一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，方法在真空腔室内放入基片与金属铂靶材，通过石英晶振标定校准沉积速率，在室温条件下将金属铂沉积在基片上，之后在沉积炉中放入沉积铂的基片以及高纯度碲单质，将炉内抽至真空后通入载气，在一定的退火温度与时间条件下，对基片进行退火处理，退火结束后停止通入载气并将基片从沉积炉中取出完成制备。本发明专利技术方法所制备的二碲化铂厚度也可以通过改变所沉积铂的厚度进行调控，满足不同的实验要求，能够稳定制备出厘米级别大面积二碲化铂材料，较传统方法更加符合现代化工业制备二碲化铂的工艺要求。制备二碲化铂的工艺要求。制备二碲化铂的工艺要求。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法


[0001]本专利技术涉及一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，属于电子新材料


技术介绍

[0002]自2004年通过机械剥离技术得到的石墨烯材料出现以来，其独特的物理性质和电子输运特性引起了研究者们极大的兴趣，先后出现了包括六方氮化硼(h
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BN)、黑磷(BP)、过渡金属硫属化合物(TMDs)等二维材料。在这其中，过渡金属硫属化合物种类繁多，其结构、电学、磁学等性质也不尽相同，导电性从绝缘体、半导体、半金属到金属，磁性也从铁磁、反铁磁到顺磁，这些新材料的出现为探索新奇的物理现象和物理机理提供了理想的平台。
[0003]过渡金属二硫属化合物广义化学式通常表示为MX2，M代表过渡金属元素，而X表示硫族元素(如硫、硒、碲)。这类材料不存在表面悬挂键，层与层之间通过范德瓦尔斯力耦合，在与其他材料结合构建异质结时，可以不用严格考虑晶格匹配的问题。除此之外，随着层数的降低，MX2的带隙也会随之变化，可以实现金属到半导体的转变，使得其器件性能具有很大的调谐范围，因此在光电探测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，将基片放入真空腔室内，同时放入金属铂靶材，通过石英晶振标定校准沉积速率，在室温条件下将金属铂沉积在基片上；步骤S2，将步骤S1所得基片从真空腔内取出，放入化学气相沉积炉中，在沉积炉中放置适量高纯度碲单质，将炉内抽至真空后通入载气；步骤S3，设定沉积炉的退火温度、时间条件，对步骤S2所得基片进行退火处理。步骤S4，退火结束后停止通入载气，从沉积炉中取出基片，二碲化铂制备完成。2.如权利要求1所述的一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，其特征在于，所述步骤S1中基片为硅片或蓝宝石片。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学锋，王喆，陈中强，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：