碳化硅外延基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺陷密度小于1.0cm

【技术实现步骤摘要】
碳化硅外延基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅外延基板及其制造方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)半导体具有比硅半导体大的绝缘击穿电场强度、电子饱和漂移速度和导热系数。因此，碳化硅半导体，作为与现有的硅器件相比可以实现能够以高温、快速进行大电流动作的功率器件、并且实现以高效率驱动电动车和混合动力汽车等所使用的电动机的开关元件的半导体受到了关注。
[0003]碳化硅半导体即使是相同的化学组成，也存在叠层方向(＜0001＞方向)上的碳原子与硅原子的配置不同的多种的多型。另外，由于这些多型间的内部能量差小，因此单晶中容易生成异种多型，所生成的异种的多型形成位错或叠层缺陷(SF、Stacking Fault)。一般而言，碳化硅基板与硅基板等相比，包含这样的位错或叠层缺陷更多。因此，在使用碳化硅半导体制造开关元件等半导体器件的情况下，在碳化硅基板上形成这样的缺陷少的碳化硅外延层，在碳化硅外延层形成半导体器件的主结构。
[0004]然而，位错或叠层缺陷是扩展缺陷，在外延生长时，碳化硅基板的表面附近所产生的位错或叠层缺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延基板，其特征在于，具有：具有第一面的碳化硅基板；和位于所述第一面的碳化硅外延层，所述第一面为(000－1)C面，在所述碳化硅外延层的上表面，线状表面缺陷密度小于1.0cm
‑2，并且叠层缺陷密度小于1.2cm
‑2。2.如权利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述线状表面缺陷密度小于0.5cm
‑2。3.如权利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述线状表面缺陷密度小于0.35cm
‑2。4.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述叠层缺陷密度小于1.0cm
‑2。5.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述叠层缺陷密度小于0.35cm
‑2。6.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于3000cm
‑2。7.如权利要求1～5中任一项所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度小于2000cm
‑2。8.如权利要求6或7所述的碳化硅外延基板，其特征在于：所述线状表面缺陷密度相对于所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位错密度的比例小于0.04％。9.如权利要求6或7所述的碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦刚，市川穂高，木村直矢，奥田裕之，广冈泰典，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：