p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法技术

p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明专利技术的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明专利技术制备方法简单、有效、低能耗，成膜均匀、连续，所得薄膜与基底的粘附性好，并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。

【技术实现步骤摘要】
p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]SnTe二元化合物，是一种直接带隙p型半导体材料。它作为新型拓扑晶体绝缘体，具有一些不同于传统拓扑绝缘体的独特性质。例如，SnTe拓扑表面态受晶格对称性保护、拥有多重表面态，以及具有无带隙的表面态和窄带隙的体态，并且通过改变制备工艺参数或进行元素掺杂可实现其电学参数可调。此外，SnTe在室温下还具有高的空穴迁移率，因此，SnTe可应用于制备无能耗、宽谱及超快响应的新型光电探测器。
[0003]然而，目前p型拓扑绝缘体材料很少，与同是拓扑晶体绝缘体的Pb
x
Sn1‑
x
Te、Pb
x
Sn1‑
x
Se三元化合物相比，SnTe化学结构更为稳定单一、更易合成。目前，该材料在热电器件、太阳能电池、光电探测器、铁电器件、超导器件等领域均有报道。SnTe材料，如薄膜、纳米线、纳米片等常用的制备方法包括直接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料，其特征在于p型材料为碲化锡，衬底为石英；以SnTe为靶材，采用磁控溅射法在石英衬底中形成4
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6 nm 厚度的SnTe纳米薄膜。2.如权利要求1所述的p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料，其特征在于所述的磁控溅射法采用射频磁控溅射法。3.p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料，其特征在于通过以下步骤制备而得：S1，清洗石英衬底；S2，采用磁控溅射法，将SnTe单靶靶材磁控溅射在石英衬底上，真空度小于等于7
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10
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4 Pa，采用氩气作为溅射气体，氩气流量为80
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...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋立媛，唐利斌，郝群，王静宇，吕浩，何文瑾，李艳辉，俞见云，齐浩泽，王海澎，覃钢，辛永刚，庄继胜，
申请(专利权)人：昆明物理研究所，
类型：发明
国别省市：