镀膜设备、晶片的镀膜方法和晶片技术

本发明专利技术提出了一种镀膜设备、晶片的镀膜方法和晶片，涉及晶片加工工艺技术领域。其中，镀膜设备，用于晶片镀膜，包括：第一腔室，用于对晶片进行预处理；第二腔室，与第一腔室相邻设置，用于对预处理后的晶片进行镀膜；真空泵，分别与第一腔室和第二腔室相连通，用于对第一腔室抽吸至第一预设真空度，以及对第二腔室抽吸至第二预设真空度；第一充气部，与第一腔室相连通；第二充气部，与第二腔室相连通；加热部，与第一腔室相连接；电离轰击清洗件，设置于第一腔室内，用于对晶片进行预处理；至少两个铬靶，设置于第二腔室内，用于向晶片进行镀铬；至少两个银靶，设置于第二腔室内，用于向镀铬后的晶片进行镀银。的晶片进行镀银。的晶片进行镀银。

【技术实现步骤摘要】
镀膜设备、晶片的镀膜方法和晶片


[0001]本专利技术涉及晶片加工工艺
，具体而言，涉及一种镀膜设备、晶片的镀膜方法和晶片。

技术介绍

[0002]相关技术中，对石英晶片进行镀膜，而镀膜后的晶片存在着膜层的附着力差，镀膜不均匀的问题，容易导致膜层由晶片上脱落。

技术实现思路

[0003]为了解决上述镀膜后的晶片存在膜层的附着力差，镀膜不均匀的问题，本专利技术的第一个目的提出了一种镀膜设备。
[0004]本专利技术的第二个目的，还提出了一种晶片的镀膜方法。
[0005]本专利技术的第三个目的，还提出了一种晶片。
[0006]有鉴于此，根据本专利技术的第一个目的，本专利技术提出了一种镀膜设备，用于晶片镀膜，包括：第一腔室，第一腔室用于对晶片进行预处理；第二腔室，第二腔室与第一腔室相邻设置，第二腔室用于对预处理后的晶片进行镀膜；真空泵，分别与第一腔室和第二腔室相连通，真空泵用于对第一腔室抽吸至第一预设真空度，以及对第二腔室抽吸至第二预设真空度；第一充气部，与第一腔室相连通，用于向第一腔室通入氮气；第二充气部，与第二腔室相连通，用于向第二腔室通入氩气；加热部，与第一腔室相连接，用于对第一腔室加热；电离轰击清洗件，设置于第一腔室内，用于对晶片进行预处理；至少两个铬靶，设置于第二腔室内，用于向晶片进行镀铬；至少两个银靶，设置于第二腔室内，用于向镀铬后的晶片进行镀银。
[0007]本专利技术所提出的镀膜设备，用于晶片镀膜，包括第一腔室和第二腔室，第一腔室用于对晶片进行预处理，第二腔室与第一腔室相邻设置，第二腔室用于对预处理后的晶片进行镀膜。镀膜设备还包括真空泵，真空泵分别与第一腔室和第二腔室相连通，用于对第一腔室抽吸至第一预设真空度和对第二腔室抽吸至第二预设真空度，以使得第一腔室内部为真空环境，第二腔室内部为高真空环境。
[0008]镀膜设备还包括第一充气部、加热部和电离轰击清洗件。其中，第一充气部与第一腔室相连通，用于向第一腔室通入氮气。加热部与第一腔室相连接，用于对第一腔室进行加热。电离轰击清洗件，设置于第一腔室内，用于对晶片进行预处理。其中，真空泵与第一充气部和加热部及电离轰击清洗件共同配合，完成对晶片的预处理过程。
[0009]在具体的预处理过程中，首先将第一腔室抽吸至第一预设真空度，使得第一腔室的内部为真空环境，之后开启加热部，对第一腔室进行加热，使得第一腔室内部为真空高温状态。而后，向第一腔室内通入氮气，控制电离轰击清洗件运行，使得从氮气中分离出氮离子，从而以氮离子束对晶片的表面进行离子轰击，清除掉晶片表面最细微的氧化层与移除松散结合的原子。使得晶片表面无污染物质，进而使得晶片与银膜能够结合的更牢固。
[0010]镀膜设备还包括第二充气部，至少两个铬靶和至少两个银靶，其中，第二充气部与
第二腔室相连通，用于向第二腔室通入氩气。至少两个铬靶设置于第二腔室内，用于向晶片进行镀铬。至少两个银靶设置于第二腔室内，用于向镀铬后的晶片进行镀银。
[0011]真空泵与第二充气部和至少两个铬靶及至少两个银靶共同实现对经过预处理后的晶片的镀膜过程。其中，首先开启真空泵，对第二腔室进行抽真空至第二预设真空度，在达到第二预设真空度后，开启第二充气部，使得第二充气部向第二腔室内通入氩气，并将第二腔室的真空度调整至第三预设真空度。
[0012]之后，向至少两个铬靶通电，以使得铬靶溅射出铬原子，进而沉积在晶片上，实现对晶片进行镀铬，使得晶片表面生成一层铬膜，最后，向至少两个银靶通电，以使得银靶溅射出银原子，进而沉积在晶片的铬膜上，使得在铬膜上进一步地生成一层银膜，从而得到了表面具有银膜的晶片。
[0013]在第二腔室内对晶片进行镀膜的过程中，首先调整第二腔室内的气压环境，使得第二腔室的内部为高真空环境，充入氩气能够辅助激活靶材上的材料从靶材上逃逸出来，进而提升镀膜速度与镀膜质量，并且，充入氩气的过程还可以进一步地调整第二腔室内的气压环境，使得第二腔室内的真空度至第三预设真空度，此时，第二腔室内处于真空状态。因预先调整至高真空环境，使得第二腔室内没有氧气的存在，所以在晶片的表面几乎没有氧分子的影响，使得晶片镀膜的可靠度大幅度提升。且能够保证晶片表面的洁净程度，进而提升镀膜的效果，避免镀膜不均匀。
