一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，涉及碳化硅晶体技术领域；包括炉体，炉体内设置有加热盘，炉体底部设置有绝缘底座，绝缘底座与加热盘相连接；炉体外部设置有加热装置，加热装置包括感应线圈，感应线圈连接有调节机构，调节机构用于调节感应线圈与绝缘底座之间的距离；感应线圈连接有电源；解决真空热压炉电阻加热易造成加热不均、或加热丝烧断造成产品报废的问题。或加热丝烧断造成产品报废的问题。或加热丝烧断造成产品报废的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉


[0001]本技术属于碳化硅晶体生产
，具体是一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉。

技术介绍

[0002]碳化硅半导体材料使用在高温、高击穿电场、强辐射的环境下。目前，碳化硅晶体生长是生产碳化硅半导体材料的重要步骤。在碳化硅晶体生长工序，使用热压炉是减少晶体生长缺陷的必要设备。
[0003]目前的热压炉大多采用电阻式对相关部件加热，在普通的热压炉加热时，由于加热电阻设计因素，加热电阻不能根据使用要求调节石墨板上的温度分布，加热温区不能调节易造成受热件加热温度不均匀出现废品。在负压的情况下，电阻加热一方面易造成加热丝在加热过程中烧坏，使产品报废，另一方面，其热均匀性不能调节。
[0004]另外，由于在真空情况下加热，加热腔内一般热传导占主要的加热方式，原来设计的加热电阻所发出的热量不易被传导出，因此造成加热电阻损坏，从而出现产品失效的情况。且不能检验使用电阻加热所做的产品是否正常，尤其在加热丝部分失效情况下，较难验证加热的不均匀性使碳化硅生长是否达到要求。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，包括炉体（1），所述炉体（1）内设置有加热盘（2），其特征在于，所述炉体（1）底部设置有绝缘底座（3），绝缘底座（3）与加热盘（2）相连接；所述炉体（1）外部设置有加热装置，所述加热装置包括感应线圈（4），所述感应线圈（4）连接有调节机构，所述调节机构用于调节感应线圈（4）与绝缘底座（3）之间的距离；所述感应线圈（4）连接有电源（5）。2.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述的调节机构包括支撑盘（6）和调节螺丝（7），所述支撑盘（6）位于感应线圈（4）的下方，支撑盘（6）与感应线圈（4）通过调节螺丝（7）相连接。3.根据权利要求2所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，所述支撑盘（6）为石英支撑盘。4.根据权利要求1所述的一种用于碳化硅晶体生长辅助处理的感应真空热压炉，其特征在于，绝缘底座（3）通过连接件固定与炉体（1）底部相连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英斌，赵丽霞，魏汝省，周立平，张继光，杨凯，靳宇，高伟志，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：