构造用于互连件的器件载体、实现具有互连件的器件载体的封装及其制造过程制造技术

一种器件，包括：表面贴装器件载体，该表面贴装器件载体被构造为安装到晶体管封装的金属底座，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，该绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的顶面上的第一焊盘和第二焊盘；至少一个表面贴装器件包括第一端子和第二端子，所述表面贴装器件的所述第一端子安装在所述第一焊盘上，所述第二端子安装在所述第二焊盘上；第一端子和第二端子中的至少一个被构造为通过所述绝缘衬底与金属底座隔离，其中第一焊盘和第二焊盘中的至少一个被构造为引线键合焊盘。键合焊盘。键合焊盘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】构造用于互连件的器件载体、实现具有互连件的器件载体的封装及其制造过程
[0001]相关申请的引证
[0002]本申请要求于2020年2月21日提交的名为“构造用于互连件的器件载体、实现具有互连件的器件载体的封装及其制造过程”的美国专利申请第16/797,290号的权益，其全部内容通过引证结合于此。


[0003]本公开涉及一种构造用于互连件的器件载体。本公开进一步涉及一种实现具有互连件的器件载体的封装。本公开进一步涉及一种射频(RF)封装，该封装实现带有具有互连件的器件载体的射频(RF)器件。本公开进一步涉及一种射频(RF)功率放大器晶体管封装，该封装实现带有具有互连件的器件载体的RF器件。本公开进一步涉及一种制造构造用于互连件的器件载体的过程。本公开进一步涉及制造实现具有互连件的器件载体的封装的过程。本公开进一步涉及一种制造RF封装的过程，该RF封装实现带有具有互连件的器件载体的RF器件。本公开进一步涉及制造射频(RF)功率放大器晶体管封装的过程，该封装实现带有具有互连件的器件载体的RF器件。

技术介绍

[0004]射频(RF)功率放大器晶体管产品使用紧密接近晶体管管芯(die)的高质量Q电容器，以实现晶体管的更高视频带宽。正在使用基于硅的电容器(沟槽CAP或类似电容器)，因为它们可以附接到紧邻半导体晶体管管芯的散热器上。然而，基于硅的电容器价格昂贵并且提供有限的电容。这种基于硅的电容器使用沟槽或通孔来增加其Q值，但该电容器的电容仅限于nF范围。这导致需要更多数量的硅基电容器来提供所需的电容，从而进一步推高成本。此外，需要更多数量的硅基电容器会增加与管芯附接相关的制造成本，增加引线键合的数量以及增加制造的复杂性，从而降低产量。
[0005]与基于硅的电容器(在nF范围内)相比，表面贴装器件(SMD)陶瓷电容器价格便宜、具有高Q值并提供更大的电容(在μF范围内)。这些表面贴装器件旨在直接安装到电路板上的迹线或触点上。表面贴装器件与典型的RF晶体管封装不兼容，因为表面贴装器件不能安装在RF封装中通常使用的金属散热器上。表面贴装器件(SMD)电容器的底面都有两个端子
‑
当安装在典型RF晶体管封装的金属凸缘(散热器)上时会短路。此外，表面贴装器件(SMD)无法使用RF晶体管封装中通常使用的引线键合进行连接。
[0006]因此，需要一种RF产品，该RF产品可以实现可以利用各种元件构造来降低封装成本、降低封装制造成本、降低制造复杂性等的器件载体。

