一种Micro-LED芯片及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种Micro

【技术实现步骤摘要】
一种Micro
‑
LED芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种Micro
‑
LED芯片及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着终端设备的快速发展，对终端设备的显示提出了更高的要求。当前的显示
，主要分为液晶显示(LCD)、有机发光显示(OLED)和微型发光二极管(Micro
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LED)芯片显示。Micro
‑
LED芯片显示是新一代的显示技术，将二极管结构进行微小化、薄膜化和阵列化，能够实现单点驱动发光，具有高亮度、高发光效率和功耗低等优点。
[0003]但是当前制造得到的Micro
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LED芯片存在小电流下的低发光效率问题，导致Micro
‑
LED芯片在小电流下的性能较低，不利于后续的终端设备显示。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种Micro
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LED芯片及其制造方法，来增大Micro
‑
LED芯片在小电流下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
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LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置的透明基板、透明导电层、第二类型导电层、发光层、第一类型导电层、介质层和反射层；第一电极，所述第一电极位于部分所述反射层表面；第二电极，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层和所述第二类型导电层至所述透明导电层。2.根据权利要求1所述的Micro
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LED芯片，其特征在于，还包括：第一欧姆接触层；所述第一欧姆接触层位于所述介质层和所述反射层之间，用于增加所述介质层和所述反射层的欧姆接触。3.根据权利要求2所述的Micro
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LED芯片，其特征在于，所述介质层具有导电接触，所述导电接触电连接所述反射层和所述第一类型导电层。4.根据权利要求1所述的Micro
‑
LED芯片，其特征在于，还包括：第二欧姆接触层；所述第二欧姆接触层位于所述透明导电层和所述第二类型导电层之间，用于增加所述透明导电层和所述第二类型导电层的欧姆接触。5.根据权利要求4所述的Micro
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LED芯片，其特征在于，还包括：腐蚀截止层；所述腐蚀截止层位于所述第二欧姆接触层和所述第二类型导电层之间。6.根据权利要求5所述的Micro
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LED芯片，其特征在于，所述第二电极贯穿所述反射层、所述介质层、所述第一类型导电层、所述发光层、所述第二类型导电层和所述腐蚀截止层至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，柯志杰，蔡建九，艾国齐，谈江乔，江方，
申请(专利权)人：厦门未来显示技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：