一种发光二极管制造技术

本发明专利技术提供如下发光二极管，其包括透明衬底，透明衬底的第一表面包括半导体发光序列覆盖的第一区域以及第二区域；半导体发光序列包括第一导电型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层，第一导电型半导体层一表面具有发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，覆盖半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一、第二、第三和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在半导体发光序列的第一、第二、第三和第四边缘周围分别具有W1、W2、W3和W4四个宽度；第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，W1大于W3。W1大于W3。W1大于W3。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
[0001]本申请是2019年10月08日提交的题为“一种发光二极管”的中国专利申请201980005919.0的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种小型发光二极管。

技术介绍

[0003]随着LED发光二极管成本的下降和技术的进步，再加上最近LED照明行业增长乏力，国内外LED发光二极管和封装巨头纷纷开始寻找新的市场增长点，小尺寸的LED作为市场前景广阔的新技术，近两年尤其受关注，其中100微米以下尺寸的无透明衬底支撑的LED目前因为存在技术路线不确定和成本较高的原因，短时间内难以大规模商业化，而有透明衬底支撑的小尺寸LED作为小间距LED产品的延伸和100微米以下尺寸的无基板的LED的前奏，已经开始在LCD背光和RGB显示产品开始出货，例如已经量产出货的P0.9的有透明衬底如蓝宝石支撑的小尺寸LED因为所使用的发光二极管、设备、制程均是承接至小间距LED显示屏，因此有效保证产品的高性价比和量产可行性。
[0004]其中一种有透明衬底支撑的小尺寸LED的结构如图1所示，为一小尺寸倒装LED的结构，包括透明衬底100、透明衬底100的第一表面上承载半导体发光序列（102、103、104）以及半导体发光序列周围的衬底露出的一定宽度的边缘，衬底第一表面露出的一定宽度的边缘用于激光隐切和切割，图2示出了平面示意图，边缘的具有个宽度：W1、W2、W3、W4，通常W1=W2=W3=W 4。透明衬底100露出的边缘以及半导体发光序列的表面会覆盖一层绝缘介质层。然而，受限于目前隐切工艺以及劈裂工艺所需的切割道宽度，至少为10微米。随着LED发光二极管的尺寸缩小，透明衬底在发光半导体序列周围露出的边缘区域的面积占比会相对较大，衬底露出的边缘形成的光吸收面积（绝缘层吸收光）或光反射区域面积（绝缘介质层为反射层的情况）占比也会相应较大，导致半导体发光序列侧壁发出的光到达衬底的第一表面亮度损失严重。