技术实现思路

[0007]本公开涉及一种表面贴装器件(SMD)载体，该载体能够在使用引线键合件和/或金属底座的RF晶体管封装中使用任何和所有类型的表面贴装器件(SMD)，诸如陶瓷电容器、振
荡器等，从而在不牺牲性能的情况下降低成本。根据本公开的某些方面，RF功率封装包括封装支撑件；至少一个器件载体，该至少一个器件载体包括至少一个器件，被构造为支撑至少一个器件的衬底，该衬底包括至少一个第一端子，该至少一个第一端子布置在载体的上表面上，该至少一个器件布置在衬底上并连接到至少一个第一端子，该衬底包括以下元件中的一项：印刷电路板(PCB)元件、陶瓷元件、玻璃元件、低温共烧陶瓷(LTCC)元件、高温共烧陶瓷(HTCC)元件和厚膜衬底元件、至少一个互连焊盘，该至少一个互连焊盘连接到至少一个第二个端子，该至少一个器件布置在衬底上并连接到至少一个第二端子。至少一个器件载体还包括：其中至少一个器件被构造为通过至少一个互连焊盘通过一个或多个互连件连接到至少一个次级器件；其中，至少一个器件包括以下至少一项：表面贴装器件(SMD)电容器、表面贴装器件(SMD)陶瓷电容器、表面贴装器件(SMD)振荡器、表面贴装器件(SMD)电感器、表面贴装器件(SMD)电阻器、表面贴装器件(SMD)功率分配器、表面贴装器件(SMD)功率分离器、表面贴装器件(SMD)放大器、表面贴装器件(SMD)平衡放大器，或表面贴装器件(SMD)组合器。至少一个器件载体还包括其中衬底被构造为电连接到RF封装的封装支撑件。至少一个器件载体还包括其中至少一个器件被构造为通过至少一个第一端子电连接到RF封装的封装支撑件。
[0008]一个方面包括一种RF晶体管封装，该封装包括：金属底座；安装到所述金属底座的晶体管管芯；安装到所述金属底座上的表面贴装器件载体，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，所述绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的顶面上的第一焊盘和第二焊盘；至少一个表面贴装器件包括第一端子和第二端子，所述表面贴装器件的所述第一端子安装在所述第一焊盘上，所述第二端子安装在所述第二焊盘上；第一端子和第二端子中的至少一个被构造为通过所述绝缘衬底与金属底座隔离；以及键合到第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的至少一个引线。
[0009]一个方面包括一种器件，该器件包括：表面贴装器件载体，该表面贴装器件载体被构造为安装到晶体管封装的金属底座，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，该绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的顶面上的第一焊盘和第二焊盘；至少一个表面贴装器件包括第一端子和第二端子，所述表面贴装器件的所述第一端子安装在所述第一焊盘上，所述第二端子安装在所述第二焊盘上；第一端子和第二端子中的至少一个被构造为通过所述绝缘衬底与金属底座隔离，其中第一焊盘和第二焊盘中的至少一个被构造为引线键合焊盘。
[0010]一个方面包括一种用于实现RF晶体管封装的过程(process，工艺、方法)，该过程包括提供金属底座；将晶体管管芯安装到所述金属底座上；将表面贴装器件载体安装到所述金属底座上，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，所述绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的顶面上的第一焊盘和第二焊盘；在表面贴装器件上提供第一端子和第二端子；将所述表面贴装器件的所述第一端子安装到所述第一焊盘，并且将所述表面贴装器件的所述第二端子安装到所述第二焊盘；将第一端子和第二端子中的至少一个构造为通过所述绝缘衬底与金属底座隔离；并且将至少一个引线键合件到第一焊盘和第二焊盘中的至少一个。
[0011]一个方面包括一种用于实现器件的过程，该过程包括构造表面贴装器件载体以安装到晶体管封装的金属底座上；将带有绝缘衬底的表面贴装器件载体构造为包括顶面和底
面以及布置在所述表面贴装器件载体的顶面上的第一焊盘和第二焊盘；构造带有第一端子和第二端子的至少一个表面贴装器件；将所述表面贴装器件的所述第一端子安装到所述第一焊盘上，并且将所述表面贴装器件的所述第二端子安装到所述第二焊盘上；以及将所述第一端子和所述第二端子中的至少一个构造为通过所述绝缘衬底与金属底座隔离，其中第一焊盘和所述第二焊盘中的至少一个被构造为引线键合焊盘。
[0012]一个一般方面包括一种RF功率封装，该封装包括：封装支撑件；至少一个器件载体，该至少一个器件载体包括至少一个器件，构造为支撑至少一个器件的衬底，该衬底包括布置在该衬底的上表面上的至少一个第一端子，至少一个器件被布置在衬底上并连接到至少一个第一端子的器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种RF晶体管封装，包括，金属底座；晶体管管芯，安装到所述金属底座；表面贴装器件载体，安装到所述金属底座上，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，所述绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的所述顶面上的第一焊盘和第二焊盘；至少一个表面贴装器件，包括第一端子和第二端子，所述表面贴装器件的所述第一端子安装到所述第一焊盘并且所述第二端子安装到所述第二焊盘；所述第一端子和所述第二端子中的至少一个被构造为通过所述绝缘衬底与所述金属底座隔离；以及至少一个引线键合件，键合到所述第一焊盘和所述第二焊盘中的所述至少一个。2.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述表面贴装器件包括陶瓷电容器。3.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中：所述晶体管管芯包括以下元件中的一个：LDMOS晶体管管芯和基于GaN的HEMT；以及所述绝缘衬底包括以下元件中的一个：印刷电路板(PCB)元件、陶瓷元件、玻璃元件、低温共烧陶瓷(LTCC)元件、高温共烧陶瓷(HTCC)元件以及厚膜衬底元件。4.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述RF晶体管封装包括多个晶体管。5.根据权利要求4所述的RF晶体管封装，其中，所述多个晶体管被构造为道尔蒂构造。6.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述表面贴装器件载体包括安装到所述表面贴装器件载体的所述顶面上的多个表面贴装器件。7.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述绝缘衬底包括以下元件中的至少一个：通孔，被构造为在所述表面贴装器件和所述金属底座之间建立电连接；或边缘镀层，被构造为在所述表面贴装器件和所述金属底座之间建立电连接。8.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述至少一个引线键合件被构造为将所述表面贴装器件电联接到所述晶体管管芯。9.根据权利要求1所述的RF晶体管封装，其中，所述至少一个引线键合件被构造为将所述表面贴装器件电联接到集成无源器件。10.一种器件，包括：表面贴装器件载体，被构造为安装到晶体管封装的金属底座上，所述表面贴装器件载体包括绝缘衬底，所述绝缘衬底包括顶面和底面以及布置在所述表面贴装器件载体的所述顶面上的第一焊盘和第二焊盘；至少一个表面贴装器件，包括第一端子和第二端子，所述表面贴装器件的所述第一端子安装到所述第一焊盘并且所述第二端子安装到所述第二焊盘；以及所述第一端子和所述第二端子中的至少一个被构造为通过所述绝缘衬底与所述金属底座隔离，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘中的至少一个被构造为引线键合焊盘。11.根据权利要求10所述的器件，其中，所述表面贴装器件包括陶瓷电容器。12.根据权利要求10所述的器件，其中：所述表面贴装器件载体被构造为在包括以下元件中的一项的RF晶体管封装中实现：
LDMOS晶体管管芯和基于GaN的HEMT；以及所述绝缘衬底包括以下元件中的一个：印刷电路板(PCB)元件、陶瓷元件、玻璃元件、低温共烧陶瓷(LTCC)元件、高温共烧陶瓷(HTCC)元件以及厚膜衬底元件。13.根据权利要求10所述的器件，其中，所述表面贴装器...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：