【技术实现步骤摘要】
参考电压产生电路
[0001]本专利技术是有关于一种电压产生电路,且特别是有关于一种参考电压产生电路。
技术介绍
[0002]随着半导体制程的进步,晶体管的尺寸不断的缩小,以提高单位面积下的逻辑闸数目。然而,随着晶体管的尺寸的缩小,晶体管的电流会更容易受到温度的影响,亦即基板上的电路容易受到温度的影响。当基板上的电路(例如像素电路或感测电路)容易受到温度的影响时,集成电路(IC)中会设计参考电压产生电路,以避免温度效应带来的影响。
[0003]传统是使用金氧半效晶体管(MOSFET)来制作参考电压产生电路,但近期已开始有使用低温多晶硅(Low
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temperature polycrystalline silicon,LTPS)元件制作参考电压产生电路,以便于在玻璃上制作。并且,由于参考电压的稳定性影响电路的操作,因此参考电压产生电路的设计必须不断更新,以抑制参考电压的温度系数。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种参考电压产生电路,可形成于玻璃基板上,且可抑制参考电压的温度系 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路,其特征在于,包括:一电流镜,接收一第一系统电压,提供一第一镜射电流、一第二镜射电流及一第三镜射电流;一第一晶体管,具有接收该第一镜射电流的一第一端、一控制端及接收一第二系统电压的一第二端;一第二晶体管,具有耦接该第一晶体管的该控制端的一第一端、一控制端及接收该第二系统电压的一第二端;一第三晶体管,具有接收一第二镜射电流的一第一端、耦接该第二晶体管的该控制端及该第三晶体管的该第一端的一控制端及耦接该第一晶体管的该控制端的一第二端;一第四晶体管,具有提供一参考电压的一第一端、一控制端及接收该第二系统电压的一第二端;以及一第五晶体管,具有接收一第三镜射电流的一第一端、耦接该第四晶体管的该控制端及该第五晶体管的该第一端的一控制端及耦接该第四晶体管的该第一端的一第二端,其中,该第二晶体管及该第四晶体管的导通临界电压大于该第一晶体管、该第三晶体管及该第五晶体管的导通临界电压。2.如权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,该电流镜包括:一第六晶体管,具有接收该第一系统电压的一第一端、一控制端及耦接该第六晶体管的该控制端的一第二端,其中该第六晶体管的第二端提供该第一镜射电流;一第七晶体管,具有接收该第一系统电压的一第一端、耦接该第六晶体管的该控制端的一控制端及提供该第二镜射电流的一第二端;以及一第八晶体管,具有接收该第一系统电压的一第一端、耦接该第六晶体管的该控制端的一控制端及提供该第三镜射电流的一第二端。3.如权利要求2所述的参考电压产生电路,其特征在于,该第一系统电压大于该第二系统电压,并且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管分别为一N型晶体管,该第六晶体管、该第七晶体管及该第六晶体管分别为一P型晶体管。4.如权利要求2所述的参考电压产生电路,其特征在于,该第二系统电压大于该第一系统电压,并且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管分别为一P型晶体管,该第六晶体管、该第七晶体管及该第六晶体管分别为一N型晶体管。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴俊翔,李明贤,吴佳恩,张书瀚,余婉薇,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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