一种基于IGBT过流自锁的保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及保护电路技术领域，具体地说是一种基于IGBT过流自锁的保护电路。包括主芯片，其特征在于：所述的主芯片的1号引脚分别连接主芯片的6号引脚、电阻一百零八的一端、电容五十八的一端、主芯片的9号引脚、单片机的33号端口，电阻一百零八的另一端连接对管的2号端口、电阻九十七的一端、电阻九十八的一端，电容五十八的另一端接地，主芯片的2号引脚分别连接电容五十一的一端、电阻九十七的另一端、对管的1号端口，对管的3号端口连接IGBT驱动芯片的3号端口，电容五十一的另一端接地，主芯片的3号引脚连接主芯片的4号引脚。同现有技术相比，当IGBT产生过流时，锁住故障信号，并且将IGBT驱动芯片的驱动电源切断，保证关断IGBT，提高可靠性。提高可靠性。提高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于IGBT过流自锁的保护电路


[0001]本技术涉及保护电路
，具体地说是一种基于IGBT过流自锁的保护电路。

技术介绍

[0002]伴随智能电动执行机构的飞速发展，变频技术正逐渐应用于电动执行器，那么对于IGBT驱动及相关过流保护技术也不断在提高。
[0003]但是目前变频执行器中IGBT驱动使用时，当IGBT过流时，驱动芯片输出故障信号，并锁住故障信号，此时驱动芯片供电电源仍处于接通状态，存在受干扰误触发自动消除故障信号的可能，可靠性不高。

