电子设备和集成电路制造技术

实施例公开了电子设备和集成电路。电子设备包括整流桥，整流桥包括：第一分支，连接在整流桥的第一和第二输入节点间；及第二分支，包括串联连接在第一和第二输入节点间的第一和第二金属氧化物半导体晶体管，第一和第二金属氧化物半导体晶体管的源极耦合到整流桥的第四输出节点；第一电阻器，连接在第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和第二输入节点之间；第二电阻器，连接在第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和第一输入节点之间；与金属氧化物半导体晶体管相关的电路包括：第一端子，连接到金属氧化物半导体晶体管的漏极；第二端子，连接到金属氧化物半导体晶体管的栅极，当电路的第一端子与另一电路的第一端子间电压绝对值大于或等于电路阈值的绝对值且电压具有与阈值相同的符号时，电耦合电路的第一和第二端子。本公开的电子设备和集成电路能防止过电压的影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
电子设备和集成电路


[0001]本公开总体上涉及电子电路，并且更具体地，涉及防止能够在这种电子电路的焊盘之间(特别是在静电放电之后)发生的过电压。

技术介绍

[0002]能够借助于电磁波，例如借助于射频波进行通信的无线通信设备。当第一设备的天线接收到由第二设备发射的电磁波时，由第一设备的天线接收的电力可用于向第一设备的电路(例如集成电路)供电。为此目的，第一设备通常包括整流桥，整流桥被配置为接收在耦合到第一设备的天线的导电绕组的相应端的两个焊盘或端子之间可用的电压，并传递整流后的电源电压。
[0003]然而，例如由静电放电引起的过电压可能发生在耦合到天线的导电绕组的相应端的两个焊盘之间。这种过电压能够恶化，或者甚至破坏耦合到两个焊盘中的至少一个焊盘的第一设备的电路，特别是耦合到焊盘的整流桥。

