本发明专利技术公开了一种用于晶圆表面清洗的装置，包括装置壳体，装置壳体底部为基座；基座上设置有旋转机构，旋转机构用于放置晶圆片，并带动晶圆片旋转；装置壳体顶部设有清洗机构，清洗机构包括升降板、带动升降板在晶圆片上方上下运动的动力机构以及多条喷淋管路；升降板的截面为圆形；升降板上设置有若干喷头，喷头朝向基座，用于向晶圆片的表面喷淋清洗介质；若干喷头沿升降板的中心呈多圈环形分布；每条喷淋管路与至少一个喷头连接，喷淋管路用于输送不同的清洗介质。本发明专利技术的装置能够快速切换清洗介质，节省操作时间，提高清洗效率；并且设置的回收组件具有一定的温度，溅射的清洗液能沿回收组件内壁快速滑落，防止回溅，能够提高晶圆的良率。晶圆的良率。晶圆的良率。
【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆表面清洗的装置
[0001]本专利技术涉及半导体清洗
，尤其涉及一种用于晶圆表面清洗的装置。
技术介绍
[0002]晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶圆。
[0003]在晶圆加工过程中，如刻蚀、抛光等工序都会在晶圆表面产生污染物，为了保证晶片的表面清洁，消除各个工艺中在晶圆表面产生的污染物，需要对晶圆进行清洗。因此，设计一种能够高效、快速、高良率的晶圆清洗设备是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种用于晶圆表面清洗的装置。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是：
[0006]提供一种用于晶圆表面清洗的装置，包括装置壳体，
[0007]所述装置壳体底部为基座；
[0008]所述基座上设置有旋转机构，所述旋转机构用于放置晶圆片，并带动所述晶圆片旋转；
[0009]所述装置壳体顶部设有清洗机构，所述清洗机构包括升降板、带动升降板在所述晶圆片上方上下运动的动力机构以及多条喷淋管路；所述升降板的截面为圆形；
[0010]所述升降板上设置有若干喷头，所述喷头朝向所述基座，用于向所述晶圆片的表面喷淋清洗介质；若干所述喷头沿所述升降板的中心呈多圈环形分布；
[0011]每条所述喷淋管路与至少一个所述喷头连接，所述喷淋管路用于输送不同的清洗介质。
[0012]进一步地，若干所述喷头分为多组喷头组，且所述喷淋管路的条数与所述喷头组的组数相同，并且一一对应。
[0013]进一步地，每一圈环形分布的所述喷头中至少两个属于同一组所述喷头组。
[0014]进一步地，每个所述喷头的延长线均对准所述旋转机构的平台的中心点。
[0015]进一步地，每条所述喷淋管路分别与不同的清洗介质输送机构连接。
[0016]进一步地，所述清洗介质包括清洗气体或者清洗喷雾。
[0017]进一步地，所述装置壳体内还设置有回收组件，所述回收组件包括挡板和加热元件，所述挡板以包围所述旋转机构的方式设置。
[0018]进一步地，所述加热元件以内嵌的方式安装在所述挡板内，以对所述挡板进行加热。
[0019]本专利技术采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：
[0020]本专利技术的装置能够快速切换清洗介质，节省操作时间，提高清洗效率；并且设置的
回收组件具有一定的温度，溅射的清洗液能沿回收组件内壁快速滑落，防止回溅，能够有效提高晶圆的良率。
附图说明
[0021]图1为本专利技术装置的示意图；
[0022]其中的附图标记为：
[0023]装置壳体1、基座2、旋转机构3、晶圆片4、升降板5、动力机构6、喷头7、平台8、挡板9。
具体实施方式
[0024]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]请参阅图1，本实施例提供一种用于晶圆表面清洗的装置，包括装置壳体1，装置壳体1底部为基座2；基座2上设置有旋转机构3，上述旋转机构3用于放置晶圆片4，并带动晶圆片4旋转；装置壳体1顶部设有清洗机构，清洗机构包括升降板5、带动升降板5在晶圆片4上方上下运动的动力机构6以及多条喷淋管路；上述升降板5的截面为圆形；
