本发明专利技术提出了一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置及其制备方法，包括：多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；第一介质层、公共电极、第二介质层和玻璃封装层。本发明专利技术使用半导体工艺制备侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示器，能抗1000V的电压和超100A的电流,实现高分辨率、高亮度、高对比度、高增益驱动和低响应时间的显示功能,适用于AR/VR等先进显示设备。AR/VR等先进显示设备。AR/VR等先进显示设备。
【技术实现步骤摘要】
一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置及其制备方法
[0001]本专利技术属于LED封装
，特别涉及一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展，以智能手机、平板电脑、智能家居、可穿戴电子通讯设备为代表的新兴智能领域蓬勃发展，这也对显示器结构提出了更高要求，例如更轻薄、更高效、更清晰等。同样地，高性能的显示技术离不开电子技术及其核心功率器件的支撑。
[0003]垂直型发光三极管凭借其优异的材料特性，可用于实现高画质、超薄显示、大面积等离子显示的器件，突破了传统显示器件的理论性能极限。相较于发光二极管显示器件，垂直型发光三级管有望更大程度地发挥半导体的材料优势，实现高清、高效、超薄的器件特性，因而受到广泛的关注并成为显示器件的重要发展方向。
[0004]绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated bipolar transistor)是一种MOS结构的双极器件，属于一种兼具功率MOSFET的高速性能和双极的低阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般在耐压60OV以上，电流10A以上，频率1KHz以上的区域。主要用于工业电机、民用小容量电机、转换器(逆变器)、照相机频闪仪、感应加热电饭锅等领域。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置及其制备方法，使用半导体工艺制备侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示器，能抗1000V的电压和超100A的电流,实现高分辨率、高亮度、高对比度、高增益驱动和低响应时间的显示功能, 适用于AR/VR等先进显示设备。
[0006]本专利技术的具体技术方案如下：一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，包括：多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；所述子像素单元包括阳极、半导体层、若干门电极、金属电极和发光层，其中，所述阳极位于驱动背板上，且覆盖至少一个过孔，所述半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述金属电极设置在半导体层上远离驱动背板的一侧，若干所述门电极间隔排列设置在半导体层和金属电极内，所述发光层设置在金属电极上远离驱动背板的一侧；第一介质层，所述第一介质层填充设置在各子像素单元之间，且第一介质层上表面与所述发光层上表面齐平；公共电极，所述公共电极位于第一介质层上远离驱动背板的一侧，且覆盖在发光层上；
第二介质层，所述第二介质层生长在公共电极上远离驱动背板上表面的一侧。
[0007]玻璃封装层，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在第二介质层远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于玻璃封装层的周边区域。
[0008]优选地，所述半导体层为PNP型半导体层。
[0009]优选地，每个所述门电极包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极位于栅极绝缘层的两侧内壁，所述栅极绝缘层包覆栅极。
[0010]优选地，每个所述门电极均为矩形结构。
[0011]优选地，所述子像素单元R的发光层中使用电流体打印OLED
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R发光材料；所述子像素单元G的发光层中使用电流体打印OLED
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G发光材料；所述子像素单元B的发光层中使用电流体打印OLED
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B发光材料。
[0012]优选地，所述第一介质层和第二介质层均为氧化硅介质层。
[0013]优选地，所述公共电极为Al薄膜，且所述Al薄膜的厚度为100nm。
[0014]一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置的制备方法，具体制备步骤如下：S1：在驱动背板上形成若干规则排列的过孔，并在过孔中填充导电材料，随后在驱动背板上表面形成若干阳极，且与过孔上表面接触；S2：然后在阳极和驱动背板上表面依次生长形成半导体层；S3：对半导体层进行图形化处理，使得半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧；S4：在各子像素单元之间填充生长第一介质层，使得第一介质层的上表面与半导体层上表面齐平；S5：在半导体层上形成若干个矩形凹槽，并在在矩形凹槽内表面以及PNP型半导体层上表面镀覆栅极绝缘层，随后在栅极绝缘层表面沉积生长栅极，随后采用Spaceretch工艺依次对栅极和栅极绝缘层进行加工，使得栅极覆盖栅极绝缘层的内壁两侧；S6：在半导体层和第一介质层上表面以及矩形凹槽内继续填充栅极绝缘层，同时进行CMP磨平处理；S7：对栅极绝缘层进行图形化处理，形成若干个独立的门电极；S8：随后在半导体层和第一介质层上表面镀覆金属电极，经图形化处理后使得金属电极包覆门电极，随后继续填充生长第一介质层，使得第一介质层与金属电极上表面齐平；S9：在金属电极上表面采用电流体打印RGB OLED发光材料，形成发光层，随后在第一介质层上生长公共电极，使得公共电极覆盖发光层和第一介质层，随后在公共电极上远离驱动背板的一侧生成第二介质层，最后采用UV胶将玻璃封装层粘接在第二介质层上表面。
