正装LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种正装LED芯片及其制备方法，该正装LED芯片包括衬底及衬底上的外延层，外延层包括层叠的第一半导体层、量子阱发光层、第二半导体层；第二半导体层设有向下延伸的凹槽，第一半导体层于凹槽处设有与其电性连接的第一电极，第二半导体层在远离凹槽侧设有与其电性连接的第二电极；第一电极向下延伸至衬底侧面；第二电极向下延伸至衬底侧面；衬底于第一电极和第二电极的下端位置均设有锡球，锡球分别电性连接位于衬底下方的基板P极和基板N极。本发明专利技术有效的提升量子阱发光层的发光面积，使得LED芯片的设计电流降低；并且与基板的连接方式与常规的焊线连接相比，避免了闪烁、死灯、光衰等问题。光衰等问题。光衰等问题。

【技术实现步骤摘要】
正装LED芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种正装LED芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
[0003]现有常规正装LED芯片结构如附图1所示，包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型半导体、量子阱发光区以及P型半导体、P型半导体上开设有从P型半导体延伸至N型半导体的凹槽，P型半导体与P型电极进行电性连接，N型半导体与N型电极进行电性连接。
[0004]在常规LED芯片封装结构中，为了将N型电极设置在N型半导体上，从P型半导体延伸至N型半导体的凹槽面积较大，使得量子阱发光区面积减小，受凹槽面积影响，导致LED发光亮度变低，电流密度变大，电压升高。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种正装LED芯片及其制备方法，以至少解决上述相关技术中的不足。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底及设于所述衬底上的外延层，所述外延层包括由下往上依次层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层、第二半导体层；所述第二半导体层的一侧设有向下延伸至所述第一半导体层的凹槽，所述第一半导体层于所述凹槽处设有与其电性连接的第一电极，所述第二半导体层在远离所述凹槽的一侧设有与其电性连接的第二电极；所述第一电极包括第一接触部和第一加强部，所述第一接触部设于所述第一半导体层的上表面，所述第一加强部沿所述第一接触部向下延伸至所述衬底侧面；所述第二电极包括第二接触部和第二加强部，所述第二接触部设于所述第二半导体层的上表面，所述第二加强部沿所述第二接触部向下延伸至所述衬底侧面；所述衬底于所述第一加强部的位置设有与所述第一加强部电性连接的第一锡球且于所述第二加强部的位置设有与所述第二加强部电性连接的第二锡球，所述第一锡球和第二锡球分别电性连接位于所述衬底下方的基板P极和基板N极；所述外延层呈锥台状，形成两个倾斜的侧面，所述第一接触部和所述第二接触部分别与两个倾斜的侧面固定连接。2.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述正装LED芯片设有绝缘阻挡层，所述绝缘阻挡层设于所述第二加强部内侧面、所述第二半导体层上表面以及所述凹槽表面。3.如权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘阻挡层由SiO2、Al2O3、SiNx中的一种或多种材料组成。4.如权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述绝缘阻挡层和所述第二半导体层之间设有透明导电层。5.如权利要求4所述的正装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材质为ITO、IZO中的一种。6.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极采用Cr、Al、A...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪，张星星，简弘安，胡加辉，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：