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层叠陶瓷电子元件制造技术

技术编号:35040056 阅读:10 留言:0更新日期:2022-09-24 23:18
本发明专利技术提供能够薄型化的层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子元件。本发明专利技术的层叠陶瓷电子元件(2)的端子电极(6、8)包括:覆盖内部电极层(12)被引出的元件主体(4)的引出端(4a、4b)的端侧电极部(6a、8a);和与端侧电极部(6a、8a)相连续而覆盖与元件主体(4)的层叠方向垂直的上表面(4c)的一部分的上侧电极部(6b、8b),端侧电极部(6a、8a)的外表面被端侧覆盖层(18b)覆盖,在层叠方向上位于与上表面(4c)相反一侧的元件主体(4)的下表面(4d)实质上不存在端子电极(6、8)。8)。8)。

【技术实现步骤摘要】
层叠陶瓷电子元件
[0001]本申请是申请日为2019年10月30日、申请号为201911043565.7、专利技术名称为层叠陶瓷电子元件的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及例如用作层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子元件,更详细而言,涉及可薄型化的层叠陶瓷电子元件。

技术介绍

[0003]例如也如下述的专利文献1中所示,通常现有的层叠陶瓷电容器在元件主体的长边方向的两端部具有端子电极,且各端子电极具有元件主体的端侧电极部、覆盖元件主体的上表面的上侧电极部、覆盖元件主体的下表面的下表面电极部。
[0004]端子电极的基底电极通过将元件主体的端部浸渍于含有导电粒子的溶液中而形成。在浸渍时,将多个元件主体分别插入形成于保持板的多个保持孔,使元件主体的每个单侧端浸渍于溶液而形成基底电极。然后,根据需要在基底电极形成镀膜而作为端子电极。
[0005]总之,在元件主体形成端子电极时,当元件主体本身没有一定程度的厚度时,难以形成基底电极,并且难以形成镀膜。即,如果元件主体较薄,则将元件主体利用保持板的保持孔保持时,元件主体容易破损。另外,在进行镀敷时,如果元件主体较薄,则元件主体也容易破损。因此,现有的层叠陶瓷电容器的结构中,元件主体的薄型化困难,因此,层叠陶瓷电容器难以薄型化。
[0006]另外,例如下述的专利文献2所记载的层叠陶瓷电容器在电介质层与内部电极层的层叠方向(高度方向)的一面不具有第一外部电极和第二外部电极。由此,能够增大电容器主体的高度方向尺寸,且能够有助于容量增加。/>[0007]但是,专利文献2中,对伴随层叠陶瓷电容器的薄型化的元件主体的强度的提高没有研究。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开2017

