一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路技术

本申请实施例提供一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路，该方法包括：确定互斥模式和工作模式。比较第一类信号和第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目。根据最大状态数目确定模式数目，根据模式数目对所有模式进行编号。将编号后的所有模式进行分组得到多个模式控制组，互斥模式和工作模式分别根据模式控制组控制第一类信号和第二类信号。通过多个模式控制组可以实现对第一类信号和第二类信号的控制，还可以实现互斥模式和工作模式共享多个模式控制组。而且，此方法应用于芯片测试中，省去老化测试软硬件开发的人力及物料消耗，从而减少了芯片进行老化测试的成本，加速芯片量产。加速芯片量产。加速芯片量产。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路


[0001]本申请实施例涉及芯片测试领域，具体涉及一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路。

技术介绍

[0002]集成电路的芯片为满足可靠性要求，在出厂前必须进行老化测试。老化测试测试是指在一定时间内对芯片施加一定的应力，如电流、电压和温度等。从而，及时发现和筛选出问题芯片，保证出厂的产品质量。
[0003]传统的集成电路的芯片测试主要通过外部MCU控制器等控制软件，控制数字电路部分产生对模拟电路的控制信号，实现老化测试；或者，通过外部MCU控制器等控制软件，控制多种寄存器作用于模拟电路，实现老化测试。
[0004]然而，传统的老化测试方法，需要开发复杂的测试控制软件和硬件板级系统，投入较高的人力和物料成本。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种用于芯片测试的模式生成方法、生成器及测试电路，克服了或者至少部分地解决了上述需要开发复杂的测试控制软件和硬件板级系统的问题。
[0006]本申请实施例的第一方面，提供了一种用于芯片测试的模式生成方法，该方法包括：确定互斥模式和工作模式，其中，互斥模式用于控制第一类信号，工作模式用于控制第二类信号，第一类信号用于控制待测电路中的具有互斥关系的状态，第二类信号用于控制待测电路处于工作模式中的状态。比较第一类信号和第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目。根据最大状态数目确定模式数目，根据模式数目对所有模式进行编号。将编号后的所有模式进行分组得到多个模式控制组，互斥模式和工作模式分别根据模式控制组控制第一类信号和第二类信号。
[0007]由于第一类信号控制的具有互斥关系的状态是进行老化测试时也应当避免同时存在的状态，本申请实施例通过确定互斥模式和工作模式，分别控制待测电路中的两类控制的状态数目较多的信号，可以使测试过程不易出错。通过根据最大状态数目确定模式数目，并根据模式数目对所有模式进行编号、分组得到多个模式控制组。通过多个模式控制组可以实现对第一类信号和第二类信号的控制，进而实现对待测电路的可能出现的状态的控制，还可以实现互斥模式和工作模式共享多个模式控制组。而且，此方法应用于芯片测试中，可以将所有需要复杂的测试控制软件控制的测试功能固化成硬件电路中的模式。通过简单的数字逻辑即可控制硬件电路中的模式，减少了芯片进行老化测试的成本。
[0008]在一种可选的方式中，比较第一类信号和第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目，包括：将第一类信号中每个信号控制的状态数目作比较，得出第一信号控制的状态数目最多且其控制的状态数目为第一状态数目。将第二类信号中每个信号控
制的状态数目作比较，得出第二信号控制的状态数目最多且其控制的状态数目为第二状态数目。将第一状态数目和第二状态数目中数值较大的确定为最大状态数目。
[0009]通过将第一状态数目和第二状态数目中数值较大的确定为最大状态数目，可以得到整个待测电路中可能存在的最大状态数目。使得最终得到多个模式控制组可以控制待测电路中所有的第一类信号和第二类信号，进而控制待测电路中所有可能出现的状态。
[0010]在一种可选的方式中，根据最大状态数目确定模式数目，包括：选择最大状态数目作为模式数目，或者选择最大状态数目的整数倍作为模式数目。
[0011]通过选择最大状态数目作为模式数目，可以使所有模式完全包含待测电路中可能出现的状态。通过选择最大状态数目的整数倍作为模式数目，可以提供多种的测试组合，提高测试组合的随机性，优化测试过程。
[0012]在一种可选的方式中，将编号后的所有模式进行分组得到多个模式控制组，包括：将编号后的所有模式依次间隔1至n
‑
1进行分组，得到多个模式控制组，其中，n为最大状态数目。
[0013]通过将编号后的所有模式依次间隔1至n
‑
1进行分组，可以得到多个模式控制组，实现不同的模式控制组分别控制不同的信号。
[0014]在一种可选的方式中，将编号后的所有模式依次间隔1至n
‑
1进行分组，得到多个模式控制组，包括：将编号后的所有模式依次间隔1至n
‑
1进行分组，得到时序均衡的多个模式控制组。
[0015]通过使用时序均衡的多个模式控制组控制第一类信号和第二类信号，可以提高测试性能，降低测试功耗。
