倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管芯片及具有其的发光装置。一实施例的发光二极管芯片包括：第一导电型半导体层；台面，配置到第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到第二导电型半导体层上；第一电流扩散器，欧姆接触到第一导电型半导体层；第二电流扩散器，电连接到透明电极；绝缘层，覆盖台面、第一电流扩散器及第二电流扩散器，包括分布布拉格反射器；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于绝缘层上，分别连接到第一电流扩散器及第二电流扩散器；且第一电流扩散器与台面之间的横向相隔距离大于绝缘层的厚度，靠近台面侧的第一电流扩散器的一侧侧面长于另一侧侧面。器的一侧侧面长于另一侧侧面。器的一侧侧面长于另一侧侧面。

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置
[0001]本申请是申请日为2019年6月27日、申请号为201910566516.5、题为“倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置。

技术介绍

[0003]发光二极管利用在大型背光单元(Back Light Unit，BLU)、普通照明及电子设备等各种产品，也利用在各种小型家电产品及室内装饰产品。进而，发光二极管不仅简单地用作光源，而且还可用作传达信息、唤起美感的用途等各种用途。
[0004]另一方面，为了提供高效率的发光二极管，通常制作倒装芯片型发光二极管。倒装芯片型发光二极管的散热性能优异，可利用反射层提高光提取效率。另外，利用倒装芯片接合技术，因此可省略接线，从而提高发光装置的稳定性。
[0005]以往，倒装芯片型发光二极管为了反射光而通常利用金属反射层。金属反射层一并具有欧姆特性及反射特性，因此可同时达成电连接与光反射。然而，金属反射层的反射率相对较低，因此产生非常大的光损耗。进而，会产生因长时间使用发光二极管而金属反射层的反射率减小的问题。
[0006]因此，要求一种可减少因使用金属反射层引起的光损耗的倒装芯片型发光二极管。

技术实现思路

[0007][专利技术要解决的问题][0008]本专利技术要解决的问题在于提供一种可减少因金属反射层引起的光损耗而提高光效率的倒装芯片型发光二极管芯片及具有其的发光装置。
>[0009]本专利技术要解决的另一问题在于提供一种利用具有高反射率的分布布拉格反射器，并且电可靠性优异的倒装芯片型发光二极管芯片及具有其的发光装置。
[0010]本专利技术要解决的又一问题在于提供一种构造简单的小型化的发光二极管芯片及具有其的发光装置。
[0011][解决问题的手段][0012]根据本专利技术的一实施例，提供一种发光二极管芯片，其包括：第一导电型半导体层；台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；第一电流扩散器，与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上，且欧姆接触到所述第一导电型半导体层；第二电流扩散器，配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，并具有使所述第一电流扩散器及第二电流扩散器的一部分露出的开口部，且包括分布布拉格反射
器；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上，通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及第二电流扩散器；且所述第一电流扩散器及第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的长条形状的延伸部，所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度，所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面，所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面，所述一侧侧面及另一侧侧面分别包括多个倾斜面，所述倾斜面相对于所述第一导电型半导体层的上表面具有55度以下的倾斜角，靠近所述台面侧的一侧侧面长于所述另一侧侧面。
[0013]根据本专利技术的又一实施例，提供一种发光装置，其包括：基板；以及所述发光二极管芯片，配置在所述基板上；且所述发光二极管芯片以所述第一焊垫电极及第二焊垫电极朝向所述基板的方式倒装芯片接合而成。
[0014][专利技术效果][0015]根据本专利技术的实施例，可通过利用分布布拉格反射器而达成高于金属反射层的反射率，进而可提高反射器的稳定性。另外，通过控制第一导电型半导体层、台面及电流扩散器的侧面倾斜面来防止分布布拉格反射器碎裂，因此可提供一种电稳定性较高的发光二极管芯片。
[0016]可通过以下说明的详细说明而明确地理解本专利技术的其他特征及优点。
附图说明
[0017]图1是用以说明本专利技术的一实施例的发光二极管芯片的俯视图。
[0018]图2是沿图1的切线A
‑
A获得的剖面图。
[0019]图3是沿图1的切线B
‑
B获得的剖面图。
[0020]图4是用以说明图1的发光二极管芯片的电流扩散器的概略性放大剖面图。
[0021]图5是表示电流扩散器的剖面的扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)照片。
[0022]图6是用以说明本专利技术的又一实施例的发光二极管芯片的概略性俯视图。
[0023]图7是用以说明本专利技术的又一实施例的发光二极管芯片的概略性俯视图。
[0024]图8是用以说明本专利技术的又一实施例的发光二极管芯片的概略性俯视图。
[0025]图9是用以说明本专利技术的一实施例的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)灯的概略性前视图。
[0026]图10是用以说明本专利技术的一实施例的灯带的概略图。
[0027]图11是用以说明本专利技术的又一实施例的LED灯的概略性前视图。
具体实施方式
[0028]以下，参照附图，详细地对本专利技术的实施例进行说明。以下介绍的实施例是为了可向本专利技术所属的
内的普通技术人员充分地传达本专利技术的思想而作为示例提供。因此，本专利技术并不限定于以下说明的实施例，也可具体化成其他实施方式。并且，在附图中，方便起见，也可夸张地表示构成要素的宽度、长度、厚度等。另外，在记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“正上部”或
“
正上方”的情况，而且包括在各构成要素与另一构成要素之间介置有其他构成要素的情况。在整篇说明书中，相同的参照符号表示相同的构成要素。
[0029]本专利技术的一实施例的发光二极管芯片包括：第一导电型半导体层；台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；第一电流扩散器，与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上，欧姆接触到所述第一导电型半导体层；第二电流扩散器，配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，具有使所述第一电流扩散器及第二电流扩散器的一部分露出的开口部，包括分布布拉格反射器；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上，通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及第二电流扩散器；且所述第一电流扩散器及第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的长条形状的延伸部，所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度，所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面，所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面，所述一侧侧面及另一侧侧面分别包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：第一导电型半导体层；台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；第一电流扩散器，与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上，且欧姆接触到所述第一导电型半导体层；第二电流扩散器，配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极；绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，并具有使所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器的一部分露出的开口部，且包括分布布拉格反射器；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上，通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，且所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的较长的形状的延伸部，所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度，所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面，所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面，所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别包括多个倾斜面，所述倾斜面相对于所述第一导电型半导体层的上表面具有55度以下的倾斜角，靠近台面侧的所述一侧侧面长于所述另一侧侧面。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电流扩散器的所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别具有宽于所述平坦的上表面的宽度，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珍雄，金京完，李锦珠，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：