28254号公报
[0011]专利文献2:日本特开2017

152621号公报

技术实现思路

[0012]专利技术所要解决的课题
[0013]本专利技术是鉴于这种实际状况而研发的,其目的在于,提供可薄型化的层叠陶瓷电容器等的层叠陶瓷电子元件。
[0014]用于解决课题的方案
[0015]为了达成所述目的,本专利技术的第一观点提供一种层叠陶瓷电子元件包括:将内部电极层和绝缘层沿着第三轴的方向交替层叠而成的元件主体,其中所述内部电极层和所述
绝缘层在包含第一轴和第二轴的平面中实质上平行;和
[0016]端子电极,其形成为与所述元件主体的外表面紧贴,并与所述内部电极层电连接,
[0017]所述端子电极包括:
[0018]一对端侧电极部,其覆盖所述内部电极层被引出的所述元件主体的所述第二轴方向的端部且在所述第二轴的方向上彼此相对;和
[0019]一对上侧电极部,其分别与所述端侧电极部相连续而覆盖所述元件主体的与所述第三轴实质上垂直的上表面的一部分,
[0020]所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,
[0021]在所述第三轴的方向上位于所述元件主体的与所述上表面相反一侧的所述元件主体的下表面,实质上不存在所述端子电极。
[0022]本专利技术的第二观点提供一种层叠陶瓷电子元件,包括:
[0023]将内部电极层和绝缘层沿着第三轴的方向交替层叠而成的元件主体,其中所述内部电极层和所述绝缘层在包含第一轴和第二轴的平面中实质上平行;和
[0024]端子电极,其形成为与所述元件主体的外表面紧贴,并与所述内部电极层电连接,
[0025]所述端子电极包括:
[0026]一对端侧电极部,其覆盖所述内部电极层被引出的所述元件主体的所述第二轴方向的端部且在所述第二轴的方向上彼此相对;和
[0027]一对上侧电极部,其分别与所述端侧电极部相连续而覆盖所述元件主体的与所述第三轴实质上垂直的上表面的一部分,
[0028]所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,
[0029]在所述第三轴的方向上位于所述元件主体的与所述上表面相反一侧的所述元件主体的下表面全部露出于外部。
[0030]本专利技术的第一观点的层叠陶瓷电子元件以及后述的第三和第五观点的层叠陶瓷电子元件中,在元件主体的下表面实质上未形成端子电极。本专利技术的第二观点的层叠陶瓷电子元件以及后述的第四和第六观点的层叠陶瓷电子元件中,元件主体的下表面全部露出。现有的层叠陶瓷电子元件的结构中,仅将元件主体的厚度减薄至例如100μm以下程度,难以在元件主体形成端子电极。
[0031]本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件以及后述的第三~第六观点的层叠陶瓷电子元件能够通过例如组合两个以上的较薄的元件主体,在形成端子电极之后分离元件主体而形成。因此,例如现有的薄至1/2以下程度的层叠陶瓷电子元件能够容易制造。
[0032]作为结果得到的层叠陶瓷电子元件中,在元件主体的下表面实质上未形成端子电极,或元件主体的下表面全部露出。而且,层叠陶瓷电子元件的总厚度能够减薄为100μm以下,优选减薄为90μm以下,进一步优选减薄为80μm以下,特别优选减薄为60μm以下,有助于层叠陶瓷电子元件的薄型化。
[0033]另外,本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件中,端侧电极部的外表面利用端侧覆盖层覆盖。由此,能够提高层叠陶瓷电子元件的耐湿性。即,即使端子电极通过层叠陶瓷电子元件的薄型化而变薄,也能够防止水分侵入到层叠陶瓷电子元件的内部。据此,即使在有水分的环境或湿度高的环境下使用层叠陶瓷电子元件,或层叠陶瓷电子元件的制造工序中包括使用水的工序或湿式工序,也能够防止水分侵入层叠陶瓷电子元件的内部,
并抑制绝缘性的降低。
[0034]另外,本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件中,端侧电极部的外表面利用端侧覆盖层覆盖,因此能够提高强度。
[0035]本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件中,优选所述元件主体的所述下表面为平坦面。由于元件主体的下表面为平坦面,例如容易埋入到基板的内部。另外,在元件主体的作为下表面的平坦面设置于安装面时,元件主体与安装面紧贴地安装,层叠陶瓷电子元件的弯曲强度提高。
[0036]本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件中,优选以(所述端侧覆盖层的覆盖面积/所述端侧电极部的外表面的面积)
×
100%表示的覆盖率为96~100%。
[0037]通过覆盖率为预定值以上,能够进一步提高层叠陶瓷电子元件的耐湿性,并且能够提高强度。
[0038]本专利技术的第一和第二观点的层叠陶瓷电子元件中,优选以(所述端侧覆盖层的平均厚度/所述端侧电极部的平均厚度)
×
100%表示的所述端侧覆盖层的相对厚度为20~500%。
[0039]通过端侧覆盖层的相对厚度为所述的范围内,能够进一步提高层叠陶瓷电子元件的耐湿性,并且能够提高强度,除此之外,层叠陶瓷电子元件的第二轴的方向的尺寸不会过大,能够没问题地安装。
[0040]本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种层叠陶瓷电子元件,其特征在于,包括:将内部电极层和绝缘层沿着第三轴的方向交替层叠而成的元件主体,其中所述内部电极层和所述绝缘层在包含第一轴和第二轴的平面中实质上平行;和端子电极,其形成为与所述元件主体的外表面紧贴,并与所述内部电极层电连接,所述端子电极包括:一对端侧电极部,其覆盖所述内部电极层被引出的所述元件主体的所述第二轴方向的端部且在所述第二轴的方向上彼此相对;和一对上侧电极部,其分别与所述端侧电极部相连续而覆盖所述元件主体的与所述第三轴实质上垂直的上表面的一部分,在所述元件主体与所述端子电极的界面设有导电性金属膜,在所述第三轴的方向上位于所述元件主体的与所述上表面相反一侧的所述元件主体的下表面,实质上不存在所述端子电极。2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述导电性金属膜至少含有Pt、Rh、Ru、Re、Ir、Pd中的任一种金属。3.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述导电性金属膜覆盖形成于所述元件主体的表面的凹凸面的覆盖面积比例在20~70%的范围内。4.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,以(所述端侧覆盖层的覆盖面积/所述端侧电极部的外表面的面积)
