一种天线装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种天线装置，包括：天线结构罩；第一电磁屏蔽罩，位于所述天线结构罩的外侧；第一静电屏蔽罩，位于所述第一电磁屏蔽罩背向所述天线结构罩的一侧。所述天线装置的天线性能较好。线性能较好。线性能较好。

【技术实现步骤摘要】
一种天线装置


[0001]本专利技术涉及无线通信
，具体涉及一种天线装置。

技术介绍

[0002]目前随着科学技术的发展，电子产品正朝着小型化、微型化发展，由于电子产品小型化结构的限制，导致天线装置的天线性能较差。同时，现有的电子产品由于自身集成度越来越高，电子产品内部器件在工作时会往外发射各种频率的电磁波也会影响天线装置的天线性能指标，对于电子产品而言，在空间尺寸较小的情况下提高天线性能已成为科研工作者急需解决的问题，因此，现有的天线装置有待改进。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中天线装置的天线性能较差的缺陷，从而提供一种天线装置。
[0004]本专利技术提供一种天线装置，包括：天线结构罩；第一电磁屏蔽罩，位于所述天线结构罩的外侧；第一静电屏蔽罩，位于所述第一电磁屏蔽罩背向所述天线结构罩的一侧。
[0005]可选的，所述天线结构罩包括：第一承载罩和包围所述第一承载罩的第二承载罩，所述第二承载罩位于所述第一承载罩和所述第一电磁屏蔽罩之间；天线组件，位于所述第一承载罩和所述第二承载罩之间。
[0006]可选的，所述第一承载罩包括第一硅油层和第一离型层，所述第一硅油层位于所述第一离型层和所述天线组件之间，所述天线组件附着在所述第一硅油层的表面。
[0007]可选的，所述第二承载罩包括第二硅油层和第二离型层，所述第二硅油层位于所述第二离型层和所述天线组件之间，所述天线组件附着在所述第二硅油层的表面。
[0008]可选的，所述天线组件包括：若干条天线、控制部和汇聚部，每条天线具有相对的第一端和第二端，若干条天线的第一端均与所述控制部连接，若干条天线的第二端均与所述汇聚部连接。
[0009]可选的，所述天线结构罩包括第一半球区和第二半球区，所述第一半球区中的天线为发射天线，所述第二半球区中的天线为接收天线。
[0010]可选的，所述第一电磁屏蔽罩包括：第一电磁屏蔽基罩、若干相互间隔的第一焊盘、以及第一键合线组，第一焊盘位于所述第一电磁屏蔽基罩朝向所述天线结构罩的表面；所述第一键合线组包括：第一键合线，所述第一键合线的一端连接第一焊盘，所述第一键合线的另一端与所述第一电磁屏蔽基罩间隔；和/或，第二键合线，所述第二键合线的两端分别连接相邻的第一焊盘；当第一键合线组包括第一键合线和第二键合线时，连接第一键合线的第一焊盘与连接第二键合线的第一焊盘间隔。
[0011]可选的，所述第一键合线和所述第二键合线在所述天线的延伸方向上交替排布。
[0012]可选的，所述第一焊盘的材料包括镍钯金。
[0013]可选的，所述第一键合线的材料包括金。
[0014]可选的，所述第二键合线的材料包括金。
[0015]可选的，所述第一键合线的线径为18um－22um。
[0016]可选的，所述第二键合线的线径为18um－22um。
[0017]可选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离大于或等于所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离。
[0018]可选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离为350um－400um，所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离为250um－350um。
[0019]可选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离小于所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离。
[0020]可选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离为250um－350um，所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离为350um－400um。
[0021]可选的，所述第一电磁屏蔽罩还包括：位于所述第一电磁屏蔽基罩朝向所述天线结构罩的部分表面的第一防氧化层，第一防氧化层暴露出第一焊盘；位于所述第一电磁屏蔽基罩背离所述天线结构罩的表面的第二防氧化层。
[0022]可选的，所述第一防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂。
[0023]可选的，所述第二防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂。
[0024]可选的，还包括：第二电磁屏蔽罩，所述第二电磁屏蔽罩被所述天线结构罩包围；第二静电屏蔽罩，位于所述第二电磁屏蔽罩背向所述天线结构罩的一侧。
[0025]可选的，所述第二电磁屏蔽罩包括：第二电磁屏蔽基罩、若干相互间隔的第二焊盘、以及第二键合线组，第二焊盘位于所述第二电磁屏蔽基罩朝向所述天线结构罩的表面；所述第二键合线组包括：第三键合线，所述第三键合线的一端连接第二焊盘，所述第三键合线的另一端与所述第二电磁屏蔽基罩间隔；和/或，第四键合线，所述第四键合线的两端分别连接相邻的第二焊盘；当第二键合线组包括第三键合线和第四键合线时，连接第三键合线的第二焊盘与连接第四键合线的第二焊盘间隔。
[0026]可选的，所述第三键合线和所述第四键合线在所述天线的延伸方向上交替排布。
[0027]可选的，所述第二焊盘的材料包括镍钯金。
[0028]可选的，所述第三键合线的材料包括金。
[0029]可选的，所述第四键合线的材料包括金。
[0030]可选的，所述第三键合线的线径为18um－22um。
[0031]可选的，所述第四键合线的线径为18um－22um。