[0015]有益效果：本专利技术公开了一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置及其制备方法，具有如下优点：（1）本专利技术使得显示装置中的电子和空穴通过源漏极注入，并在载流子传输通道中重新组合；（2）本专利技术可以减少欧姆接触带来的注入势垒，增强电荷注入，从而获得高平衡的双极性载流子迁移率，满足现在人们对视觉体验的更多要求；（3）本专利技术通过高分辨率驱动背板结合优化的像素排列，可实现突破现有蒸镀图
形化的物理极限，实现高像素密度的真实RGB三色显示，从而降低成本，提高效率。
附图说明
[0016]图1为实施例1步骤S1的结构示意图；图2为实施例1步骤S2的结构示意图；图3为实施例1步骤S3的结构示意图；图4为实施例1步骤S4的结构示意图；图5为实施例1步骤S5的结构示意图；图6为实施例1步骤S6的结构示意图；图7为实施例1步骤S7的结构示意图；图8为实施例1步骤S8的结构示意图；图9为实施例1步骤S9的结构示意图，即为实施例1的产品结构图；图10为本专利技术的优化的像素排列方案；图11为本专利技术的驱动电路图；图中：子像素单元R1
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1、子像素单元G1
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2、子像素单元B1
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3、驱动背板2、过孔3、阳极4
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1、PNP型半导体层4
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2、门电极4
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3、栅极绝缘层4
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31、栅极4
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32、金属电极4
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4、发光层4
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5、第一介质层5、公共电极6、第二介质层7、玻璃封装层8、UV胶9。
具体实施方式
[0017]下面结合附图对本专利技术作若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
[0018]实施例1一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，包括：多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R1
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1、子像素单本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，其特征在于，包括：多个像素，每个所述像素包括三个子像素单元，分别为子像素单元R、子像素单元G、子像素单元B；驱动背板，所述驱动背板上设有若干规则排列的过孔，所述子像素单元覆盖至少一个所述过孔；所述驱动背板承载多个像素，用于驱动所述子像素单元发光；所述子像素单元包括阳极、半导体层、若干门电极、金属电极和发光层，其中，所述阳极位于驱动背板上，且覆盖至少一个过孔，所述半导体层位于阳极远离驱动背板的一侧，所述金属电极设置在半导体层上远离驱动背板的一侧，若干所述门电极间隔排列设置在半导体层和金属电极内，所述发光层设置在金属电极上远离驱动背板的一侧；第一介质层，所述第一介质层填充设置在各子像素单元之间，且第一介质层上表面与所述发光层上表面齐平；公共电极，所述公共电极位于第一介质层上远离驱动背板的一侧，且覆盖在发光层上；第二介质层，所述第二介质层生长在公共电极上远离驱动背板上表面的一侧；玻璃封装层，所述玻璃封装层通过UV胶粘接在第二介质层远离驱动背板的一侧，所述UV胶位于玻璃封装层的周边区域。2.根据权利要求1所述侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，其特征在于，所述半导体层为PNP型半导体层。3.根据权利要求2所述侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，其特征在于，每个所述门电极包括栅极绝缘层和栅极，所述栅极位于栅极绝缘层的两侧内壁，所述栅极绝缘层包覆栅极。4.根据权利要求1所述侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，其特征在于，每个所述门电极均为矩形结构。5.根据权利要求1所述侧壁绝缘栅双极性发光三极管显示装置，其特征在于，所述子像素单元R的发光层中使用电流体打印OLED
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R发光材料；所述子像素单元G的发光层中使用电流体打印OLED
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G发光材料；所述子像素单元B的发光层中使用电流体打印OLE...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜晓松，毛志润，姜赛，王宇，周秀琴，俞蔡扬，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：
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