【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶硅片的退火支架
[0001]本技术涉及单晶硅片退火
,具体涉及一种用于单晶硅片的退火支架。
技术介绍
[0002]通过单晶硅所制作的单晶硅片是一种半导体材料,由于在加工的过程中单晶硅片内含有氧,氧会吸取杂质导致影响产品后续的使用质量,通过对单晶硅片进行退火操作,可以使其表面附近的氧挥发,减少其表面杂质的吸附,提高产品质量。现有的单晶硅在退火冷却的过程中多数为通过自然降温冷却,冷却的效率较低。为此,我们提出一种用于单晶硅片的退火支架。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种用于单晶硅片的退火支架,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种用于单晶硅片的退火支架,包括底座,所述底座的顶部中心处转动连接有底部支架,所述底座的内腔固定安装有电机,且电机的输出端与底部支架固定连接,所述底部支架通过调节机构连接装配有顶部支架,所述底部支架与顶部支架的相对侧壁均开设有夹持槽;
[0005]所述调节机构包括固定轴、调节螺杆和限位杆,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅片的退火支架,其特征在于:包括底座(1),所述底座(1)的顶部中心处转动连接有底部支架(2),所述底座(1)的内腔固定安装有电机(9),且电机(9)的输出端与底部支架(2)固定连接,所述底部支架(2)通过调节机构(3)连接装配有顶部支架(4),所述底部支架(2)与顶部支架(4)的相对侧壁均开设有夹持槽(5);所述调节机构(3)包括固定轴(31)、调节螺杆(32)和限位杆(33),所述固定轴(31)和限位杆(33)均固定安装在底部支架(2)的表面,所述固定轴(31)的顶部中心处转动连接有调节螺杆(32),所述调节螺杆(32)与顶部支架(4)相螺接,所述限位杆(33)贯穿顶部支架(4)。2.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅片的退火支架,其特征在于:所述限位杆(33)的数量至少为两个,两个所述限位杆(33)以固定轴(31)为中心处呈左右对称分布。3.根据权利要求1所述的一种用于单晶硅片的退火支架,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜珂,嵇星,张野,
申请(专利权)人:辽宁博芯科半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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