×
100%表示的覆盖率为96~100%。5.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,以(所述端侧覆盖层的平均厚度/所述端侧电极部的平均厚度)
×
100%表示的所述端侧覆盖层的相对厚度为20~500%。6.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,所述端侧覆盖层的材质为以Si为主成分的玻璃。7.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,所述端侧覆盖层的材质为以树脂为主成分的膜。8.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:位于一对所述上侧电极部之间的覆盖所述元件主体的所述上表面的上表面覆盖层,以其表面与所述上侧电极部的表面实质上齐平的方式紧贴所述元件主体的所述上表面。9.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述元件主体的所述下表面为平坦面。10.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述上侧电极部的表面被选自Ni镀层、Sn镀层、Au镀层和Cu镀层中的至少1种覆盖。11.根据权利要求1~10中任一项所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:
能够被埋入到基板中。12.一种层叠陶瓷电子元件,其特征在于,包括:将内部电极层和绝缘层沿着第三轴的方向交替层叠而成的元件主体,其中所述内部电极层和所述绝缘层在包含第一轴和第二轴的平面中实质上平行;和端子电极,其形成为与所述元件主体的外表面紧贴,并与所述内部电极层电连接,所述端子电极包括:一对端侧电极部,其覆盖所述内部电极层被引出的所述元件主体的所述第二轴方向的端部且在所述第二轴的方向上彼此相对;和一对上侧电极部,其分别与所述端侧电极部相连续而覆盖所述元件主体的与所述第三轴实质上垂直的上表面的一部分,在所述元件主体与所述端子电极的界面设有导电性金属膜,在所述第三轴的方向上位于所述元件主体的与所述上表面相反一侧的所述元件主体的下表面全部露出于外部。13.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述导电性金属膜至少含有Pt、Rh、Ru、Re、Ir、Pd中的任一种金属。14.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述导电性金属膜覆盖形成于所述元件主体的表面的凹凸面的覆盖面积比例在20~70%的范围内。15.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,以(所述端侧覆盖层的覆盖面积/所述端侧电极部的外表面的面积)
×
100%表示的覆盖率为96~100%。16.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,以(所述端侧覆盖层的平均厚度/所述端侧电极部的平均厚度)
×
100%表示的所述端侧覆盖层的相对厚度为20~500%。17.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,所述端侧覆盖层的材质为以Si为主成分的玻璃。18.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述端侧电极部的外表面被端侧覆盖层覆盖,所述端侧覆盖层的材质为以树脂为主成分的膜。19.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:位于一对所述上侧电极部之间的覆盖所述元件主体的所述上表面的上表面覆盖层,以其表面与所述上侧电极部的表面实质上齐平的方式紧贴所述元件主体的所述上表面。20.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述元件主体的所述下表面为平坦面。21.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述上侧电极部的表面被选自Ni镀层、Sn镀层、Au镀层和Cu镀层中的至少1种覆盖。
22.根据权利要求12~21中任一项所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:能够被埋入到基板中。23.一种层叠陶瓷电子元件,其特征在于,包括:将内部电极层和绝缘层沿着第三轴的方向交替层叠而成的元件主体,其中所述内部电极层和所述绝缘层在包含第一轴和第二轴的平面中实质上平行;和端子电极,其形成为与所述元件主体的外表面紧贴,并与所述内部电极层电连接,所述端子电极包括:一对端侧电极部,其覆盖所述内部电极层被引出的所述元件主体的所述第二轴方向的端部且在所述第二轴的方向上彼此相对;和一对上侧电极部,其分别与所述端侧电极部相连续而覆盖所述元件主体的与所述第三轴实质上垂直的上表面的一部分,在所述第三轴的方向上位于所述元件主体的与所述上表面相反一侧的所述元件主体的下表面实质上不存在所述端子电极,所述元件主体具有加强层,所述加强层覆盖所述元件主体的在所述第一轴的方向上彼此相对的一对侧面、所述上表面以及所述下表面中的至少任一个面,所述加强层包含填料和基质,所述填料的材质为玻璃或氧化铝,所述填料的形状为针状、柱状或板状。24.根据权利要求23所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:具有覆盖所述元件主体的所述上表面的所述加强层。25.根据权利要求23所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:所述基质的材质为选自玻璃和树脂的至少一种。26.根据权利要求23所述的层叠陶瓷电子元件,其特征在于:覆盖所述上表面的所述加强层与覆盖所述侧面的所述加强层相连续而覆盖所述元件主体。27.根据权利要求23所述的层叠...

【专利技术属性】
技术研发人员:田中博文樱井俊雄冈井圭祐岩永大介中田久士
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:

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