技术实现思路

[0005]基于本专利技术的目的，提供如下具有小发光面积，发光亮度提升的第一种发光二极管，其包括：透明衬底、半导体发光序列、绝缘介质层、第一电极和第二电极；透明衬底，具有第一表面，所述第一表面包括内部的第一区域以及外围的第二区域；半导体发光序列，包括自透明衬底的第一表面堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，覆盖所述透明衬底第一表面第一区域；第一导电型半导体层的一表面包括：发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，至少覆盖所述半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；
第一电极和第二电极，分别通过第一开口和第二开口电连接第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层；自第二导电型半导体层俯视，半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在所述半导体发光序列的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘周围分别具有四个宽度，定义为W1、W2、W3和W4；其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及至少部分的第二边缘，W1大于W3。
[0006]优选地，所述W1+W3为10~50微米，所述W2+W4为10~50微米。
[0007]优选地，所述半导体发光序列的第一边缘的边长大于等于第二边缘的边长。
[0008]优选地，所述的W1为10~30微米。
[0009]优选地，所述W3介于0~5或5~20微米之间。
[0010]优选地，所述的W1：W3为（2~40）：1。
[0011]优选地，所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，未位于所述第三边缘和所述第四边缘，W1大于W3且W2大于等于W4。
[0012]更优选地，所述的W2为10~30微米。
[0013]更优选地，所述Ｗ4介于0~5或5~20微米之间。
[0014]更优选地，所述的W2：W4为（2~40）：1。
[0015]本专利技术同时提供如下具有小发光面积，发光亮度提升的第二种发光二极管，其包括：透明衬底、半导体发光序列、绝缘介质层、第一电极和第二电极；透明衬底，具有第一表面，所述第一表面包括内部的第一区域以及外围的第二区域；半导体发光序列，包括自透明衬底的第一表面堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，覆盖所述透明衬底第一表面第一区域；第一导电型半导体层的一表面包括发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，至少覆盖所述半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过第一开口和第二开口电连接第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层；自第二导电型半导体层俯视，半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在所述半导体发光序列的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘周围分别具有四个宽度，定义为W1、W2、W3和W4；其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于第一边缘、全部第二边缘以及部分的第三边缘，W2大于W4。
[0016]优选地，W1大于等于W3，W2大于W4。
[0017]优选地，所述的半导体发光序列的第一边缘的边长大于等于第二边缘的边长。
[0018]优选地，所述的W2为10~30微米。
[0019]优选地，所述Ｗ4介于0~5或5~20微米之间。
[0020]优选地，所述的W1为10~30微米。
[0021]优选地，所述的W2：W4为（2~40）：1。
[0022]更优选地，第一种或第二种发光二极管具备如下至少之一的特征：所述的透明衬底的第一表面的第一区域与透明衬底的第一表面的面积的比例为40%~90%。
[0023]所述的透明衬底的第一表面的边缘的边长介于200~300微米或100~200微米或40~100微米。
[0024]所述的透明衬底包括第二表面，与第一表面相对，第二表面为主要出光面。
[0025]所述的绝缘介质层包括多层绝缘介质层或一单层绝缘介质层，多层绝缘介质层优选的为DBR层或所述的单层的绝缘介质层的厚度为2微米以上。
[0026]所述的绝缘介质层覆盖在半导体发光序列的顶表面的厚度不同于覆盖在半导体发光序列的侧壁的厚度。
[0027]所述的绝缘介质层覆盖在半导体发光序列的侧壁的厚度为覆盖在半导体发光序列的顶表面的厚度的40~90%。
[0028]所述的第二导电型半导体层的表面还包括透明电极层。
[0029]所述的半导体发光序列直接生长在透明衬底的第一表面，或者通过透明键合层键合在透明衬底的第一表面。
[0030]绝缘介质层覆盖所述至少部分透明衬底第一表面的第二区域。
[0031]本专利技术同时提供一种发光二极管封装体，包括安装基板和安装在所述安装基板上的至少一个发光二极管，其特征在于，所述发光二极管至少一个或多个或全部为前述的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括：透明衬底、半导体发光序列、绝缘介质层、第一电极和第二电极；透明衬底，具有第一表面，所述第一表面包括内部的第一区域以及外围的第二区域；半导体发光序列，包括自透明衬底的第一表面堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，覆盖所述透明衬底第一表面第一区域；第一导电型半导体层的一表面包括：发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，至少覆盖所述半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过第一开口和第二开口电连接第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层；自第二导电型半导体层俯视，半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；所述透明衬底第一表面的第二区域在所述半导体发光序列的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘周围分别具有四个宽度，定义为W1、W2、W3和W4；其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于部分的第一边缘以及部分的第二边缘，所述W3介于0~20微米之间或者W4介于0~20微米之间。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述W1+W3为10~50微米。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列的第一边缘的边长大于等于第二边缘的边长。4.根据权利要求1或3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W1为10~30微米。5.根据权利要求1或3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W1：W3为（2~40）：1。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域未位于所述第三边缘和所述第四边缘，W1大于W3；W2大于等于W4。7.根据权利要求1或4所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W2为10~30微米。8.根据权利要求1或4所述的一种发光二极管，其特征在于：所述Ｗ4介于0~5或5~20微米之间。9.根据权利要求1或4所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W2：W4为（2~40）：1。10.一种发光二极管，其包括：透明衬底、半导体发光序列、绝缘介质层、第一电极和第二电极；透明衬底，具有第一表面，所述第一表面包括内部的第一区域以及外围的第二区域；半导体发光序列，包括自透明衬底的第一表面堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，覆盖所述透明衬底第一表面第一区域；第一导电型半导体层的一表面包括发光层和第二导电型半导体层覆盖区域以及第一电极电连接区域；绝缘介质层，至少覆盖所述半导体发光序列，并且具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过第一开口和第二开口电连接第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层；自第二导电型半导体层俯视，半导体发光序列的周边沿着一环绕方向依次包括为第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；
所述透明衬底第一表面的第二区域在所述半导体发光序列的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘周围分别具有四个宽度，定义为W1、W2、W3和W4；其特征在于：所述第一导电型半导体层的第一电极电连接区域位于部分第一边缘、全部第二边缘以及部分的第三边缘；所述W3介于0~20微米之间或者W4介于0~20微米之间。11.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：W2大于W4。12.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：W1大于等于W3。13.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的半导体发光序列的第一边缘的边长大于等于第二边缘的边长。14.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W2为10~30微米。15.根据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述Ｗ4介于0~5或5~20微米之间。16.根据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W2：W4为（2~40）：1。17.根据权利要求11所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的W1为10~30微米。18.根据权利要求1或10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透明衬底的第一表面的第一区域与透明衬底的第一表面的水平截面面积的比例为40%~90%。19.根据权利要求1或10所述的一种发光二极管，其特征在于：所述的透明衬底的第一表面的边缘的边长介于200~300微米或100...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋，何安和，夏章艮，詹宇，彭康伟，林素慧，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：