电路板制造技术

根据实施例的印刷电路板包括：第一基板，第一基板包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层的上表面上的第一焊盘；第二基板，第二基板包括具有通孔的第二绝缘层和形成在第二绝缘层的上表面和下表面以及通孔的内壁上的金属层；第三绝缘层，第三绝缘层设置在第一基板与第二基板之间，并在与通孔重叠的区域中具有第一开口；过孔，过孔填充通孔并设置在通过第三绝缘层的开口暴露的第一焊盘上；以及第二焊盘，第二焊盘设置在过孔和在第二绝缘层的上表面上设置的金属层上。设置的金属层上。设置的金属层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路板


[0001]实施例涉及一种电路板。

技术介绍

[0002]通常，称为PCB的印刷电路板是在其中集成布线使得安装各种装置或可实现这些装置之间的电连接的部件。
[0003]随着技术的发展，正在制造具有各种形状和功能的印刷电路板。在这些类型的印刷电路板中，为了将由应用于小型产品的集成电路构成的元件安装在主印刷电路板上，也正在开发用作由集成电路构成的元件与主印刷电路板之间的媒介的印刷电路板。
[0004]因此，根据应用产品的多功能化和轻薄化的趋势，印刷电路板在实现相应功能应用的同时，也在尺寸上越来越薄。如上所述，根据高集成化和轻薄化的趋势，印刷电路板的印刷图案、印刷电路板的各层之间用于连接电路图案的过孔以及与装置连接的连接端子的精细图案化正在成为一个重要的问题。
[0005]另一方面，在最近的高速集成系统中，电路性能和数据传输速度主要受印刷电路板的布线(传输路径)的状态限制。不需要满足技术发展的必要的要求来提高传统计算机、移动电话通信终端和其他电子设备的数据处理速度和通信速度。
[0006]近来，随着要求提高上述项的大容量数据的处理速度和通信速度，需要用于电路板的布线的处理技术，并且正在对此进行积极的研究和开发。作为这些技术之一，用于最大限度地降低高频传输损耗的技术可以包括用于控制布线的表面粗糙度的技术。
[0007]通常，布线的材料可以使用铜或包含铜的合金，布线的表面粗糙度的高电阻率在制造过程阶段随着信号的频率增加而表现出较差的特性，并且在这种情况下，信号损耗与频率成正比。<br/>[0008]此时，电路板中的常规表面处理技术在25Gbps以上表现出高传输损耗。因此，为了在25Gbps以上具有低传输损耗，需要用于接合构成布线的铜箔与绝缘层的低粗糙度表面处理技术。
[0009]然而，具有低粗糙度表面处理的电路板具有散热特性显著劣化的特性。
[0010]因此，在本实施例中，可以提供一种电路板，所述电路板可以在提高电路板的散热特性的同时，即使在25Gbps下也具有低传输损耗。