技术实现思路

[0004]需要克服已知无线通信设备的全部或部分缺点，特别是关于保护这些设备免受过电压(例如由静电放电引起的过电压)的影响，该过电压能够发生在耦合到天线的导电绕组的相应端的焊盘之间。
[0005]一种实施例克服了已知无线通信设备的全部或部分缺点。
[0006]一种实施例克服了已知无线通信设备的全部或部分缺点，这些缺点是由于例如由静电放电引起的过电压造成的，这些过电压能够发生在耦合到这些设备的天线的导电绕组的相应端的焊盘之间。
[0007]一种实施例克服了已知整流桥的全部或部分缺点，整流桥被配置为整流在耦合到无线通信设备的天线的导电绕组的相应端的两个焊盘之间可用的电压。r/>[0008]一种实施例提供了包括整流桥的电子设备，整流桥包括：第一分支，连接在整流桥的第一输入节点和第二输入节点之间并包括整流桥的第三输出节点；第二分支，包括串联连接在第一节点和第二节点之间的第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管，第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管的源极被耦合到整流桥的第四输出节点；第一电阻器，连接在第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和第二节点之间；第二电阻器，连接在第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和第一节点之间；以及电路，对于第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管中的每一个，该电路与金属氧化物半导体晶体管相关联并包括连接到金属氧化物半导体晶体管的漏极的第一端子和连接到金属氧化物半导体晶体管的栅极的第二端子，该电路被配置为当电路的第一端子与另一电路的第一端子之间的电压的绝对值大于或等于电路的阈值的绝对值并且电压具有与阈值相同的符号时，电耦合电路的第一端子和第二端子。
[0009]根据一种实施例，每个电路还被配置为当电路的第一端子和另一电路的第一端子
之间的电压的绝对值小于电路的阈值的绝对值、并且当电压具有与电路的阈值的符号相反的符号时，电隔离电路的第一端子和第二端子。
[0010]根据一种实施例，整流桥的第一分支包括串联连接在第一节点和第二节点之间的第三金属氧化物半导体晶体管和第四金属氧化物半导体晶体管，并且每个均被组装成二极管，第三金属氧化物半导体晶体管和第四金属氧化物半导体晶体管的源极连接到第三节点。
[0011]根据一种实施例，第一金属氧化物半导体晶体管、第二金属氧化物半导体晶体管、第三金属氧化物半导体晶体管和第四金属氧化物半导体晶体管具有相同的N沟道或P沟道。
[0012]根据一种实施例，每个电路包括分支，分支包括反串联耦合的具有二极管功能的第一偶极子和具有二极管功能的第二偶极子，分支的一端连接到电路的第一端子，并且分支的另一端连接到另一电路的第一端子。
[0013]根据一种实施例，在每个电路中，第一偶极子和第二偶极子被配置为：当电路的第一端子和另一电路的第一端子之间的电压的绝对值小于电路的阈值的绝对值、并且当电压具有与电路的阈值的符号相反的符号时阻断电流，并且当电路的第一端子与另一电路的第一端子之间的电压的绝对值大于或等于电路的阈值的绝对值、且电压具有与阈值相同的符号时，传导电流。
[0014]根据一种实施例，每个电路被配置为使得电路的第一偶极子中的电流的传导引起电路的第一端子和第二端子的电耦合。
[0015]根据一种实施例，在电路中的至少一个电路中，优选地在每个电路中，电路分支的另一端连接到电路的第二端子。
[0016]根据一种实施例，在电路的至少一个电路中，优选地，在每个电路中，电路的分支包括：第五节点、第六节点和第七节点；第三电阻器，串联连接到第五节点和第六节点之间的第一偶极子；以及第四电阻器，连接在第六节点和第七节点之间，每个电路还包括晶体管，晶体管具有连接到第六节点的控制端子，并且具有分别连接到第五节点和第七节点的导电端子，第四电阻器中的电压降调节晶体管的导通。
[0017]根据一种实施例，在电路中的至少一个电路中，优选地在每个电路中：第二偶极子连接在电路的第一端子和第五节点之间，第七节点连接到电路的第二端子；或者第二偶极子连接在第七节点和电路的第二端子之间，第五节点连接到电路的第一端子；或者第二偶极子连接在电路的第一端子和第七节点之间，第五节点连接到电路的第二端子；或者第二偶极子连接在第五节点和电路的第二端子之间，第七节点连接到电路的第一端子。
[0018]根据一种实施例，在至少一个电路中，优选地在每个电路中，电路分支的另一端连接到电路的第三端子，电路的第三端子连接到另一电路的第一端子。
[0019]根据一种实施例，在至少一个电路中，优选地在每个电路中，分支包括与第一偶极子和第二偶极子串联的第三电阻器，每个电路还包括晶体管，该晶体管具有连接到第三电阻器的端子的控制端子，具有耦合到电路的第一端子的第一导电端子，并且具有耦合到电路的第二端子的第二导电端子，第三电阻器中的电压降调节晶体管的导通。
[0020]根据一种实施例，在至少一个电路中，优选地在每个电路中，第二偶极子连接在电路的第一端子和晶体管的第一导电端子之间，晶体管的第二导电端子连接到电路的第二端子。
[0021]根据一种实施例，至少一个电路，优选每个电路，还包括具有二极管功能的第三偶极子，该第三偶极子串联连接到电路的第一端子和第二端子之间的电路的晶体管，第三偶极子连接到电路的第二端子，并且电路的分支连接到电路的第一端子和第三端子之间。
[0022]根据一种实施例，第一偶极子由齐纳二极管、相互并联连接的多个齐纳二极管的组件，或者由多个串联连接的金属氧化物半导体晶体管的组件形成，每个金属氧化物半导体晶体管是组装二极管。
[0023]根据一种实施例，第一偶极子是齐纳二极管、并联连接的多个齐纳二极管或多个串联连接的被配置为二极管的金属氧化物半导体晶体管。