[0016]在一种可选的方式中，确定应力模式，应力模式用于控制第三类信号，第三类信号用于控制待测电路处于应力测试中的状态。
[0017]通过确定应力模式，可以将待测电路中的信号进一步划分，方便对待测电路处于应力测试中的状态进行控制。
[0018]在一种可选的方式中，确定常量模式，常量模式用于控制第四类信号，第四类信号用于设置待测电路中的常量。
[0019]通过确定常量模式，可以将待测电路中的信号进一步划分，方便对待测电路中的常量进行设置。
[0020]本申请实施例的第二方面，提供了一种用于芯片测试的模式生成器，包括：互斥控制器、工作控制器、应力控制器、常量控制器及模式控制器，其中，互斥控制器、工作控制器、应力控制器及常量控制器均与模式控制器连接。互斥控制器用于控制第一类信号，第一类信号用于控制待测电路中的具有互斥关系的状态。工作控制器用于控制第二类信号，第二类信号用于控制待测电路处于工作模式中的状态。应力控制器用于控制第三类信号，第三类信号用于控制待测电路处于应力测试中的状态。常量控制器用于控制第四类信号，第四类信号用于设置待测电路中的常量。模式控制器用于比较第一类信号和第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目，根据最大状态数目确定模式数目。根据模式数目对所有模式进行编号，将编号后的所有模式进行分组得到多个模式控制组，互斥控制器和工作控制器分别根据模式控制组控制第一类信号和第二类信号。
[0021]通过本申请实施例提供的一种用于芯片测试的模式生成器，可以将所有需要复杂
的测试控制软件控制的测试功能固化成硬件电路中的模式。通过简单的数字逻辑即可控制硬件电路中的模式，减少了芯片进行老化测试的成本。
[0022]本申请实施例的第三方面，提供了一种测试电路，包括老化测试控制器、待测电路以及本申请实施例的第二方面提供的一种用于芯片测试的模式生成器，其中，老化测试控制器与模式生成器连接，模式生成器与待测电路连接。
[0023]本申请实施例提供的测试电路可以集成在芯片上，不再需要根据测试芯片的不同功能修改定制的测试电路和测试控制软件。通过老化测试控制器可以控制芯片是否处于测试功能，通过模式生成器可以对芯片上的待测电路进行测试。
[0024]在一种可选的方式中，测试电路还包括数据选择器和用户功能模块，老化测试控制器与模式生成器的模式控制器连接，互斥控制器、工作控制器、应力控制器及常量控制器均与模式控制器连接，互斥控制器、工作控制器、应力控制器及常量控制器还分别与一个数据选择器的一个输入端连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片测试的模式生成方法，其特征在于，所述方法包括：确定互斥模式和工作模式，其中，所述互斥模式用于控制第一类信号，所述工作模式用于控制第二类信号，所述第一类信号用于控制待测电路中的具有互斥关系的状态，所述第二类信号用于控制所述待测电路处于工作模式中的状态；比较所述第一类信号和所述第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目；根据所述最大状态数目确定模式数目；根据所述模式数目对所有模式进行编号；将编号后的所有所述模式进行分组得到多个模式控制组；所述互斥模式和所述工作模式分别根据所述模式控制组控制所述第一类信号和所述第二类信号。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述比较所述第一类信号和所述第二类信号中每个信号控制的状态数目以确定最大状态数目，包括：将所述第一类信号中每个信号控制的所述状态数目作比较，得出第一信号控制的所述状态数目最多且其控制的所述状态数目为第一状态数目；将所述第二类信号中每个信号控制的所述状态数目作比较，得出第二信号控制的所述状态数目最多且其控制的所述状态数目为第二状态数目；将所述第一状态数目和所述第二状态数目中数值较大的确定为所述最大状态数目。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述最大状态数目确定模式数目，包括：选择所述最大状态数目作为所述模式数目，或者选择所述最大状态数目的整数倍作为所述模式数目。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将编号后的所有所述模式进行分组得到多个模式控制组，包括：将编号后的所有所述模式依次间隔1至n
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1进行分组，得到多个所述模式控制组，其中，n为所述最大状态数目。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将编号后的所有所述模式依次间隔1至n
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1进行分组，得到多个所述模式控制组，包括：将编号后的所有所述模式依次间隔1至n
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1进行分组，得到时序均衡的多个所述模式控制组。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定应力模式，所述应力模式用...

【专利技术属性】
技术研发人员：历广绪，张俊，
申请(专利权)人：上海类比半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：