一种通孔部分金属化的制作工艺及PCB制造技术

本发明专利技术涉及PCB技术领域，公开了一种通孔部分金属化的制作工艺及PCB。通孔部分金属化的制作工艺包括：提供金属探测针、中空的阻镀件和具有通孔的印制电路板，并构建测试回路；以拟非金属化孔段的远离目标塞孔深度位置的孔口为入口端，将阻镀件塞入通孔，塞入过程中实时监测测试回路的电连接状态，在电连接状态由断开状态切换为导通状态时，停止塞入阻镀件；在停止塞入阻镀件后，对通孔进行沉铜电镀，以在通孔的拟金属化孔段的孔壁形成电镀层。本发明专利技术实施例可杜绝残留stub无法完全清除等问题，避免残留stub对信号产生干扰；而且阻镀件可以根据需求塞入任意深度位置，实现任意不同的部分金属化需求，通用性较强。通用性较强。通用性较强。

【技术实现步骤摘要】
一种通孔部分金属化的制作工艺及PCB


[0001]本专利技术涉及PCB(Printed Circuit Boards，印制电路板)
，尤其涉及一种通孔部分金属化的制作工艺及PCB。

技术介绍

[0002]通孔部分金属化是指保留通孔内部有效网络层间的孔壁铜，将对信号传输无用、影响信号传输质量的无效孔壁铜层去除的一种工艺，这不仅有利于减少PCB信号传输损耗，提升信号传输完整性，还可提高PCB整体布线密度，实现一孔多网络。
[0003]现阶段PCB行业常规的工艺做法为：通过机械背钻的方式去除部分孔壁铜实现指定层之间断开。但这种工艺存在弊端，无法完全且准确地将指定部分的孔铜去除，会留下部分无效的孔壁铜“残桩”，影响信号传输质量。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种通孔部分金属化的制作工艺及PCB，以解决无法完全且准确地将指定部分的孔铜去除的问题。
[0005]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]一种通孔部分金属化的制作工艺，包括步骤：
[0007]提供金属探测针、中空的阻镀件和具有通孔的印制电路板，并构建测试回路；
[0008]其中，所述通孔沿其轴向包括相邻接的拟非金属化孔段和拟金属化孔段，所述拟非金属化孔段和所述拟金属化孔段的交界位置为目标塞孔深度位置；
[0009]所述阻镀件用于塞入所述通孔并与所述通孔的拟非金属化孔段的孔壁相贴合、与所述通孔的拟金属化孔段的孔壁不贴合，以阻挡沉铜/电镀药水接触所述拟非金属化孔段的孔壁；
[0010]所述阻镀件的外侧壁涂覆有第一导电层，所述通孔的孔壁在目标塞孔深度位置设有第二导电层，所述第二导电层通过内层图形与金属探测针固定电连接，所述金属探测针与阻镀件的第一导电层固定电连接，使得所述第一导电层、所述第二导电层、所述金属探测针、所述第一导电层形成所述测试回路；
[0011]以所述拟非金属化孔段的远离所述目标塞孔深度位置的孔口为入口端，将所述阻镀件塞入所述通孔，塞入过程中实时监测所述测试回路的电连接状态，在所述电连接状态由断开状态切换为导通状态时，停止塞入所述阻镀件；
[0012]在停止塞入所述阻镀件后，对所述通孔进行沉铜电镀，以在所述通孔的拟金属化孔段的孔壁形成电镀层。
[0013]可选的，所述印制电路板上还开设有金属化测试孔，所述金属化测试孔与所述内层图形电连接，所述金属探测针部分插设于所述金属化测试孔中。
[0014]可选的，所述阻镀件包括中空支撑管和橡胶层，所述橡胶层包裹于中空支撑管的全部外侧壁，所述中空支撑管由高结晶聚丙烯HCPP制成。
[0015]可选的，所述通孔沿其轴向划分为两个孔段，由所述拟非金属化孔段和所述拟金属化孔段组成；所述阻镀件的长度不小于所述拟非金属化孔段的深度。
[0016]可选的，所述通孔沿其轴向划分为至少三个孔段，由所述拟非金属化孔段和所述拟金属化孔段交叉分布组成；
[0017]所述阻镀件的数量与拟非金属化孔段的数量相同且一一对应，每个阻镀件的长度与对应拟非金属化孔段的深度相等；
[0018]在所述阻镀件的数量为至少两个时，每个所述阻镀件对应设有一个所述目标塞孔深度位置，且每个目标塞孔深度位置形成有对应的一个所述测试回路；在将各个阻镀件分别塞入通孔时，通过对应测试回路来控制各个阻镀件的塞孔深度。
[0019]可选的，所述拟非金属化孔段的孔壁与对应深度位置的各内层图形之间分别制作有开窗。
[0020]可选的，所述阻镀件的塞孔端为斜切口。
[0021]可选的，所述阻镀件的外径比所述通孔的孔径单边大0.10mm
‑
0.25mm。