[0014]并且，对晶片进行镀膜的过程中，首先开启铬靶对晶片进行镀铬，之后再开启银靶去镀银，在铬膜上生成一层银膜的过程设置，能够在晶片上先镀上一层原子较小的铬膜，利用铬膜产生起承转合的作用，进而可以把较大体积的银原子进行接合，以使得银膜不易脱落，增加了膜层附着力。使得在环境变化很大的过程中也不会有银膜发生变化造成剥离的现象。
[0015]另外，本专利技术提供的上述实施例中的镀膜设备还可以具有如下附加技术特征：在上述技术方案中，镀膜设备还包括：传输装置，设置于第一腔室和第二腔室，用于传输晶片；支架，设置于传输装置上，支架用于承托晶片。
[0016]在该技术方案中，镀膜设备还包括传输装置和支架，其中，传输装置设置于第一腔室和第二腔室，用于传输晶片，使得晶片能够在第一腔室和第二腔室之间转送，进而分别完成预处理和镀膜的工艺过程。支架设置于传输装置上，用于承托晶片，使得晶片避免与传输装置的直接接触，降低污染风险，避免了因晶片表面有污染物而导致镀膜不均的情况。同时通过支架承托晶片，能够便于对晶片进行镀膜。
[0017]在上述任一技术方案中，至少两个铬靶位于第二腔室靠近第一腔室的一侧；至少两个铬靶分别位于传输装置相对的两侧，至少两个银靶分别位于传输装置相对的两侧。
[0018]在该技术方案中，至少两个铬靶位于第二腔室靠近第一腔室的一侧，使得由第一腔室进行预处理后的晶片，在转移到第二腔室中时，进行镀铬的操作更加方便。至少两个铬靶分别位于传输装置相对的两侧，至少两个银靶分别位于传输装置相对的两侧，使得晶片在第二腔室移动的过程中，两侧均有铬靶和银靶的存在，进而实现双面同时镀膜，提升了晶片镀膜过程的效率。
[0019]根据本专利技术的第二个目的，本专利技术还提出了一种晶片的镀膜方法，基于如上述任一技术方案中的镀膜设备实现对晶片的镀膜，镀膜方法包括：将晶片放置于第一腔室内，对
第一腔室进行抽真空至第一预设真空度；对第一腔室加热，使第一腔室的温度上升至第一预设温度；采用离子轰击法，对晶片进行预处理；将预处理后的晶片输送至第二腔室内，对第二腔室进行抽真空至第二预设真空度；向第二腔室内通入氩气，并将第二腔室的真空度调整至第三预设真空度；采用磁控溅射法，对晶片进行镀铬；对镀铬后的晶片，进行镀银。
[0020]本专利技术所提出的晶片的镀膜方法，基于如上述任一技术方案中的镀膜设备实现对晶片的镀膜，而在使用镀膜设备实现晶片的镀膜方法的过程中，首先将晶片放置于第一腔室内，来对晶片进行预处理，其中，先调整第一腔室内的气压环境，对第一腔室进行抽真空至第一预设真空度，使第一腔室内部为真空状态。
[0021]在第一腔室内部为真空状态后，对第一腔室进行加热，使第一腔室内部为真空且高温的环境状态。之后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备，用于晶片镀膜，其特征在于，包括：第一腔室，所述第一腔室用于对所述晶片进行预处理；第二腔室，所述第二腔室与所述第一腔室相邻设置，所述第二腔室用于对预处理后的所述晶片进行镀膜；真空泵，分别与所述第一腔室和所述第二腔室相连通，所述真空泵用于对所述第一腔室抽吸至第一预设真空度，以及对所述第二腔室抽吸至第二预设真空度；第一充气部，与所述第一腔室相连通，用于向所述第一腔室通入氮气；第二充气部，与所述第二腔室相连通，用于向所述第二腔室通入氩气；加热部，与所述第一腔室相连接，用于对所述第一腔室加热；电离轰击清洗件，设置于所述第一腔室内，用于对所述晶片进行预处理；至少两个铬靶，设置于所述第二腔室内，用于向所述晶片进行镀铬；至少两个银靶，设置于所述第二腔室内，用于向镀铬后的所述晶片进行镀银。2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：传输装置，设置于所述第一腔室和所述第二腔室，用于传输所述晶片；支架，设置于所述传输装置上，所述支架用于承托所述晶片。3.根据权利要求2所述的镀膜设备，其特征在于，所述至少两个铬靶位于所述第二腔室靠近所述第一腔室的一侧；所述至少两个铬靶分别位于所述传输装置相对的两侧，所述至少两个银靶分别位于所述传输装置相对的两侧。4.一种晶片的镀膜方法，其特征在于，基于如权利要求1至3中任一项所述的镀膜设备实现对晶片的镀膜，所述镀膜方法包括：将所述晶片放置于所述第一腔室内，对所述第一腔室进行抽真空至所述第一预设真空度；对所述第一腔室加热，使所述第一腔室内的温度上升至第一预设温度；采用离子轰击法，对所述晶片进行预处理；将预处理后的晶片输送至所述第二腔室内，对所述第二腔室进行抽真空至所述第二预设真空度；向所述第二腔室内通入氩气，并将所述第二腔室的真空度调整至第三预设真空度；采用磁控溅射法，对所述晶片进行镀铬；对镀铬后...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，詹超，王明才，石佳霖，郭雄伟，施俊生，林土全，黄文俊，
申请(专利权)人：东晶电子金华有限公司，
类型：发明
国别省市：