技术实现思路

[0011]技术问题
[0012]实施例提供一种电路板及其制造方法，在所述电路板中，被应用低粗糙度表面处理技术的第一基板和被应用孔堵塞技术的第二基板相互连接。
[0013]此外，实施例提供一种电路板及其制造方法，所述电路板能够在降低电路板的传输损耗的同时改善散热特性。
[0014]本实施例所要解决的技术问题不限于上述的技术问题，本专利技术所属领域的普通技
术人员通过以下描述可以清楚地理解未提及的另一技术问题。
[0015]技术方案
[0016]根据实施例的电路板包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层的上表面上的第一焊盘；第二基板，所述第二基板包括具有通孔的第二绝缘层和形成在第二绝缘层的上表面和下表面以及通孔的内壁上的金属层；第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在第一基板与第二基板之间，并且在与通孔重叠的区域中具有第一开口；过孔(via)，所述过孔填充通孔并且设置在通过第三绝缘层的开口暴露的第一焊盘上；以及第二焊盘，所述第二焊盘设置在过孔和在第二绝缘层的上表面上设置的金属层上。
[0017]第三绝缘层可以对应于下面描述的粘合绝缘层300，第一绝缘层可以对应于设置在下面将要描述的第一基板100中包括的多个绝缘层111、112、113、114和115的最上部上的绝缘层，并且第二绝缘层可以对应于第二基板中包括的绝缘层210。
[0018]第三绝缘层设置于在第二绝缘层的下表面上设置的金属层的下表面与第一焊盘的上表面之间，并且设置在第二绝缘层的下表面上的金属层的下表面通过第三绝缘层与第一焊盘的上表面间隔开。
[0019]此外，过孔的下表面位于比金属层的下表面低的位置。
[0020]此外，过孔包括与金属层接触的第一部分、与第三绝缘层接触的第二部分、与第一焊盘接触的第三部分以及与第二焊盘接触的第四部分。
[0021]此外，第三绝缘层包括形成在第二绝缘层的下表面上设置的金属层的下表面与第一焊盘的上表面之间的第二开口，并且其中设置在第二绝缘层的下表面上的金属层的下表面通过第二开口与第一焊盘的上表面接触。
[0022]此外，所述过孔包括与金属层接触的第一部分、与第一焊盘接触的第三部分以及与第二焊盘接触的第四部分，并且其中，所述过孔不与第三绝缘层接触。
[0023]另外，第一焊盘和金属层中的至少一者的表面粗糙度(Ra)为0.5μm以下。
[0024]此外，电路板包括设置在第一焊盘和金属层的表面上的缓冲层，其中缓冲层包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子和金属原子，碳原子与金属原子之比((碳原子/铜原子)*100)为5至7，氮原子与金属原子之比((氮原子/铜原子)*100)为1.5至7，氧原子与金属原子之比((氧原子/铜原子)*100)为1.1至1.9，硅原子与金属原子之比((硅原子/铜原子)*100)为0.5至0.9，并且硫原子与金属原子之比((硫原子/铜原子)*100)为0.5至1.5。
[0025]此外，碳原子、氮原子、氧原子、硅原子和硫原子相互键合并存在于多个分子中，其中金属原子以金属离子的形式存在，其中分子与金属离子彼此化学键合，其中分子包括大分子(macromolecule)和单分子(unimolecule)。
[0026]此外，金属原子通过氧化电路图案而形成。
[0027]此外，缓冲层包括与第一绝缘层或第二绝缘层以及第一焊盘或金属层连接的多个末端基团，其中末端基团与第一绝缘层和第一焊盘或者第二绝缘层和金属层共价键合或配位键合。
[0028]此外，第三绝缘层具有3.4以下的Dk和0.004以下的Df。
[0029]另一方面，根据实施例的电路板包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层的上表面上的第一焊盘；第二基板，所述第二基板包括具有通孔的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层的上表面和下表面以及通孔的内壁上的金属层；第三绝缘
层，所述第三绝缘层设置在第一基板与第二基板之间，并在与通孔重叠的区域中具有第一开口；过孔，所述过孔填充通孔并设置在通过第三绝缘层的开口暴露的第一焊盘上；以及第二焊盘，所述第二焊盘设置在过孔和在第二绝缘层的上表面上设置的金属层上，其中缓冲层形成在第一焊盘以及金属层的表面上，其中缓冲层包括与第一绝缘层或第二绝缘层键合的第一官能团以及与第一焊盘或金属层键合的第二官能团，并且第一官能团和第二官能团包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子和硫原子中的至少一个，其中第三绝缘层包括具有与设置在第一焊盘的上表面上的缓冲层接触的下表面以及与设置在金属层的下表面下方的缓冲层接触的上表面的区域。
[0030]此外，第一官能团包括羟基(
‑
OH)和唑基的N基团，第二官能团包括硅烷基团的Si基团和硫氰酸酯基团(
‑
SCN)，其中缓冲层还包括大分子、单分子以及金属离子，金属离子与大分子和单分子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路板，包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层的上表面上的第一焊盘；第二基板，所述第二基板包括具有通孔的第二绝缘层和形成在所述第二绝缘层的上表面和下表面以及所述通孔的内壁上的金属层；第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第一基板与所述第二基板之间，并且在与所述通孔重叠的区域中具有第一开口；过孔，所述过孔填充所述通孔并且设置在通过所述第三绝缘层的开口暴露的所述第一焊盘上；以及第二焊盘，所述第二焊盘设置在所述过孔和在所述第二绝缘层的上表面上设置的所述金属层上。2.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述第三绝缘层设置于在所述第二绝缘层的所述下表面上设置的金属层的下表面与所述第一焊盘的上表面之间，并且其中，设置在所述第二绝缘层的所述下表面上的所述金属层的下表面通过所述第三绝缘层与所述第一焊盘的所述上表面间隔开。3.根据权利要求2所述的电路板，其中，所述过孔的下表面位于比所述金属层的所述下表面低的位置。4.根据权利要求2所述的电路板，其中，所述过孔包括：第一部分，所述第一部分与所述金属层接触；第二部分，所述第二部分与所述第三绝缘层接触；第三部分，所述第三部分与所述第一焊盘接触；以及第四部分，所述第四部分与所述第二焊盘接触。5.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述第三绝缘层包括形成在所述第二绝缘层的所述下表面上设置的所述金属层的下表面与所述第一焊盘的上表面之间的第二开口，并且其中，设置在所述第二绝缘层的所述下表面上的所述金属层的所述下表面通过所述第二开口与所述第一焊盘的所述上表面接触。6.根据权利要求5所述的电路板，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东华，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：