半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干横跨鳍部的初始栅极、以及位于所述初始栅极顶面的掩膜结构；采用离子注入工艺在所述初始栅极内形成掺杂区，所述离子注入工艺的离子注入方向为衬底表面的法线方向；去除所述掺杂区，以形成栅极。从而，提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。提高了半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体领域中，鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件，与平面式的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比，鳍式场效应晶体管具有更强的短沟道抑制能力，具有更强的工作电流，现已广泛应用于半导体各种器件中。
[0003]随着半导体技术的不断发展，集成电路持续“按比例缩小”。当半导体器件的尺寸降到纳米级别时，尤其对鳍式场效应晶体管，其对栅极的控制能力与其物理尺寸有非常紧密的关系。鳍式场效应晶体管的小几何尺寸和三维立体结构使其因工艺变化带来的器件影响也越来越严重，亟需新的方法来优化。现有技术中鳍式场效应管结构的形成方法有待提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干横跨鳍部的初始栅极、以及位于所述初始栅极顶面的掩膜结构；采用离子注入工艺在所述初始栅极内形成掺杂区，所述离子注入工艺的离子注入方向为衬底表面的法线方向；去除所述掺杂区，以形成栅极。2.如权利要求1述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的参数还包括：离子注入剂量的范围为1.5e14atom/cm2～2.0e15atom/cm2。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始栅极的材料包括硅，所述离子注入工艺注入的离子包括硼离子。4.如权利要求3述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂区的离子浓度范围为1.5e14atom/cm2～2.0e15atom/cm2。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掺杂区的工艺包括湿法刻蚀工艺，并且，在所述湿法刻蚀工艺中，对所述掺杂区的材料的刻蚀速率大于对初始栅极的材料的刻蚀速率。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中，对所述掺杂区的材料的刻蚀速率范围为5埃/秒～15埃/秒，对所述初始栅极的材料的刻蚀速率范围为0.3埃/秒～2埃/秒。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成初始栅极和掩膜结构之前，在所述衬底表面形成隔离介质层，所述隔离介质层还位于所述鳍部的部分侧壁面。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：