技术实现思路

[0004]本技术为克服现有技术的不足，提供一种基于IGBT过流自锁的保护电路，当IGBT产生过流时，锁住故障信号，并且将IGBT驱动芯片的驱动电源切断，保证关断IGBT，提高可靠性。
[0005]为实现上述目的，设计一种基于IGBT过流自锁的保护电路，包括主芯片，其特征在于：所述的主芯片的1号引脚分别连接主芯片的6号引脚、电阻一百零八的一端、电容五十八的一端、主芯片的9号引脚、单片机的33号端口，电阻一百零八的另一端连接对管的2号端口、电阻九十七的一端、电阻九十八的一端，电容五十八的另一端接地，主芯片的2号引脚分别连接电容五十一的一端、电阻九十七的另一端、对管的1号端口，对管的3号端口连接IGBT驱动芯片的3号端口，电容五十一的另一端接地，主芯片的3号引脚连接主芯片的4号引脚，主芯片的5号引脚分别连接电阻九十八的另一端、电容五十二的一端、单片机的62号端口，电容五十二的另一端接地，主芯片的7号引脚接地，主芯片的8号引脚分别连接电阻一百零五的一端、电阻九十六的一端，电阻九十六的另一端连接稳压二极管的阳极，稳压二极管的阴极分别连接电阻九十一的一端、三极管的基极，电阻九十一的另一端分别连接三极管的发射极、主芯片的14号引脚、电容四十五的一端，电容四十五的另一端接地，三极管的集电极分别连接电阻一百零一的一端、电阻一百零三的一端，电阻一百零一的另一端分别连接电容五十四的一端、IGBT驱动芯片的6号引脚、IGBT驱动芯片的7号引脚，电阻一百零三的另一端与电容五十四的另一端合并后共同接地，电阻一百零五的另一端分别连接电阻一百零七的一端、单片机的34号端口，电阻一百零七的另一端接地，主芯片的10号引脚分别连接单片机的35号端口、电阻一百的一端，电阻一百的另一端接地，主芯片的12号引脚连接主芯片的13号引脚， IGBT驱动芯片的1号端口接地，IGBT驱动芯片的4号端口接地。
[0006]所述的主芯片的型号为74HC132。
[0007]所述的单片机的型号为AT32F415RCT7
‑
7。
[0008]所述的IGBT驱动芯片的型号为FOD8333。
[0009]所述的稳压二极管的型号为MMSZ5222BT1。
[0010]所述的三极管的型号为2N2907。
[0011]所述的对管的型号为BAT54RSLT1。
[0012]本技术同现有技术相比，当IGBT产生过流时，锁住故障信号，并且将IGBT驱动芯片的驱动电源切断，保证关断IGBT，提高可靠性。
附图说明
[0013]图1为本技术主芯片处的电路图。
[0014]图2为本技术IGBT驱动芯片处的电路图。
[0015]图3为本技术单片机处的电路图。
具体实施方式
[0016]下面根据附图对本技术做进一步的说明。
[0017]如图1至图3所示，主芯片U10的1号引脚分别连接主芯片U10的6号引脚、电阻一百零八R108的一端、电容五十八C58的一端、主芯片U10的9号引脚、单片机X1的33号端口，电阻一百零八R108的另一端连接对管D38的2号端口、电阻九十七R97的一端、电阻九十八R98的一端，电容五十八C58的另一端接地，主芯片U10的2号引脚分别连接电容五十一C51的一端、电阻九十七R97的另一端、对管D38的1号端口，对管D38的3号端口连接IGBT驱动芯片U1的3号端口，电容五十一C51的另一端接地，主芯片U10的3号引脚连接主芯片U10的4号引脚，主芯片U10的5号引脚分别连接电阻九十八R98的另一端、电容五十二C52的一端、单片机X1的62号端口，电容五十二C52的另一端接地，主芯片U10的7号引脚接地，主芯片U10的8号引脚分别连接电阻一百零五R105的一端、电阻九十六R96的一端，电阻九十六R96的另一端连接稳压二极管Z2的阳极，稳压二极管Z2的阴极分别连接电阻九十一R91的一端、三极管Q2的基极，电阻九十一R91的另一端分别连接三极管Q2的发射极、主芯片U10的14号引脚、电容四十五C45的一端，电容四十五C45的另一端接地，三极管Q2的集电极分别连接电阻一百零一R101的一端、电阻一百零三R103的一端，电阻一百零一R101的另一端分别连接电容五十四C54的一端、IGBT驱动芯片U1的6号引脚、IGBT驱动芯片U1的7号引脚，电阻一百零三R103的另一端与电容五十四C54的另一端合并后共同接地，电阻一百零五R105的另一端分别连接电阻一百零七R107的一端、单片机X1的34号端口，电阻一百零七R107的另一端接地，主芯片U10的10号引脚分别连接单片机X1的35号端口、电阻一百R100的一端，电阻一百R100的另一端接地，主芯片U10的12号引脚连接主芯片U10的13号引脚， IGBT驱动芯片U1的1号端口接地，IGBT驱动芯片U1的4号端口接地。
[0018]主芯片U10的型号为74HC132。
[0019]单片机X1的型号为AT32F415RCT7
‑
7。
[0020]IGBT驱动芯片U1的型号为FOD8333。
[0021]稳压二极管Z2的型号为MMSZ5222BT1。
[0022]三极管Q2的型号为2N2907。
[0023]对管D38的型号为BAT54RSLT1。
[0024]参见图1，本技术使用时，通过74HC132的主芯片U10来实现保护功能。当主芯片U10的10号引脚LOCK信号为0（低电平）时，则主芯片U10的8号引脚FS直接输出1（高电平），
此时为初始化状态。单片机X1得电后就会输出高电平给U10芯片10号引脚高电平信号。
[0025]当主芯片U10的10号引脚从低电平变化成高电平时，此时主芯片U10的5号引脚CLR接收单片机X1送来的低电平脉冲信号，进行解锁，即开启硬件保护功能，解锁后CLR信号由单片机控制为高电平。
[0026]当正常工作情况下，主芯片U10的10号引脚LOCK信号为1（高电平），主芯片U10的5号引脚CLR信号为1（高电平），这时外部的过流fault信号就能够控制输出的情况。当IGBT驱动芯片U1的3号引脚Fault输出0（低电平）时，即产生过流信号，此时IGBT驱动芯片U1切断IGBT驱动信号，同时主芯片U10的10号引脚接收单片机X1发来的高电平信号，2号引脚Fault信号为接收低电平，通过主芯片U1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于IGBT过流自锁的保护电路，包括主芯片，其特征在于：所述的主芯片（U10）的1号引脚分别连接主芯片（U10）的6号引脚、电阻一百零八（R108）的一端、电容五十八（C58）的一端、主芯片（U10）的9号引脚、单片机（X1）的33号端口，电阻一百零八（R108）的另一端连接对管（D38）的2号端口、电阻九十七（R97）的一端、电阻九十八（R98）的一端，电容五十八（C58）的另一端接地，主芯片（U10）的2号引脚分别连接电容五十一（C51）的一端、电阻九十七（R97）的另一端、对管（D38）的1号端口，对管（D38）的3号端口连接IGBT驱动芯片（U1）的3号端口，电容五十一（C51）的另一端接地，主芯片（U10）的3号引脚连接主芯片（U10）的4号引脚，主芯片（U10）的5号引脚分别连接电阻九十八（R98）的另一端、电容五十二（C52）的一端、单片机（X1）的62号端口，电容五十二（C52）的另一端接地，主芯片（U10）的7号引脚接地，主芯片（U10）的8号引脚分别连接电阻一百零五（R105）的一端、电阻九十六（R96）的一端，电阻九十六（R96）的另一端连接稳压二极管（Z2）的阳极，稳压二极管（Z2）的阴极分别连接电阻九十一（R91）的一端、三极管（Q2）的基极，电阻九十一（R91）的另一端分别连接三极管（Q2）的发射极、主芯片（U10）的14号引脚、电容四十五（C45）的一端，电容四十五（C45）的另一端接地，三极管（Q2）的集电极分别连接电阻一百零一（R101）的一端、电阻一百零三（R103）的一端，电阻一百零一（R101）的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢国旗，
申请(专利权)人：上海华伍行力流体控制有限公司，
类型：新型
国别省市：