半导体封装框架及结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体封装框架及结构。半导体封装框架包括框架本体以及位于框架本体上的溢流槽和阻流结构，框架本体上设置有用于焊接芯片的焊接区，溢流槽间隔设置于焊接区的外侧，阻流结构邻接于溢流槽背离焊接区的一端，且阻流结构的上表面高于框架本体的上表面。采用本实用新型专利技术提供的半导体封装框架并利用锡膏焊接芯片时，焊接过程中熔融的多余锡膏料会向外流到溢流槽中，并被阻流结构阻挡其继续外溢，使得锡膏的溢流范围被控制在溢流槽和焊接区之间，由此可以有效缩减芯片到框架边缘的距离，有助于封装器件的进一步小型化，同时有效避免锡膏外溢导致的污染，可以有效降低封装风险。装风险。装风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装框架及结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种半导体封装框架及结构。

技术介绍

[0002]焊片(die bond)又称固晶、粘晶，是指将芯片焊接到框架上的工艺，是集成电路封装中的一道重要工序。焊片工艺有多种，其中，锡膏焊接是其中常见的一种。锡膏焊接是指将焊锡膏熔化，其合金成分冷却凝固后在元器件与印制电路板之间形成焊点而实现电连接的技术。
[0003]随着半导体技术的飞速发展，器件特征尺寸日益缩小而器件集成度日益提高，使得封装时的可用空间越来越小，在利用锡膏焊接将芯片焊接到现有的框架上时，熔化的锡膏溢出的范围较大，使得芯片到框架边缘需要预留的距离增大，限制了封装尺寸的进一步缩小。此外，溢料还会导致芯片污染等不良，给后续工艺带来极大隐患。

技术实现思路

[0004]鉴于以上现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体封装框架及结构，用于解决现有技术中，利用锡膏焊接将芯片焊接到现有的框架上时，熔化的锡膏溢出的范围较大，使得芯片到框架边缘需要预留的距离增大，限制了封装尺寸的进一步缩小，且溢料还会导致芯片污染等不良，给后续工艺带来极大隐患等问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体封装框架，半导体封装框架包括框架本体以及位于框架本体上的溢流槽和阻流结构，框架本体上设置有用于焊接芯片的焊接区，溢流槽间隔设置于焊接区的外侧，阻流结构邻接于溢流槽背离焊接区的一端，且阻流结构的上表面高于框架本体的上表面。
[0006]可选地，阻流结构的上表面不高于芯片的上表面。
[0007]可选地，阻流结构的长度不小于与其邻接的溢流槽的长度。
[0008]可选地，溢流槽分布于焊接区的四周。
[0009]可选地，溢流槽的宽度为150μm
‑
200μm，溢流槽与焊接区的间距为100μm
‑
150μm。
[0010]可选地，阻流结构和框架本体的材质相同。
[0011]可选地，阻流结构和框架本体为一体连接。
[0012]可选地，阻流结构的截面结构包括三角形和梯形中的任意一种，溢流槽的上部开口面积大于下部开口面积。
[0013]可选地，半导体封装框架还包括多个管脚，多个管脚与框架本体连接，且位于溢流槽的外侧。
[0014]本实用新还提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括芯片及如上述任一方案中的半导体封装框架，芯片通过焊料层固定于半导体封装框架的焊接区。
[0015]可选地，焊料层包括锡膏层。
[0016]如上，本技术的半导体封装框架及结构，具有以下有益效果：采用本技术
提供的半导体封装框架并利用锡膏焊接芯片时，焊接过程中熔融的多余锡膏料会向外流到溢流槽中，并被阻流结构阻挡其继续外溢，使得锡膏的溢流范围被控制在溢流槽和焊接区之间，由此可以有效缩减芯片到框架边缘的距离，有助于封装器件的进一步小型化，同时有效避免锡膏外溢导致的污染，可以有效降低封装风险。
附图说明
[0017]图1显示为本技术提供的半导体封装框架的例示性俯视结构示意图。
[0018]图2显示为本技术提供的半导体封装框架的例示性剖面结构示意图。
[0019]图3显示为本技术提供的半导体封装框架的另一例示性俯视结构示意图。
[0020]图4显示为采用焊料层将芯片固定于本技术提供的半导体封装框架后的示意图。
[0021]图5和图6显示为本技术提供的封装框架于制备过程的各步骤中所呈现出的剖面结构示意图。
[0022]组件标号说明
[0023]11
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框架本体
[0024]12
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溢流槽
[0025]13
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阻流结构
[0026]131
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第一侧面
[0027]132
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第二侧面
[0028]14
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焊接区
[0029]15
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芯片
[0030]16
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管脚
[0031]17
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焊料层
[0032]18
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框架基底
具体实施方式
[0033]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0034]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个组件或特征与其他组件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
[0035]在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一
和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0036]需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。为使图示尽量简洁，各附图中并未对所有的结构全部标示。
[0037]现有的半导体封装框架用于固定芯片的焊接区与其周边均为平坦表面，在利用诸如锡膏焊接方式将芯片焊接固定于封装框架的焊接区的过程中，熔化的锡膏容易向外溢流而漫延到封装框架边缘，导致封装治具以及封装框架上其他结构，尤其是芯片以及其他导电结构的污染，容易导致短路危险。为解决此类问题，现有的一种方法是增大焊接区(也即芯片边缘)到封装框架边缘的尺寸，但这会导致封装框架体积增大，限制了封装尺寸的进一步缩小。对此，本申请的专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装框架，其特征在于，所述半导体封装框架包括框架本体以及位于框架本体上的溢流槽和阻流结构，所述框架本体上设置有用于焊接芯片的焊接区，所述溢流槽间隔设置于所述焊接区的外侧，所述阻流结构邻接于所述溢流槽背离所述焊接区的一端，且所述阻流结构的上表面高于所述框架本体的上表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于，所述阻流结构的上表面不高于芯片的上表面，阻流结构的长度不小于与其邻接的溢流槽的长度。3.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于，所述溢流槽分布于焊接区的四周。4.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于，所述溢流槽的宽度为150μm
‑
200μm，所述溢流槽与焊接区的间距为100μm
‑
150μm。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘必华，钟佳鑫，高红梅，朱卫华，王佐君，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：