发声装置和终端设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发声装置和终端设备，该发声装置包括盆架、磁路系统及振动系统，盆架设有容腔，磁路系统包括设于容腔内的U铁和内磁路部分，U铁具有容置槽，内磁路部分设于容置槽内，并与容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈，振膜连接于盆架，并与磁路系统相对，音圈远离振膜的一端悬设于磁间隙内；其中，定义缺口槽沿磁间隙轴线方向的长度为a，定义缺口槽沿垂直于磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。本发明专利技术旨在提供一种增加华司导磁率的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。要求。要求。

【技术实现步骤摘要】
发声装置和终端设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备。

技术介绍

[0002]喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。
[0003]相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在提供一种增加华司导磁率的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出一种发声装置，所述发声装置包括：
[0006]盆架，所述盆架设有容腔；
[0007]磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及
[0008]振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内；
[0009]其中，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。
[0010]在一实施例中，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。
[0011]在一实施例中，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。
[0012]在一实施例中，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；
[0013]其中，0.5≤d1/d2≤0.7。
[0014]在一实施例中，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2；
[0015]且/或，定义所述内华司的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。
[0016]在一实施例中，定义所述凸弧面的半径为R1，定义所述凹弧面的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5；
[0017]且/或，定义所述凸弧面的弧长为L1，定义所述凹弧面的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5。
[0018]在一实施例中，所述盆架设有连通所述容腔的贯通孔，所述U铁对应所述贯通孔设有贯穿所述容置槽底壁的第一通孔，所述内磁铁对应所述第一通孔设有第二通孔，所述内华司对应所述第二通孔设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述凹陷槽的底壁。
[0019]在一实施例中，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成支撑台，所述支撑台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述内磁铁支撑于所述支撑台，所述U铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述支撑台凹陷形成凹槽；
[0020]且/或，所述缺口槽沿所述内华司的周缘延伸设置；
[0021]且/或，所述缺口槽邻近所述内磁铁设置。
[0022]在一实施例中，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述容腔的内壁设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接。
[0023]本专利技术还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。
[0024]本专利技术技术方案的发声装置通过在盆架内设置容腔，从而利用盆架的容腔安装、固定和保护磁路系统和振动系统，通过将磁路系统设置为U铁和内磁路部分，利用U铁的容置槽安装固定内磁路部分的同时，使得内磁路部分与U铁的容置槽的侧壁间隔形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过在内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，从而取消内磁路部分导磁率低的部分，以减小内磁路部分的重量，并充分利用内磁路部分导磁率高的部分，以保证发声装置良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0026]图1为本专利技术一实施例中发声装置的剖面示意图；
[0027]图2为本专利技术一实施例中发声装置的剖面分解示意图；
[0028]图3为本专利技术一实施例中U铁的剖面示意图；
[0029]图4为本专利技术一实施例中内华司的剖面示意图；
[0030]图5为本专利技术一实施例中磁路系统的仿真磁感线示意图；
[0031]图6为现有技术中磁路系统的仿真磁感线示意图。
[0032]附图标号说明：
[0033][0034][0035]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0038]同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。
[0039]另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：盆架，所述盆架设有容腔；磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内；其中，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；其中，0.5≤d1/d2≤0.7。5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铭君，吴江涛，张迪，
申请(专利权)人：潍坊歌尔丹拿电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：