参考电压产生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种参考电压产生电路。参考电压产生电路包括电流镜、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管。电流镜提供第一镜射电流至第一晶体管，提供第二镜射电流至第三晶体管，并且提供第三镜射电流至第五晶体管。第二晶体管与第三晶体管串接以提供第一晶体管的栅极电压。第四晶体管与第五晶体管串接以提供参考电压。第二晶体管及第四晶体管的导通临界电压大于第一晶体管、第三晶体管及第五晶体管的导通临界电压。体管及第五晶体管的导通临界电压。体管及第五晶体管的导通临界电压。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生电路


[0001]本专利技术是有关于一种电压产生电路，且特别是有关于一种参考电压产生电路。

技术介绍

[0002]随着半导体制程的进步，晶体管的尺寸不断的缩小，以提高单位面积下的逻辑闸数目。然而，随着晶体管的尺寸的缩小，晶体管的电流会更容易受到温度的影响，亦即基板上的电路容易受到温度的影响。当基板上的电路(例如像素电路或感测电路)容易受到温度的影响时，集成电路(IC)中会设计参考电压产生电路，以避免温度效应带来的影响。
[0003]传统是使用金氧半效晶体管(MOSFET)来制作参考电压产生电路，但近期已开始有使用低温多晶硅(Low
‑
temperature polycrystalline silicon，LTPS)元件制作参考电压产生电路，以便于在玻璃上制作。并且，由于参考电压的稳定性影响电路的操作，因此参考电压产生电路的设计必须不断更新，以抑制参考电压的温度系数。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种参考电压产生电路，可形成于玻璃基板上，且可抑制参考电压的温度系数。
[0005]本专利技术的参考电压产生电路，包括电流镜、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管。电流镜接收第一系统电压，提供第一镜射电流、第二镜射电流及第三镜射电流。第一晶体管具有接收第一镜射电流的第一端、控制端及接收第二系统电压的第二端。第二晶体管具有耦接第一晶体管的控制端的第一端、控制端及接收第二系统电压的第二端。第三晶体管具有接收第二镜射电流的第一端、耦接第二晶体管的控制端及第三晶体管的第一端的控制端及耦接第一晶体管的控制端的第二端。第四晶体管具有提供参考电压的第一端、控制端及接收第二系统电压的第二端。第五晶体管具有接收第三镜射电流的第一端、耦接第四晶体管的控制端及第五晶体管的第一端的控制端及耦接第四晶体管的第一端的第二端。第二晶体管及第四晶体管的导通临界电压大于第一晶体管、第三晶体管及第五晶体管的导通临界电压。
[0006]基于上述，本专利技术实施例的参考电压产生电路，第二晶体管及第四晶体管的导通临界电压大于第一晶体管、第三晶体管及第五晶体管的导通临界电压，并且第二晶体管及第三晶体管反应于作为驱动级的第四晶体管及第五晶体管的状态而推挽第一晶体管的栅极电压。藉此，可抑制参考电压的温度系数。
[0007]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
[0008]图1A为依据本专利技术一实施例的参考电压产生电路的电路示意图。
[0009]图1B为依据本专利技术一实施例的参考电压产生电路的电路模拟示意图。
[0010]图2为依据本专利技术另一实施例的参考电压产生电路的电路示意图。
[0011]其中，附图标记：
[0012]100、200：参考电压产生电路
[0013]101～105：曲线
[0014]110、210：电流镜
[0015]120：起始电路
[0016]C1：第一电容
[0017]C2：第二电容
[0018]I1：第一镜射电流
[0019]I2：第二镜射电流
[0020]I3：第三镜射电流
[0021]T1、T1a：第一晶体管
[0022]T2、T2a：第二晶体管
[0023]T3、T3a：第三晶体管
[0024]T4、T4a：第四晶体管
[0025]T5、T5a：第五晶体管
[0026]T6、T6a：第六晶体管
[0027]T7、T7a：第七晶体管
[0028]T8、T8a：第八晶体管
[0029]TS1：第一起始晶体管
[0030]TS2：第二起始晶体管
[0031]TS3：第三起始晶体管
[0032]TS4：第四起始晶体管
[0033]V
DD
：高系统电压
[0034]V
REF1
、V
REF2
：供参考电压
[0035]VS1：第一起始电压
[0036]VSS：低系统电压
具体实施方式
[0037]除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