[0026]升降板5上设置有若干喷头7，喷头7朝向基座2，用于向晶圆片4的表面喷淋清洗介质；若干喷头7沿升降板5的中心呈多圈环形分布；每条喷淋管路与至少一个喷头7连接，上述喷淋管路用于输送不同的清洗介质，以快速切换向晶圆片4表面喷淋的清洗介质的种类。
[0027]在本专利技术中，每条喷淋管路分别与不同的清洗介质输送机构连接，通过控制上述清洗介质输送机构的开启或关闭，便能够快速切换不同种类的清洗介质，选择性的通过喷头7朝向晶圆片4表面喷淋，节省操作时间，提高清洗效率。
[0028]本实施例中，若干喷头7分为多组喷头组，且喷淋管路的条数与上述喷头组的组数相同，并且一一对应；且每一圈环形分布的喷头7中至少两个属于同一组喷头组；每个喷头7的延长线均对准旋转机构3的平台8的中心点。以上设计可以使喷头7更好、更均匀地向晶圆片4表面喷淋清洗介质，防止喷淋死角的产生。
[0029]在实际应用中，每一条喷淋管路固定输送一种介质，以避免介质之间相互反应，影响清洗效果；且以上设计可根据清洗介质的物理、化学性质个性设计喷淋管路的材质以及清洗介质输送机构的种类、型号。
[0030]本实施例中，清洗介质包括清洗气体或者清洗喷雾，除此之外还可以是高温干燥空气，通过喷头7向晶圆片4表面喷淋对晶圆片4进行干燥。
[0031]本实施例的装置还包括回收组件，上述回收组件整体设置于装置壳体1内部，其包括筒状的挡板9和加热元件，加热元件以内嵌的方式安装在筒状的挡板9内，以对筒状的挡板9进行加热。
[0032]筒状的挡板9以包围旋转机构3的方式设置，筒状的挡板9分为下部的平直段和上部的缩口段，平直段底端与基座2固定连接，缩口段远离基座2，缩口段的一端沿向上方向直径逐渐缩小。此外，筒状的挡板9的高低不低于晶圆片4表面的水平高度。
[0033]在其他的实施例中，挡板9的形状不仅限于筒状，还可以是其他的形状，在此不做限定。
[0034]本实施例中，加热元件以内嵌的方式安装在挡板9内，以对挡板9进行加热，使得挡板9的温度处于50
‑
60℃，此时液态的清洗介质保持为液体的状态而不易固化，因此，不容易附着在挡板9内壁，溅射的清洗液能沿挡板9内壁快速滑落，防止回溅，能够有效提高晶圆的良率。
[0035]上述加热元件可以选择热电阻或加热片，也可以是其他加热形式，在此不作限定。
[0036]本实施例的装置，还包括开设于基座2内部的废液排放通道，上述废液排放通道为两条，分别连通挡板9围合成的空间，以及挡板9和装置壳体1内壁围合成的空间。
[0037]上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书内容及图示所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆表面清洗的装置，包括装置壳体，其特征在于，所述装置壳体底部为基座；所述基座上设置有旋转机构，所述旋转机构用于放置晶圆片，并带动所述晶圆片旋转；所述装置壳体顶部设有清洗机构，所述清洗机构包括升降板、带动升降板在所述晶圆片上方上下运动的动力机构以及多条喷淋管路；所述升降板的截面为圆形；所述升降板上设置有若干喷头，所述喷头朝向所述基座，用于向所述晶圆片的表面喷淋清洗介质；若干所述喷头沿所述升降板的中心呈多圈环形分布；每条所述喷淋管路与至少一个所述喷头连接，所述喷淋管路用于输送不同的清洗介质。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，若干所述喷头分为多组喷头组，且所述喷淋管路的条数与所述喷头组的组数相同，并且一一对应...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋渊，廖世保，陈新来，刘大威，
申请(专利权)人：合肥至微微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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