三五族半导体可视化晶体生长设备制造技术

一种三五族半导体可视化晶体生长设备，涉及晶体生长设备技术领域，包括单晶生长炉，还包括可视化组件和监视器，所述的可视化组件位于单晶生长炉的上方，可视化组件包括上可视窗片和下可视窗片，两片可视窗片通过视窗固定器固定密封连接，两片可视窗片之间存在过冷却水的腔室，腔室的一端设置有进水口，腔室的另一端设置有排水口，上可视窗片的上方设置有摄像头，摄像头与监视器电性连接。本实用新型专利技术具备可视化的特点，因此能够及时的针对缺陷做出调整，做到最大可能降低缺陷，提升良品率。提升良品率。提升良品率。

【技术实现步骤摘要】
三五族半导体可视化晶体生长设备


[0001]本技术属于晶体生长设备领域，尤其涉及一种三五族半导体可视化晶体生长设备。

技术介绍

[0002]传统的VB/VGF法进行单晶生长时，无法对晶体生长情况进行可视化辨别，晶体缺陷无法控制。例如：砷化镓单晶生长，当晶体炉开启后，温度逐渐升高，化料，接种，生长因现有工艺需求晶体温度在1238度以上且全程无法观测，只有当晶体降至室温出炉后，才能判断晶体是否有缺陷，因此如何降低缺陷，如何规避缺陷，如何拯救缺陷晶体使良品率提高一直是困扰晶体生长的最大问题。

技术实现思路

[0003]为解决晶体生长的可视化辨别问题，本技术提供一种三五族半导体可视化晶体生长设备，在晶体生长过程中，本技术具备可视化的特点，因此能够及时的针对缺陷做出调整，做到最大可能降低缺陷，提升良品率。
[0004]本技术提供的技术方案是：一种三五族半导体可视化晶体生长设备，包括单晶生长炉，还包括可视化组件和监视器，所述的可视化组件位于单晶生长炉的上方，可视化组件包括上可视窗片和下可视窗片，两片可视窗片通过视窗固定器固定密封连接，两片可视窗片之间存在过冷却水的腔室，腔室的一端设置有进水口，腔室的另一端设置有排水口，上可视窗片的上方设置有摄像头，摄像头与监视器电性连接。
[0005]本技术的有益效果为：
[0006]本技术通过红外线摄像头可以更加直观的观测到晶体生长状况，随时调整晶体缺陷的产生，提高晶体的良品率。
附图说明
[0007]图1是本技术的结构示意图。
[0008]图中：1、单晶生长炉；2、下可视窗片；3、排水口；4、上可视窗片；5、摄像头；6、摄像头调整器；7、进水口；8、监视器；9、电控柜。
具体实施方式
[0009]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。
[0010]本实施例是一种能够在VB/VGF单晶生长炉1上安装的可视化红外视频设备和系统包括单晶生长炉1、可视化组件、冷却水机组、监视器8、温度控制器和电控柜9。
[0011]所述的可视化组件垂直安装于单晶生长炉1的上方，可视化组件包括上可视窗片4和下可视窗片2，两片可视窗片通过视窗固定器固定密封连接，两片可视窗片之间存在过冷
却水的腔室，腔室的一端设置有进水口7，腔室的另一端设置有排水口3，进水口7、排水口3与冷却水机组连接，给视窗及其组件降温，上可视窗片4的上方设置有红外摄像头5，摄像头5与监视器8电性连接，为方便观测，摄像头调整器6需要能够灵活转动上下调增使其摄像头5能够清晰的观测到炉体内部，摄像头5连接至监视器8。单晶生长炉1，温度控制器，控制柜互相连接用于随时温度检测和调整。
[0012]实际生长过程中，因炉内温度在1238摄氏度以上，可视画面是一个有规则的不同生长阶段呈现出不同颜色的各种环形光斑，光晕，技术人员通过光斑，光晕的大小，形状判断晶体生长情况及缺陷是否产生，当判断出现缺陷光斑光晕时通过温度调整，使其回融，当恢复正常后可继续进行单晶生长。该方法能够让晶体缺陷可控，使晶体良品率达到80％以上。
[0013]冷却水为电阻大于18欧姆的电子级纯水，防止结垢，影响观测。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三五族半导体可视化晶体生长设备，包括单晶生长炉(1)，其特征在于：还包括可视化组件和监视器(8)，所述的可视化组件位于单晶生长炉(1)的上方，可视化组件包括上可视窗片(4)和下可视窗片(2)，两片可视窗片通过视窗固定器固定密封连接，两片可视窗片之间存在过冷却水的腔室，腔室的一端设置有进水口(7)，腔室的另一端设置有排水口(3)，上可视窗片(4)的上方设置有摄像头(5)，摄像头(5)与监视器(8)电性连接。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁韶阳，冯佳峰，于会永，赵春锋，赵中阳，刘钊，张艳辉，荆爱明，
申请(专利权)人：大庆溢泰半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：