[0038]应当理解，尽管术语”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的”第一元件”、”部件”、”区域”、”层”或”部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
[0039]这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所
使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式”一”、”一个”和”该”旨在包括复数形式，包括”至少一个”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，术语”及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语”包括”及/或”包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
[0040]图1A为依据本专利技术一实施例的参考电压产生电路的电路示意图。请参照图1A，在本实施例中，参考电压产生电路100例如可形成于玻璃基板上，亦即参考电压产生电路100可应用于显示面板及/或触控面板的驱动。参考电压产生电路100包括电流镜110、起始电路120、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、以及第五晶体管T5。
[0041]电流镜110接收低系统电压VSS(对应第一系统电压)，并且提供第一镜射电流I1、第二镜射电流I2及第三镜射电流I3。第一晶体管T1具有接收第一镜射电流I1的第一端、控制端及接收高系统电压V
DD
(对应第二系统电压)的第二端，其中低系统电压VSS的电压电平小于高系统电压V
DD
的电压电平。起始电路120提供第一起始电压VS1到第一晶体管T1的第一端，并且提供第二起始电压VS2到第三晶体管T3的第一端。
[0042]第二晶体管T2具有耦接第一晶体管T1的控制端的第一端、控制端及接收高系统电压V
DD
的第二端。第三晶体管T3具有接收第二镜射电流I2的第一端、耦接第二晶体管T2的控制端及第三晶体管T3的第一端的控制端及耦接第一晶体管T1的控制端的第二端。第四晶体管T4具有提供参考电压V
REF1
的第一端、控制端及接收高系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路，其特征在于，包括：一电流镜，接收一第一系统电压，提供一第一镜射电流、一第二镜射电流及一第三镜射电流；一第一晶体管，具有接收该第一镜射电流的一第一端、一控制端及接收一第二系统电压的一第二端；一第二晶体管，具有耦接该第一晶体管的该控制端的一第一端、一控制端及接收该第二系统电压的一第二端；一第三晶体管，具有接收一第二镜射电流的一第一端、耦接该第二晶体管的该控制端及该第三晶体管的该第一端的一控制端及耦接该第一晶体管的该控制端的一第二端；一第四晶体管，具有提供一参考电压的一第一端、一控制端及接收该第二系统电压的一第二端；以及一第五晶体管，具有接收一第三镜射电流的一第一端、耦接该第四晶体管的该控制端及该第五晶体管的该第一端的一控制端及耦接该第四晶体管的该第一端的一第二端，其中，该第二晶体管及该第四晶体管的导通临界电压大于该第一晶体管、该第三晶体管及该第五晶体管的导通临界电压。2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，该电流镜包括：一第六晶体管，具有接收该第一系统电压的一第一端、一控制端及耦接该第六晶体管的该控制端的一第二端，其中该第六晶体管的第二端提供该第一镜射电流；一第七晶体管，具有接收该第一系统电压的一第一端、耦接该第六晶体管的该控制端的一控制端及提供该第二镜射电流的一第二端；以及一第八晶体管，具有接收该第一系统电压的一第一端、耦接该第六晶体管的该控制端的一控制端及提供该第三镜射电流的一第二端。3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，该第一系统电压大于该第二系统电压，并且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管分别为一N型晶体管，该第六晶体管、该第七晶体管及该第六晶体管分别为一P型晶体管。4.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，该第二系统电压大于该第一系统电压，并且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管及该第五晶体管分别为一P型晶体管，该第六晶体管、该第七晶体管及该第六晶体管分别为一N型晶体管。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴俊翔，李明贤，吴佳恩，张书瀚，余婉薇，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：