一种负载供电的软启动控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种负载供电的软启动控制电路，涉及电路技术领域，MCU连接的电阻R4，电阻R4的另一端与三极管Q2的B极连接，三极管Q2的E极接地，在三极管Q2的B极与E极之间连接有电阻R5，三极管Q2的C极连接于电阻R3，电阻R2的一端与电阻R1和电阻R3相连接，电阻R2的另一端连接于母线电压；增强型MOS管Q1的S极连接于母线电压，G极与电阻R1的另一端相连接，D极与母线电压相连接，在电阻R3与电阻R2之间连接有电容C1的一端，电容C1的另一端与母线电压连接；保护Q1不会被冲击电流

【技术实现步骤摘要】
一种负载供电的软启动控制电路


[0001]本技术涉及电路
，具体涉及一种负载供电的软启动控制电路。

技术介绍

[0002]在控制负载供电电路中，业界使用增强型MOS管(下简称MOS管)串接于母线电压上，通过控制MOS管的开闭，为负载供电；通常而言，负载作为一个电器件，都有较大的输入电容，在MOS管快速闭合的瞬间，会在母线电压上产生较大的冲击电流，从而造成母线电压跌落(极端情况还会烧毁MOS管)，进而影响到负载的正常工作。
[0003]目前业界普遍使用负载软启器，即将软启器串接在MOS管与负载之前，当MOS管快速关闭导致的冲击电流产生时，该冲击电流可以在软启器上被消耗掉，从而保证母线电压不被冲击电流拉低，进而确保了负载的正常工作。
[0004]然而，现有的解决技术问题方案中使用的负载软启器，体积较大，成本较高，不适用于结构空间与成本较为紧张的控制器项目。为此提出一种负载供电的软启动控制电路以解决以上问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种负载供电的软启动控制电路，解决现有技术存在的问题。
[0006]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：
[0007]与MCU连接的电阻R4，电阻R4的另一端与三极管Q2的B极连接，三极管Q2的E极接地，在三极管Q2的B极与E极之间连接有电阻R5，三极管Q2的C极连接于电阻R3，电阻R2的一端与电阻R1和电阻R3相连接，电阻R2的另一端连接于母线电压VCC
‑
IN；增强型MOS管Q1的S极连接于母线电压VCC
‑
IN，G极与电阻R1的另一端相连接，D极与VCC
‑
OUT相连接；
[0008]在电阻R3与电阻R2之间连接有电容C1的一端，电容C1的另一端与母线电压VCC
‑
IN连接。
[0009]可选的，所述C1的电容值并非固定，根据具体型号的增强型MOS管G极
‑
S极之间的寄生电容参数Ciss与Crss共同确定所述电容C1的值。
[0010]可选的，所述VCC
‑
OUT为Q1控制的母线电压的输出电压。
[0011]本技术提供了一种负载供电的软启动控制电路，具备以下有益效果：
[0012]本技术提供的一种负载供电的软启动控制电路旨在提升MOS管的抗冲击电流能力，同时兼顾体积、成本等各方面因素；通过使用较少物料，在几乎不占用印制电路板面积的情况下，减小冲击电流，稳定母线电压，保护Q1不会被冲击电流
△
i损坏，将电路失效率降低在可接受范围内；此外，整个电路仅需要添加一个小型的封装电容，成本影响可以忽略不计。
附图说明
[0013]图1为未添加任何软启措施的增强型PMOS管的开关电路；
[0014]图2为添加一电容元器件后的增强型PMOS管软启动的控制电路。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0016]请参阅图1
‑
2，本技术提供的技术方案：
[0017]一种负载供电的软启动控制电路，以增强型PMOS管为例，图1中未添加任何软启动措施，MCU连接的电阻R4，电阻R4的另一端与三极管Q2的B极连接，三极管Q2的E极接地，在三极管Q2的B极与E极之间连接有电阻R5，三极管Q2的C极连接于电阻R3，电阻R2的一端与电阻R1和电阻R3相连接，电阻R2的另一端连接于母线电压VCC
‑
IN；增强型MOS管Q1的S极连接于母线电压VCC
‑
IN(母线电压可根据实际情况做调整)，G极与电阻R1的另一端相连接，D极与VCC
‑
OUT相连接，VCC
‑
OUT为Q1控制的母线电压的输出电压；MCU为主控芯片提供的开启PMOS Q1的信号名称，当MCU设置为高电平时，三极管Q2饱和导通，进而控制Q1开启，当MCU设置为低电平时，三极管Q2关闭，进而控制Q1关闭(此图中，PMOS为高电平开启，低电平关闭，不代表所有增强型MOS的开启和关闭均要遵循上述高低电平规律)；此时，当负载前级输入电容较大，且Q1不添加任何软启措施时，在Q1开启的瞬间，Q1本体有可能会承受较大的冲击电流，存在损坏风险。
[0018]图2中，在图1的基础上，增加一个电容C1，在电阻R3与电阻R2之间连接有电容C1的一端，电容C1的另一端与母线电压VCC
‑
IN连接；在PMOS管Q1的G极
‑
S极之间，添加一颗电容元器件，电容为通用封装形式，图2中，在Q1的G极
‑
S极之间，添加电容C1，即可完成Q1的软启；C1电容值并非固定，需要根据具体型号的增强型MOS管G极
‑
S极之间的寄生电容参数Ciss与Crss共同确定。
[0019]工作原理：本技术提供的一种负载供电的软启动控制电路，添加C1即可控制Q1软启动的原理：当三极管Q2闭合时，G极电位与S极电位相同(即Vsg＝0V)，满足Q1关闭的条件，所以此时Q1关闭；反之，当三极管Q2开启时，G极电位低于S极电位(即Vsg＞0V)，当Vsg数值上升至Q1规定的门限电压Vsg(th)时，则满足Q1开启的条件，所以此时Q1准备开启；开启后，Q1的D极电位逐渐升高，即S极与D极的压差逐渐减小，直至接近0V；根据公式
△
i＝
△
u/
△
t，当
△
u/
△
t较大时，电流的变化量
△
i就会随之增大；在Q1的G极
‑
S极之间添加电容(图中的C1)，可以延长Q1的开启时间，从而降低Q1的开启速率(降低
△
u/
△
t)，所以
△
i也会随之降低，从而保护Q1不被冲击电流(较大的
△
u/
△
t)烧坏。
[0020]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负载供电的软启动控制电路，其特征在于，包括：与MCU连接的电阻R4，电阻R4的另一端与三极管Q2的B极连接，三极管Q2的E极接地，在三极管Q2的B极与E极之间连接有电阻R5，三极管Q2的C极连接于电阻R3，电阻R2的一端与电阻R1和电阻R3相连接，电阻R2的另一端连接于母线电压VCC
‑
IN；增强型MOS管Q1的S极连接于母线电压VCC
‑
IN，G极与电阻R1的另一端相连接，D极与VCC
‑
OUT相连接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建强，马东军，
申请(专利权)人：西安希德电子信息技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：