一半导体层；第二半导体层；发光层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，沿自所述第一半导体层向所述第二半导体层的方向，所述发光层包括中部区域以及围绕于所述中部区域的外周的第一外围区域；第一电极，所述第一电极设置于所述第一半导体层远离所述发光层一侧；第二电极，所述第二电极设置于所述第二半导体层；以及，第一介质层，所述第一介质层对应于所述第一外围区域设于所述第一半导体层和所述发光层之间，所述第一介质层用于阻挡电流。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，沿所述自所述第一半导体层向所述发光层的方向上，所述第一介质层的投影覆盖所述第一外围区域。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一介质层的连接于所述发光层的侧壁面处，与所述第一介质层朝向所述中部区域的边缘之间的尺寸为a1，2um≤a1≤5um。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层的对应连接于所述第一外围区域的部分钝化，以形成所述第一介质层。6.根据权利要求4所述的微...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈书志，
申请(专利权)人：上海闻泰信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。