【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及保护电路，尤其涉及一种低漏电开关及芯片。
技术介绍
1、随着电器在生活中的运用，静电放电也成为了一种常见现象。在电器的制造或使用中，都有可能发生静电放电(electrostatic discharge，esd)。由于静电放电的瞬间电压通常非常高(>几千伏)，静电放电对元器件的损伤是毁灭性和永久性的，会造成集成电路直接烧毁。因此，预防静电损伤是所有集成电路设计和制造的头号难题。
2、目前针对静电放电现象的解决办法是，在制造芯片时对电路设置防护硬件。常用的防护硬件例如二极管，二极管利用电路正常工作时处于截止状态，不影响电路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，迅速导通使瞬间电流流出，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护的集成电路或线路。
3、但二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止，依旧会有漏电流流出。大的漏电流会给电路带来较大的损耗，特别在高压应用场合。因此，如何降低电路中的漏电流，成为一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种低漏电开关及芯片，可以降低电路中的漏电流。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种低漏电开关，包括晶体管和电压控制模块。所述晶体管的漏极电连接所述电压控制模块的输入端和所述低漏电开关的输出端，所述晶体管的源极电连接所述电压控制模块的第一输出端和所述低漏电开关的输入端，所述晶体管的栅极电连接所述电压控制模块的第二输出端。
3、所述
4、在一种可能的实现方式中，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的栅源电压，以控制所述晶体管的阻抗。
5、在一种可能的实现方式中，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的源漏电压，以控制所述晶体管的关闭程度。
6、在一种可能的实现方式中，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的源漏电压，以控制所述晶体管的关闭程度。
7、在一种可能的实现方式中，所述电压控制模块，用于在所述低漏电开关的输入端与输出端之间电压大于或等于预设阈值时，控制所述晶体管导通。
8、在一种可能的实现方式中，电压控制模块包括第一控制单元，第一控制单元的输入端电连接晶体管的漏极，第一控制单元的输出端电连接晶体管的栅极。第一控制单元用于控制晶体管的栅极电压大于晶体管的漏极电压。
9、在一种可能的实现方式中，电压控制模块包括还第二控制单元，第二控制单元的输入端电连接晶体管的源极，第二控制单元的输出端电连接晶体管的漏极。第二控制单元用于控制晶体管的源极电压大于晶体管的漏极电压。
10、在一种可能的实现方式中，低漏电开关还包括电容；电容的第一极板电连接晶体管的漏极，电容的第二极板电连接晶体管的栅极。
11、在一种可能的实现方式中，低漏电开关还包括电阻；电阻的第一端电连接晶体管的栅极，电阻的第二端电连接晶体管的源极。
12、第二方面，本申请实施例提供了一种芯片，包括第一方面中任一项的低漏电开关。
13、在一种可能的实现方式中，芯片还包括esd保护电路，低漏电开关与esd保护电路串联。
14、本申请实施例提供的低漏电开关及芯片，通过在晶体管的基础上设有电压控制模块，通过电压控制模块对晶体管的栅极电压和源极电压进行控制，从而增大晶体管的阻抗，降低晶体管的漏极电流。此外，通过电压控制模块改变晶体管的阻抗，可以在不改变晶体管自身的开启电压的情况下减少漏电流，避免了对晶体管的型号要求，适用面广。
15、上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种低漏电开关，其特征在于，包括：晶体管和电压控制模块；
2.根据权利要求1所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的栅源电压，以控制所述晶体管的阻抗。
3.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的源漏电压，以控制所述晶体管的关闭程度。
4.根据权利要求3所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于在所述低漏电开关的输入端与输出端之间电压大于或等于预设阈值时，控制所述晶体管导通。
5.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块包括第一控制单元，所述第一控制单元的输入端电连接所述晶体管的漏极，所述第一控制单元的输出端电连接所述晶体管的栅极；
6.根据权利要求5所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块包括还第二控制单元，所述第二控制单元的输入端电连接所述晶体管的漏极，所述第二控制单元的输出端电连接所述晶体管的源极；
7.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，还包括电容，所述电容的第一极板电连接
8.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，还包括电阻，所述电阻的第一端电连接所述晶体管的栅极，所述电阻的第二端电连接所述晶体管的源极。
9.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的低漏电开关。
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，还包括ESD保护电路，所述低漏电开关与所述ESD保护电路串联。
...【技术特征摘要】
1.一种低漏电开关，其特征在于，包括：晶体管和电压控制模块；
2.根据权利要求1所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的栅源电压，以控制所述晶体管的阻抗。
3.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于控制所述晶体管的源漏电压，以控制所述晶体管的关闭程度。
4.根据权利要求3所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块，用于在所述低漏电开关的输入端与输出端之间电压大于或等于预设阈值时，控制所述晶体管导通。
5.根据权利要求1或2所述的低漏电开关，其特征在于，所述电压控制模块包括第一控制单元，所述第一控制单元的输入端电连接所述晶体管的漏极，所述第一控制单元的输出端电连接所述晶体管的栅极；
【专利技术属性】
技术研发人员：陈原，王建，
申请(专利权)人：上海类比半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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