[0032]可选的，所述第三键合线背离所述第二焊盘的另一端至所述第二电磁屏蔽基罩的距离大于或等于第四键合线至所述第二电磁屏蔽基罩的最大距离。
[0033]可选的，所述第三键合线背离所述第二焊盘的另一端至所述第二电磁屏蔽基罩的距离为350um－400um，所述第四键合线至所述第二电磁屏蔽基罩的最大距离为250um－350um。
[0034]可选的，所述第三键合线背离所述第二焊盘的另一端至所述第二电磁屏蔽基罩的距离小于所述第四键合线至所述第二电磁屏蔽基罩的最大距离。
[0035]可选的，所述第三键合线背离所述第二焊盘的另一端至所述第二电磁屏蔽基罩的距离为250um－350um，所述第四键合线至所述第二电磁屏蔽基罩的最大距离为350um－400um。
[0036]可选的，所述第二电磁屏蔽罩还包括：位于所述第二电磁屏蔽基罩朝向天线结构罩的部分表面的第三防氧化层，第三防氧化层暴露出第二焊盘；位于所述第二电磁屏蔽基罩背离所述天线结构罩的表面的第四防氧化层。
[0037]可选的，所述第三防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂。
[0038]可选的，所述第四防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂。
[0039]可选的，所述发射天线沿着所述发射天线的延伸方向的路径上具有第一波峰段和与第一波峰段对应的第一波谷段，所述第一波谷段的底面至第一电磁屏蔽罩的距离大于与第一波峰段的顶点至第一电磁屏蔽罩的距离；所述接收天线沿着所述接收天线的延伸方向的路径上具有第二波峰段和与所述第二波峰段对应的第二波谷段，所述第二波谷段的底面至第一电磁屏蔽罩的距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线装置，其特征在于，包括：天线结构罩；第一电磁屏蔽罩，位于所述天线结构罩的外侧；第一静电屏蔽罩，位于所述第一电磁屏蔽罩背向所述天线结构罩的一侧。2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线结构罩包括：第一承载罩和包围所述第一承载罩的第二承载罩，所述第二承载罩位于所述第一承载罩和所述第一电磁屏蔽罩之间；天线组件，位于所述第一承载罩和所述第二承载罩之间；优选的，所述第一承载罩包括第一硅油层和第一离型层，所述第一硅油层位于所述第一离型层和所述天线组件之间，所述天线组件附着在所述第一硅油层的表面；优选的，所述第二承载罩包括第二硅油层和第二离型层，所述第二硅油层位于所述第二离型层和所述天线组件之间，所述天线组件附着在所述第二硅油层的表面。3.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于，所述天线组件包括：若干条天线、控制部和汇聚部，每条天线具有相对的第一端和第二端，若干条天线的第一端均与所述控制部连接，若干条天线的第二端均与所述汇聚部连接；优选的，所述天线结构罩包括第一半球区和第二半球区，所述第一半球区中的天线为发射天线，所述第二半球区中的天线为接收天线。4.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第一电磁屏蔽罩包括：第一电磁屏蔽基罩、若干相互间隔的第一焊盘、以及第一键合线组，第一焊盘位于所述第一电磁屏蔽基罩朝向所述天线结构罩的表面；所述第一键合线组包括：第一键合线，所述第一键合线的一端连接第一焊盘，所述第一键合线的另一端与所述第一电磁屏蔽基罩间隔；和/或，第二键合线，所述第二键合线的两端分别连接相邻的第一焊盘；当第一键合线组包括第一键合线和第二键合线时，连接第一键合线的第一焊盘与连接第二键合线的第一焊盘间隔；优选的，所述第一键合线和所述第二键合线在所述天线的延伸方向上交替排布；优选的，所述第一焊盘的材料包括镍钯金；优选的，所述第一键合线的材料包括金；优选的，所述第二键合线的材料包括金；优选的，所述第一键合线的线径为18um－22um；优选的，所述第二键合线的线径为18um－22um。5.根据权利要求4所述的天线装置，其特征在于，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离大于或等于所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离；优选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离为350um－400um，所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离为250um－350um。6.根据权利要求4所述的天线装置，其特征在于，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离小于所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离；优选的，所述第一键合线背离所述第一焊盘的另一端至所述第一电磁屏蔽基罩的距离
为250um－350um，所述第二键合线至所述第一电磁屏蔽基罩的最大距离为350um－400um。7.根据权利要求4所述的天线装置，其特征在于，所述第一电磁屏蔽罩还包括：位于所述第一电磁屏蔽基罩朝向所述天线结构罩的部分表面的第一防氧化层，第一防氧化层暴露出第一焊盘；位于所述第一电磁屏蔽基罩背离所述天线结构罩的表面的第二防氧化层；优选的，所述第一防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂；优选的，所述第二防氧化层的材料包括：液态光致阻焊剂。8.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：第二电磁屏蔽罩，所述第二电磁屏蔽罩被所述天线结构罩包围...

【专利技术属性】
技术研发人员：项昌华，陈天放，汤鑫，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：