一种Micro-LED芯片及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
LED芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种Micro
‑
LED芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着终端设备的快速发展，对终端设备的显示提出了更高的要求。当前的显示
，主要分为液晶显示(LCD)、有机发光显示(OLED)和微型发光二极管(Micro
‑
LED)芯片显示。Micro
‑
LED芯片显示是新一代的显示技术，将二极管结构进行微小化、薄膜化和阵列化，能够实现单点驱动发光，具有高亮度、高发光效率和功耗低等优点。
[0003]但是当前制造得到的Micro
‑
LED芯片存在小电流下的低发光效率问题，导致Micro
‑
LED芯片在小电流下的性能较低，不利于后续的终端设备显示。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种Micro
‑
LED芯片及其制造方法，来增大Micro
‑
LED芯片在小电流下的发光效率，提高Micro
‑
LED芯片在小电流下的性能。
[0005]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0006]本申请实施例提供一种Micro
‑
LED芯片，包括：
[0007]依次层叠设置的透明基板、透明导电层、第二类型导电层、发光层、第一类型导电层、介质层和反射层；
[0008]第一电极，所述第一电极位于部分所述反射层表面；
[0009]第二电极，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层和所述第二类型导电层至所述透明导电层。
[0010]可选地，还包括：第一欧姆接触层；
[0011]所述第一欧姆接触层位于所述介质层和所述反射层之间，用于增加所述介质层和所述反射层的欧姆接触。
[0012]可选地，所述介质层具有导电接触，所述导电接触电连接所述反射层和所述第一类型导电层。
[0013]可选地，还包括：第二欧姆接触层；
[0014]所述第二欧姆接触层位于所述透明导电层和所述第二类型导电层之间，用于增加所述透明导电层和所述第二类型导电层的欧姆接触。
[0015]可选地，还包括：腐蚀截止层；
[0016]所述腐蚀截止层位于所述第二欧姆接触层和所述第二类型导电层之间。
[0017]可选地，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层、所述第二类型导电层和所述腐蚀截止层至所述第二欧姆接触层。
[0018]可选地，还包括：绝缘层；
[0019]所述绝缘层至少位于所述第二电极和所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层、所述第二类型导电层以及所述腐蚀截止层之间。
[0020]可选地，所述第一欧姆接触层的材料为Au、Zn、Be中的一种或多种。
[0021]可选地，所述第二欧姆接触层的材料为GaInP、AlGaInP、GaAs、AlGaAs、AlGaInAs中的一种或多种。
[0022]可选地，所述腐蚀截止层的材料为GaAs、AlAs、AlGaAs、AlGaInAs中的一种或多种。
[0023]本申请实施例还提供一种Micro
‑
LED芯片的制造方法，包括：
[0024]在第一衬底上依次形成缓冲层、去除截止层、第一类型导电层、发光层、第二类型导电层和透明导电层；
[0025]在所述透明导电层上键合透明基板；
[0026]腐蚀去除所述第一衬底、所述缓冲层和所述去除截止层，暴露所述第一类型导电层；
[0027]在所述第一类型导电层上形成介质层；
[0028]在所述介质层上形成反射层；
[0029]形成第一电极和第二电极，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层和所述第二类型导电层至所述透明导电层。
[0030]可选地，在形成透明导电层之前，还包括：
[0031]在所述第二类型导电层上形成腐蚀截止层和第二欧姆接触层。
[0032]可选地，在所述介质层上形成反射层之前，还包括：
[0033]形成贯穿所述介质层至所述第一类型导电层的通孔，在所述通孔中形成导电接触；
[0034]形成覆盖所述介质层的第一欧姆接触层。
[0035]可选地，在形成第一电极和第二电极之前，还包括：
[0036]在所述反射层上形成绝缘层；
[0037]所述形成第一电极和第二电极包括：
[0038]对所述绝缘层进行光刻，形成第一电极区域和第二电极区域；
[0039]去除所述第一电极区域的绝缘层；
[0040]刻蚀所述第二电极区域的绝缘层、所述反射层、所述第一欧姆接触层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层和所述第二类型导电层、所述腐蚀截止层至所述第二欧姆接触层；
[0041]在所述第一电极区域形成第一电极以及在所述第二电极区域形成第二电极。
[0042]本申请实施例提供了一种Micro
‑
LED芯片，包括依次层叠设置的透明基板、透明导电层、第二类型导电层、发光层、第一类型导电层、介质层和反射层，第一电极，第一电极位于部分反射层表面，第二电极，第二电极贯穿反射层、介质层、第一类型导电层、发光层和第二类型导电层至透明导电层，也就是说，通过利用介质层和反射层形成全方位反射镜，使得发光层出射的光线全部由透明基板一侧进行出射，并且第一电极和第二电极位于发光层的同一侧，并且位于Micro
‑
LED芯片的非出光侧，以便避免电极对Micro
‑
LED芯片的出光影响，即通过介质层、反射层以及第一电极和第二电极的结构设置，提高Micro
‑
LED芯片在小电流下的发光效率，提高Micro
‑
LED芯片在小电流下的性能。
附图说明
[0043]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0044]图1示出了本申请实施例提供的一种Micro
‑
LED芯片的结构示意图；
[0045]图2示出了本申请实施例提供的另一种Micro
‑
LED芯片的结构示意图；
[0046]图3示出了本申请实施例提供的一种Micro
‑
LED芯片的制造方法的流程示意图；
[0047]图4
‑
图8示出了根据本申请实施例提供的制造方法制造Micro
‑
LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0048]为使本申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
‑
LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置的透明基板、透明导电层、第二类型导电层、发光层、第一类型导电层、介质层和反射层；第一电极，所述第一电极位于部分所述反射层表面；第二电极，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层和所述第二类型导电层至所述透明导电层。2.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，还包括：第一欧姆接触层；所述第一欧姆接触层位于所述介质层和所述反射层之间，用于增加所述介质层和所述反射层的欧姆接触。3.根据权利要求2所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，所述介质层具有导电接触，所述导电接触电连接所述反射层和所述第一类型导电层。4.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，还包括：第二欧姆接触层；所述第二欧姆接触层位于所述透明导电层和所述第二类型导电层之间，用于增加所述透明导电层和所述第二类型导电层的欧姆接触。5.根据权利要求4所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，还包括：腐蚀截止层；所述腐蚀截止层位于所述第二欧姆接触层和所述第二类型导电层之间。6.根据权利要求5所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层、所述第二类型导电层和所述腐蚀截止层至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，柯志杰，蔡建九，艾国齐，谈江乔，江方，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：