[0022]一种PCB，包括通孔，所述通孔按照以上任意一项所述的通孔部分金属化的制作工艺制成。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0024]本专利技术实施例，只需要根据部分金属化需求在通孔的拟非金属化孔段和拟金属化孔段的交界位置设置第二导电层，再将外侧壁涂覆有第一导电层的阻镀件塞入通孔，并基于由第一导电层和第二导电层构建的测试回路来控制塞孔深度，之后对塞入有阻镀件的通孔进行沉铜电镀，即可制得部分金属化的通孔，与现有技术方法相比较，可杜绝残留stub无法完全清除等问题，避免残留stub对信号产生干扰；而且阻镀件可以根据需求塞入任意深度位置，实现任意不同的部分金属化需求，通用性较强。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的通孔部分金属化的制作方法流程图。
[0027]图2为本专利技术实施例提供的通孔部分金属化的制作工序示意图。
[0028]图3为本专利技术实施例提供的阻镀件的剖视图。
[0029]附图标记说明：阻镀件1、印制电路板2、通孔3、中空支撑管11、橡胶层12、金属探测针4、第一导电层5、第二导电层6。
具体实施方式
[0030]为使得本专利技术的专利技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护
的范围。
[0031]为解决现有的无效孔铜去除方案所存在的工序复杂、无效孔铜无法实现全部去除等问题，本专利技术实施例提供了一种全新的解决思路，先在新颖的具有阻镀功能的阻镀件1侧壁涂覆第一导电层5，在拟部分金属化的通孔3内孔铜断开位置铺设第二导电层6，并构建包括第一导电层5和第二导电层6的测试回路，再将阻镀件1塞入通孔3直至测试回路的电连接状态发生转变，然后对通孔3进行常规的沉铜电镀，即可在该通孔3的部分孔壁上镀上电镀层，与此同时部分孔壁由于阻镀件1的作用而无法镀上电镀层。
[0032]请结合参阅图1和图2，本专利技术实施例提供了一种通孔部分金属化的制作工艺，包括步骤：
[0033]步骤101、提供金属探测针4、中空的阻镀件1和具有拟部分金属化的通孔3的印制电路板2，并构建测试回路；
[0034]其中，拟部分金属化的通孔3，沿其轴向包括相邻接的拟非金属化孔段和拟金属化孔段，拟非金属化孔段和拟金属化孔段的交界位置作为阻镀件1的目标塞孔深度位置。
[0035]阻镀件1，用于塞入通孔3内的目标塞孔深度位置，与通孔3的拟非金属化孔段的孔壁相贴合、与通孔3的拟金属化孔段的孔壁不贴合，以阻挡沉铜/电镀药水接触拟非金属化孔段的孔壁。
[0036]阻镀件1的外侧壁涂覆有第一导电层5，通孔3的孔壁在目标塞孔深度位置设有第二导电层6，第二导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通孔部分金属化的制作工艺，其特征在于，包括步骤：提供金属探测针、中空的阻镀件和具有通孔的印制电路板，并构建测试回路；其中，所述通孔沿其轴向包括相邻接的拟非金属化孔段和拟金属化孔段，所述拟非金属化孔段和所述拟金属化孔段的交界位置为目标塞孔深度位置；所述阻镀件用于塞入所述通孔并与所述通孔的拟非金属化孔段的孔壁相贴合、与所述通孔的拟金属化孔段的孔壁不贴合，以阻挡沉铜/电镀药水接触所述拟非金属化孔段的孔壁；所述阻镀件的外侧壁涂覆有第一导电层，所述通孔的孔壁在目标塞孔深度位置设有第二导电层，所述第二导电层通过内层图形与金属探测针固定电连接，所述金属探测针与阻镀件的第一导电层固定电连接，使得所述第一导电层、所述第二导电层、所述金属探测针、所述第一导电层形成所述测试回路；以所述拟非金属化孔段的远离所述目标塞孔深度位置的孔口为入口端，将所述阻镀件塞入所述通孔，塞入过程中实时监测所述测试回路的电连接状态，在所述电连接状态由断开状态切换为导通状态时，停止塞入所述阻镀件；在停止塞入所述阻镀件后，对所述通孔进行沉铜电镀，以在所述通孔的拟金属化孔段的孔壁形成电镀层。2.根据权利要求1所述的通孔部分金属化的制作工艺，其特征在于，所印制电路板上还开设有金属化测试孔，所述金属化测试孔与所述内层图形电连接，所述金属探测针部分插设于所述金属化测试孔中。3.根据权利要求1所述的通孔部分金属化的制作工艺，其特征在于，所述阻镀件包括中空支撑管和橡胶层，所述橡胶层包裹于中空支撑管的全部...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宇超，
申请(专利权)人：生益电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：