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本发明提供能够使高品质的碳化硅单晶快速生长的碳化硅单晶的制造方法。碳化硅外延基板(10)包括具有第一面的碳化硅基板(20)和位于第一面的碳化硅外延层(30)，第一面(20a)为(000－1)C面，在碳化硅外延层的上表面(30a)，线状表面缺...
该专利属于日立金属株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立金属株式会社授权不得商用。

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