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一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部；在所述衬底上形成若干横跨鳍部的初始栅极、以及位于所述初始栅极顶面的掩膜结构；采用离子注入工艺在所述初始栅极内形成掺杂区，所述离子注入工艺的离子注入方向为...
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