一种高效稳定聚合物空穴传输层材料和钙钛矿太阳电池器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高效稳定聚合物空穴传输层材料和钙钛矿太阳电池器件及其制备方法；所述高效稳定聚合物空穴传输层材料结构式如下；所述钙钛矿太阳电池器件依次包括以下部分：透明玻璃基的导电ITO衬底、SnO2电子传输层薄膜、钙钛矿薄膜、空穴传输层薄膜、氧化钼蒸镀层、银电极；所述空穴传输层薄膜的材料包括高效稳定聚合物空穴传输层材料。通过在透明玻璃基的导电ITO衬底上依次旋涂SnO2溶液、钙钛矿前驱体溶液、空穴传输层溶液；再蒸镀氧化钼和银电极制得钙钛矿太阳电池器件。本发明专利技术提供的空穴传输层在保证较高的光电转化效率的前提下，显著提高了钙钛矿太阳电池的器件光照稳定性。性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
for hysteresis
‑
less scalable planar perovskite solar cells.)。

技术实现思路

[0008]为了解决上述现有技术的缺点和不足，本专利技术的目的在于提供一种新型高效稳定的聚合物空穴传输层材料，显著提高钙钛矿太阳电池的光照稳定性。同时提供一种钙钛矿太阳电池器件及其制备方法。
[0009]本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0010]一种高效稳定聚合物空穴传输层材料，其化学结构如下：
[0011][0012]其中，n的范围为1000
‑
50000。
[0013]一种钙钛矿太阳电池器件，依次包括以下部分：透明玻璃基的导电ITO(氧化铟锡)衬底、SnO2电子传输层薄膜、钙钛矿薄膜、空穴传输层薄膜、氧化钼蒸镀层、银电极；所述空穴传输层薄膜的材料包括上述的高效稳定聚合物空穴传输层材料。
[0014]优选的，所述的透明玻璃基的导电ITO衬底，是下面一层透明的玻璃，玻璃上沉积了ITO透明导线金属，ITO的厚度100
‑
300纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效稳定聚合物空穴传输层材料，其特征在于，其化学结构如下：其中，n的范围为1000
‑
50000。2.一种钙钛矿太阳电池器件，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池器件结构依次包括以下部分：透明玻璃基的导电ITO衬底、SnO2电子传输层薄膜、钙钛矿薄膜、空穴传输层薄膜、氧化钼蒸镀层、银电极；所述空穴传输层薄膜的材料包括权利要求1所述的高效稳定聚合物空穴传输层材料。3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳电池器件，其特征在于，所述的透明玻璃基的导电ITO衬底，是下面一层透明的玻璃，玻璃上沉积了ITO透明导线金属，ITO的厚度100
‑
300纳米。4.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳电池器件，其特征在于，所述SnO2电子传输层薄膜的厚度为20
‑
40纳米；所述钙钛矿薄膜的厚度为400
‑
900纳米，所述钙钛矿薄膜的前驱体溶液的化学组分为Cs
0.05
MA
0.14
FA
0.81
PbBr
x
I3‑
x
,其中x的取值为0.3～1；所述空穴传输层薄膜的厚度在20
‑
40纳米；所述氧化钼蒸镀层的厚度为10
‑
20纳米；所述银电极的厚度为70
‑
100纳米。5.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳电池器件，其特征在于，所述空穴传输层薄膜的材料还包括双三氟甲烷磺酰亚胺锂、特丁基吡啶；其中，三氟甲烷磺酰亚胺锂的质量为高效稳定聚合物空穴传输层材料质量的1
‑
15％，特丁基吡啶的体积和高效稳定聚合物空穴传输层材料的质量的比为(0.1
‑
10)：(0.7
‑
1.5)ml/g。6.权利要求2
‑
5任一项所述钙钛矿太阳电池器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗透明玻璃基的导电ITO衬底并且干燥；将SnO2溶液旋涂在干燥后的透明导电ITO衬底上，加热处理，获得ITO/SnO2薄膜；(2)将钙钛矿前驱体溶液旋涂在步骤(1)所述的ITO/SnO2薄膜上获得ITO/SnO2/钙钛矿薄膜；(3)将高效稳定聚合物空穴传输层材料溶液旋涂在步骤(2)所述的ITO/SnO2/钙钛矿薄膜上，然后再加热处理，获得ITO/SnO2/钙钛矿薄膜/空穴传输层薄膜；(4)将步骤(3)所述ITO/SnO2/钙钛矿薄膜/空穴传输层薄膜转移至镀膜机中，将镀膜机抽真空度抽到10^
‑
6到10^
‑
7Torr，开始热蒸镀氧化钼蒸镀层，最终获得ITO/SnO2/钙钛矿薄膜/空穴传输层薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶轩立，杨永超，贾小娥，陈梓铭，黎振超，黄飞，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：