[0024]另一实施例提供了一种集成电路，该集成电路包括：第一输入焊盘和第二输入焊盘；以及整流桥，包括：第一分支，连接在整流桥的第一输入节点和第二输入节点之间并且包括整流桥的第三输出节点；第二分支，包括串联连接在第一输入节点和第二输入节点之间的第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括整流桥，所述整流桥包括：第一分支，连接在所述整流桥的第一输入节点和第二输入节点之间，并且包括所述整流桥的第三输出节点；第二分支，包括串联连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点之间的第一金属氧化物半导体晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管，其中所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的源极被耦合到所述整流桥的第四输出节点；第一电阻器，连接在所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二输入节点之间；第二电阻器，连接在所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第一输入节点之间；以及电路，对于所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管中的每个金属氧化物半导体晶体管，与所述金属氧化物半导体晶体管相关联的所述电路包括：第一端子，连接到所述金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及第二端子，连接到所述金属氧化物半导体晶体管的所述栅极，其中所述电路被配置为：当所述电路的所述第一端子与另一电路的所述第一端子之间的电压的绝对值大于或等于所述电路的阈值的绝对值、并且所述电压具有与所述阈值相同的符号时，电耦合所述电路的第一端子和第二端子。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，每个电路还被配置为：当所述电路的所述第一端子与所述另一电路的所述第一端子之间的所述电压的绝对值小于所述电路的所述阈值的绝对值、并且当所述电压具有与所述电路的所述阈值的符号相反的符号时，电隔离所述电路的第一端子和第二端子。3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述整流桥的所述第一分支包括：第三金属氧化物半导体晶体管和第四金属氧化物半导体晶体管，串联连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点之间、并且每个均被组装成二极管，并且所述第三金属氧化物半导体晶体管和所述第四金属氧化物半导体晶体管的源极被连接到所述第三输出节点。4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体晶体管、所述第二金属氧化物半导体晶体管、所述第三金属氧化物半导体晶体管和所述第四金属氧化物半导体晶体管具有相同的N型沟道或P型沟道。5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，每个电路包括分支，所述分支包括反串联耦合的具有第一二极管功能的第一偶极子和具有第二二极管功能的第二偶极子，所述分支的一端被连接到所述电路的所述第一端子，并且所述分支的另一端被耦合到所述另一电路的所述第一端子。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，在每个电路中，所述第一偶极子和所述第二偶极子被配置为：当所述电路的所述第一端子与所述另一电路的所述第一端子之间的所述电压的绝对值小于所述电路的所述阈值的绝对值、并且当所述电压具有与所述电路的所述阈值的符号相反的符号时，阻断电流，并且当所述电路的所述第一端子与所述另一电路的所述第一端子之间的所述电压的绝对值大于或等于所述电路的所述阈值的绝对值、并且所述电压具有与所述阈值相同的符号时，传导所述电流。7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，每个电路被配置为使得所述电路的所述第一偶极子中的所述电流的所述传导引起所述电路的所述第一端子和所述第二端子的
电耦合。8.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，在所述电路中的至少一个电路中，所述电路的所述分支的所述另一端被连接到所述电路的所述第二端子。9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，在所述电路中的所述至少一个电路中，所述电路的所述分支包括：第五节点、第六节点和第七节点；第三电阻器，串联连接到所述第五节点和所述第六节点之间的所述第一偶极子；以及第四电阻器，连接在所述第六节点和所述第七节点之间，每个电路还包括晶体管，所述晶体管具有连接到所述第六节点的控制端子，并且所述晶体管具有分别连接到所述第五节点和所述第七节点的导电端子，所述第四电阻器中的电压降调节所述晶体管的导通。10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，在所述电路中的所述至少一个电路中：所述第二偶极子被连接在所述电路的所述第一端子和所述第五节点之间，所述第七节点被连接到所述电路的所述第二端子；或者所述第二偶极子被连接在所述第七节点和所述电路的所述第二端子之间，所述第五节点被连接到所述电路的所述第一端子；...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：